公开(公告)号：TW201546985A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW103120581

申请日：2014-06-13

Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

Inventor： 黃志恭 ,  HUANG, CHIH KUNG ,  賴威仁 ,  LAI, WEI JEN ,  劉文俊 ,  LIU, WEN CHUN

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03552 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種封裝結構，包括一第一晶片、一第一可選擇性電鍍環氧樹脂、一第一圖案化線路層以及複數個第一導通孔。第一晶片包括複數個第一焊墊、一主動表面以及相對主動表面的一背面，第一焊墊設置於主動表面上。第一可選擇性電鍍環氧樹脂，覆蓋第一晶片並包含非導電的金屬複合物。第一圖案化線路層直接設置於第一可選擇性電鍍環氧樹脂的一表面上。第一導通孔直接設置於第一可選擇性電鍍環氧樹脂，以電性連接第一焊墊至第一圖案化線路層。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构，包括一第一芯片、一第一可选择性电镀环氧树脂、一第一图案化线路层以及复数个第一导通孔。第一芯片包括复数个第一焊垫、一主动表面以及相对主动表面的一背面，第一焊垫设置于主动表面上。第一可选择性电镀环氧树脂，覆盖第一芯片并包含非导电的金属复合物。第一图案化线路层直接设置于第一可选择性电镀环氧树脂的一表面上。第一导通孔直接设置于第一可选择性电镀环氧树脂，以电性连接第一焊垫至第一图案化线路层。

公开(公告)号：TWI634636B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW105129233

申请日：2016-09-09

Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN ,  賴威仁 ,  LAI, WEI-JEN

IPC: H01L23/52

公开(公告)号：TW201810551A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105118929

申请日：2016-06-16

Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

Abstract: 一種封裝結構包括基板、感測晶片、基座、導線架、複數個導通孔及圖案化線路層。基板包括元件設置區及複數個電極接點。感測晶片設置於元件設置區並經由圖案化線路層與電極接點電性連接。基座以接合面罩覆於基板上並包括容置凹槽、階梯部、延伸斜面及複數個電極。階梯部突出於容置凹槽的底面。延伸斜面由階梯部的頂面延伸至接合面。電極設置於接合面並分別與電極接點電性連接。感測晶片位於容置凹槽內。導線架分別設置於基座與基板。導通孔貫穿階梯部並電性連接至導線架。圖案化線路層設置於延伸斜面上以電性連接導通孔與電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包括基板、传感芯片、基座、导线架、复数个导通孔及图案化线路层。基板包括组件设置区及复数个电极接点。传感芯片设置于组件设置区并经由图案化线路层与电极接点电性连接。基座以接合面罩覆于基板上并包括容置凹槽、阶梯部、延伸斜面及复数个电极。阶梯部突出于容置凹槽的底面。延伸斜面由阶梯部的顶面延伸至接合面。电极设置于接合面并分别与电极接点电性连接。传感芯片位于容置凹槽内。导线架分别设置于基座与基板。导通孔贯穿阶梯部并电性连接至导线架。图案化线路层设置于延伸斜面上以电性连接导通孔与电极。

公开(公告)号：TWI563608B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW105118898

申请日：2016-06-16

Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

Inventor： 劉文俊 ,  LIU, WEN-CHUN

IPC: H01L23/14 ,  C08G59/20 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201601276A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW103121829

申请日：2014-06-24

Applicant: 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

Inventor： 黃志恭 ,  HUANG, CHIH KUNG ,  賴威仁 ,  LAI, WEI JEN ,  劉文俊 ,  LIU, WEN CHUN

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H05K1/0373 ,  H01L21/568 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L25/04 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/105 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種封裝基板結構包括可選擇性電鍍環氧樹脂、圖案化線路層、複數個金屬柱、複數個接墊及複數個導通孔。可選擇性電鍍環氧樹脂包括複數個凹穴、相對的第一表面及第二表面。凹穴設置於第一表面上且可選擇性電鍍環氧樹脂包含非導電的金屬複合物。金屬柱分別設置於凹穴內並突出於第一表面。圖案化線路層直接設置於第一表面，可選擇性電鍍環氧樹脂暴露圖案化線路層的上表面，此上表面低於第一表面或與第一表面共平面。接墊直接設置於第二表面上。導通孔設置於可選擇性電鍍環氧樹脂內以電性連接接墊至對應的金屬柱。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装基板结构包括可选择性电镀环氧树脂、图案化线路层、复数个金属柱、复数个接垫及复数个导通孔。可选择性电镀环氧树脂包括复数个凹穴、相对的第一表面及第二表面。凹穴设置于第一表面上且可选择性电镀环氧树脂包含非导电的金属复合物。金属柱分别设置于凹穴内并突出于第一表面。图案化线路层直接设置于第一表面，可选择性电镀环氧树脂暴露图案化线路层的上表面，此上表面低于第一表面或与第一表面共平面。接垫直接设置于第二表面上。导通孔设置于可选择性电镀环氧树脂内以电性连接接垫至对应的金属柱。

