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公开(公告)号：TWI694312B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107102698
申请日：2018-01-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 拉赫曼 薩米 烏爾 , REHMAN,SAMEE UR
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公开(公告)号：TWI694303B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107140959
申请日：2018-11-19
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 柴特瑪司 艾納諾斯堤斯 , TSIATMAS, ANAGNOSTIS , 希尼 保羅 克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN , 麥克 納馬拉 艾略特 葛雷德 , MC NAMARA, ELLIOTT GERARD , 休威斯 湯馬士 , THEEUWES, THOMAS , 迪 拉 福恩特 范諾汀 瑪麗亞 伊莎貝爾 , DE LA FUENTE VALENTIN, MARIA ISABEL , 賽爾卓迪 米爾 赫瑪永 , SHAHRJERDY, MIR HOMAYOUN , 丹 伯夫 艾瑞 傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 王淑錦 , WANG, SHU-JIN
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公开(公告)号：TWI692007B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108119110
申请日：2017-12-26
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 泰爾 溫 提波 , TEL, WIM TJIBBO , 卡陶 漢斯 艾瑞克 , KATTOUW, HANS ERIK , 奧提尼 瓦雷利歐 , ALTINI, VALERIO , 莫依司特 比爾愛曲 , MOEST, BEARRACH
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
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公开(公告)号：TWI691801B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106142916
申请日：2017-12-07
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 柯蘭 愛曼德 尤金尼 愛博特 , KOOLEN, ARMAND EUGENE ALBERT
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号：TW202014809A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108148336
申请日：2018-04-27
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 伊瑪 亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 塔伯里 希拉 艾米爾 , TABERY, CYRUS EMIL , 凡 果珀 賽門 亨德立克 席林 , VAN GORP, SIMON HENDRIK CELINE , 林晨希 , LIN, CHENXI , 桑塔格 戴格 , SONNTAG, DAG , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 亞發雷茲 桑契斯 魯賓 , ALVAREZ SANCHEZ, RUBEN , 劉士嶔 , LIU, SHIH-CHIN , 海斯汀思 賽門 飛利浦 史賓斯 , HASTINGS, SIMON PHILIP SPENCER , 曼徹奇可夫 伯瑞斯 , MENCHTCHIKOV, BORIS , 迪 瑞提 克里斯汀 西奧多爾 , DE RUITER, CHRISTIAAN THEODOOR , 譚 伯格 彼德 , TEN BERGE, PETER , 拉索 麥可 詹姆士 , LERCEL, MICHAEL JAMES , 段薇 , DUAN, WEI , 吉泰 皮耶-伊夫 傑羅姆 伊萬 , GUITTET, PIERRE-YVES JEROME YVAN
Abstract: 本發明揭示一種用於預測經受一製程之一基板之一電特性的方法及相關聯電腦程式。該方法包括：基於電度量衡資料及製程度量衡資料之分析來判定該電特性對一製程特性之一敏感度，該電度量衡資料包括自先前經處理基板之經量測之電特性，且該製程度量衡資料包括與自該等先前經處理基板量測之該製程特性有關的至少一個參數之量測；獲得關於該基板之描述該至少一個參數之製程度量衡資料；及基於該敏感度及該製程度量衡資料來預測該基板之該電特性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于预测经受一制程之一基板之一电特性的方法及相关联电脑进程。该方法包括：基于电度量衡数据及制程度量衡数据之分析来判定该电特性对一制程特性之一敏感度，该电度量衡数据报括自先前经处理基板之经量测之电特性，且该制程度量衡数据报括与自该等先前经处理基板量测之该制程特性有关的至少一个参数之量测；获得关于该基板之描述该至少一个参数之制程度量衡数据；及基于该敏感度及该制程度量衡数据来预测该基板之该电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202014796A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108117598
申请日：2019-05-22
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 休威斯 湯馬士 , THEEUWES, THOMAS , 范 因根 史齊橈 柯恩拉德 , VAN INGEN SCHENAU, KOENRAAD , 沃根斯 彼特 喬斯福 瑪莉 , WOLTGENS, PIETER JOSEPH MARIE
Abstract: 本發明揭示一種用於將特徵指派成至少第一特徵及第二特徵之方法，該等第一特徵係用於經組態供用於一微影程序中以在一基板上形成對應第一結構之至少一個第一圖案化器件，且第二特徵係用於經組態供用於一微影程序中以在一基板上形成對應第二結構之至少一個第二圖案化器件，其中該方法包含基於該等特徵之一圖案化特性將該等特徵指派成該等第一特徵及該等第二特徵。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于将特征指派成至少第一特征及第二特征之方法，该等第一特征系用于经组态供用于一微影进程中以在一基板上形成对应第一结构之至少一个第一图案化器件，且第二特征系用于经组态供用于一微影进程中以在一基板上形成对应第二结构之至少一个第二图案化器件，其中该方法包含基于该等特征之一图案化特性将该等特征指派成该等第一特征及该等第二特征。
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公开(公告)号：TWI689790B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106130713
申请日：2017-09-08
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 凡 登 波斯 西特喜 希巨門 , VAN DER POST, SIETSE THIJMEN , 凡 伯克 庫斯 , VAN BERKEL, KOOS
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
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公开(公告)号：TW202011109A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108141013
申请日：2015-11-16
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 荷蘭商ASML控股公司 , ASML HOLDING N.V.
Inventor： 可魯依寧嘉 馬提亞斯 , KRUIZINGA, MATTHIAS , 詹森 馬騰 馬吉斯 馬利努斯 , JANSEN, MAARTEN MATHIJS MARINUS , 阿瑟瑞多 喬治 瑪紐爾 , AZEREDO LIMA, JORGE MANUEL , 寶賈特 艾瑞克 威廉 , BOGAART, ERIK WILLEM , 布朗司 德克 瑟華提思 傑卓達 , BROUNS, DERK SERVATIUS GERTRUDA , 布魯吉 馬克 , BRUIJN, MARC , 布魯斯 理查 喬瑟夫 , BRULS, RICHARD JOSEPH , 戴克斯 傑洛恩 , DEKKERS, JEROEN , 簡森 保羅 , JANSSEN, PAUL , 卡馬利 莫哈瑪德 瑞莎 , KAMALI, MOHAMMAD REZA , 卡默 羅納 哈莫 剛瑟 , KRAMER, RONALD HARM GUNTHER , 蘭博根 羅博特 嘉博爾 瑪利亞 , LANSBERGEN, ROBERT GABRIEL MARIA , 里恩德斯 馬汀斯 漢德利克斯 安東尼斯 , LEENDERS, MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , 里普森 馬修 , LIPSON, MATTHEW , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 黎昂斯 喬瑟夫 H , LYONS, JOSEPH H , 露克司 史蒂芬 , ROUX, STEPHEN , 凡 登 波許 吉瑞特 , VAN DEN BOSCH, GERRIT , 凡 登 海吉坎特 山德 , VAN DEN HEIJKANT, SANDER , 凡 得 葛絡夫 珊卓拉 , VAN DER GRAAF, SANDRA , 凡 丹 慕蘭 佛利茲 , VAN DER MEULEN, FRITS , 凡 路 吉羅美 法蘭西歐斯 斯洛凡 凡吉兒 , VAN LOO, JEROME FRANCOIS SYLVAIN VIRGILE , 凡布魯吉 畢兒翠斯 路意斯 瑪莉-喬瑟夫 凱翠恩 , VERBRUGGE, BEATRIJS LOUISE MARIE-JOSEPH KATRIEN
IPC: G03F1/62
Abstract: 本發明係關於一種適合用於一微影製程中之遮罩總成，該遮罩總成包含：一圖案化器件；及一表膜框架，其經組態以支撐一表膜且藉由一安裝台安裝在該圖案化器件上；其中該安裝台經組態以相對於該圖案化器件懸置該表膜框架，使得該表膜框架與該圖案化器件之間存在一間隙；且其中該安裝台在該圖案化器件與該表膜框架之間提供一可釋放式可嚙合附著。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种适合用于一微影制程中之遮罩总成，该遮罩总成包含：一图案化器件；及一表膜框架，其经组态以支撑一表膜且借由一安装台安装在该图案化器件上；其中该安装台经组态以相对于该图案化器件悬置该表膜框架，使得该表膜框架与该图案化器件之间存在一间隙；且其中该安装台在该图案化器件与该表膜框架之间提供一可释放式可啮合附着。
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公开(公告)号：TW202010995A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108125920
申请日：2019-07-23
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 陳峰 , CHEN, FENG , 范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 張 幼平 , ZHANG, YOUPING , 趙望石 , ZHAO, WANGSHI
Abstract: 本發明描述一種用於判定一蝕刻輪廓之方法。該方法包含判定一起始遮蔽層輪廓。判定負載資訊。該負載資訊指示該遮蔽層輪廓之一蝕刻速率對所蝕刻的材料之一數量及圖案的相依性。判定通量資訊。該通量資訊指示該蝕刻速率對入射於該遮蔽層輪廓上之輻射的一強度及一散佈角之相依性。判定重新沈積資訊。該重新沈積資訊指示該蝕刻速率對自該遮蔽層輪廓移除且重新沈積回到該遮蔽層輪廓上之材料的一量之相依性。該晶圓之該層的輸出蝕刻輪廓基於該負載資訊、該通量資訊及/或該重新沈積資訊而判定。
Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种用于判定一蚀刻轮廓之方法。该方法包含判定一起始屏蔽层轮廓。判定负载信息。该负载信息指示该屏蔽层轮廓之一蚀刻速率对所蚀刻的材料之一数量及图案的相依性。判定通量信息。该通量信息指示该蚀刻速率对入射于该屏蔽层轮廓上之辐射的一强度及一散布角之相依性。判定重新沉积信息。该重新沉积信息指示该蚀刻速率对自该屏蔽层轮廓移除且重新沉积回到该屏蔽层轮廓上之材料的一量之相依性。该晶圆之该层的输出蚀刻轮廓基于该负载信息、该通量信息及/或该重新沉积信息而判定。
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公开(公告)号：TW202010948A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108139658
申请日：2017-01-10
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 優莫林 艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 , EUMMELEN, ERIK HENRICUS EGIDIUS CATHARINA , 加多比吉歐 吉凡尼 路卡 , GATTOBIGIO, GIOVANNI LUCA , 麥爾曼 喬漢斯 康納歷斯 波勒斯 , MELMAN, JOHANNES CORNELIS PAULUS , 廉碧司 韓 亨利克斯 亞德恭達 , LEMPENS, HAN HENRICUS ALDEGONDA , 于淼 , YU, MIAO , 羅伯茲 康納利 馬利亞 , ROPS, CORNELIUS MARIA , 歐利史萊吉斯 羅德 , OLIESLAGERS, RUUD , 優路肯 亞頓克 , ULUCAN, ARTUNC , 波列特 喜爾多爾斯 威爾赫瑪斯 , POLET, THEODORUS WILHELMUS , 斯布坦堡 派翠克 喬韓妮絲 威爾海莫斯 , SPRUYTENBURG, PATRICK JOHANNES WILHELMUS
Abstract: 本發明係關於一種包含一流體處置結構之微影浸潤裝置及一種器件製造方法。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有退出口之通道，該等通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，其中複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种包含一流体处置结构之微影浸润设备及一种器件制造方法。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且包含气刀系统，该气刀系统包含各自具有退出口之信道，该等信道包含具有复数个对应第一退出口之复数个第一信道及具有复数个对应第二退出口之复数个第二信道，其中至少一个第一信道及至少一个第二信道经组态以使得退出第一退出口之气体的停滞压力大于退出第二退出口之气体的停滞压力，其中复数个第一信道及复数个第二信道交缠且以直线配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面图中之形状的一侧。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且在使用中包含气刀，流体处置结构包含至少一个退出口，其中至少一个退出口经配置以使得气刀形成平面图中之形状的一侧，且至少一个退出口具有经组态以允许浸润流体之小滴自气刀之径向外部的位置移动至气刀之径向内部的位置且经组态以约束浸润流体之小滴自气刀之径向内部的位置移动至气刀之径向外部的位置之几何形状。
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