公开(公告)号：DE202014100619U1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE202014100619

申请日：2014-02-12

Applicant: IBIS INNOTECH INC

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L33/62

Abstract: Keramischer Schaltkreis (10), welcher umfasst ein Substrat (20) aus Aluminiumoxid (Al2O3) oder Aluminiumnitrid (AlN) mit einer äußeren Oberfläche (22) und einer Vertiefung (24), die von der äußeren Oberfläche (22) zurückversetzt ist, worin die Vertiefung (24) eine Boden-Oberfläche (242) aufweist, die mit einer Rauheit Ra von 1–20 μm, mehreren Scheiteln (242a) und mehreren Senken (242b) ausgestattet ist, worin die Scheitel (242a) im Wesentlichen in einer imaginären Ebene (P) angeordnet sind, die im Wesentlichen parallel von der äußeren Oberfläche (22) verläuft und davon in einer Entfernung von 1–100 μm beabstandet ist, und einen elektrisch leitenden Draht (30), der in der Vertiefung (24) des Substrats (20) eingebettet ist und eine obere Oberfläche (32) aufweist, die im Wesentlichen bündig ist mit der äußeren Oberfläche (22) des Substrats (20).

公开(公告)号：US10256180B2

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：US15461499

申请日：2017-03-17

Applicant: IBIS Innotech Inc.

Inventor： Wen-Chun Liu ,  Wei-Jen Lai

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L23/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H05K3/18 ,  H05K3/40 ,  H05K3/00 ,  H05K3/10 ,  H05K3/46

Abstract: A package structure includes a substrate, an insulator, a plurality of pads and a patterned circuit layer. The substrate includes a plurality of through holes. The insulator covers the substrate and is filled in the through hole. The conductive vias are located in the through holes and penetrate the insulator filled in the through holes. The pads are disposed on an upper surface and a lower surface of the insulator and electrically connected to the conductive vias. A bottom surface of each pad is lower than the top surface of the insulator. The patterned circuit layer is disposed on the top surface of the insulator and connected to the conductive vias and the pads. A bottom surface of the patterned circuit layer is lower than the top surface of the insulator.

公开(公告)号：US10090256B2

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：US15364185

申请日：2016-11-29

Applicant: IBIS Innotech Inc.

Inventor： Wen-Chun Liu ,  Wei-Jen Lai

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H05K1/03 ,  H05K3/18 ,  H05K3/40 ,  H05K1/11 ,  H05K3/00 ,  H05K3/10 ,  H05K3/46

Abstract: A semiconductor structure includes an insulating layer, a plurality of stepped conductive vias and a patterned circuit layer. The insulating layer includes a top surface and a bottom surface opposite to the top surface. The stepped conductive vias are disposed at the insulating layer to electrically connect the top surface and the bottom surface. Each of the stepped conductive vias includes a head portion and a neck portion connected to the head portion. The head portion is disposed on the top surface, and an upper surface of the head portion is coplanar with the top surface. A minimum diameter of the head portion is greater than a maximum diameter of the neck portion. The patterned circuit layer is disposed on the top surface and electrically connected to the stepped conductive vias.

公开(公告)号：US20170194241A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：US15461499

申请日：2017-03-17

Applicant: IBIS Innotech Inc.

Inventor： Wen-Chun Liu ,  Wei-Jen Lai

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/105 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674

Abstract: A package structure includes a substrate, an insulator, a plurality of pads and a patterned circuit layer. The substrate includes a plurality of through holes. The insulator covers the substrate and is filled in the through hole. The conductive vias are located in the through holes and penetrate the insulator filled in the through holes. The pads are disposed on an upper surface and a lower surface of the insulator and electrically connected to the conductive vias. A bottom surface of each pad is lower than the top surface of the insulator. The patterned circuit layer is disposed on the top surface of the insulator and connected to the conductive vias and the pads. A bottom surface of the patterned circuit layer is lower than the top surface of the insulator.

公开(公告)号：US20170077045A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：US15364185

申请日：2016-11-29

Applicant: IBIS Innotech Inc.

Inventor： Wen-Chun Liu ,  Wei-Jen Lai

IPC: H01L23/00 ,  H01L25/10 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/35121 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/113 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/105 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014

Abstract: A semiconductor structure includes an insulating layer, a plurality of stepped conductive vias and a patterned circuit layer. The insulating layer includes a top surface and a bottom surface opposite to the top surface. The stepped conductive vias are disposed at the insulating layer to electrically connect the top surface and the bottom surface. Each of the stepped conductive vias includes a head portion and a neck portion connected to the head portion. The head portion is disposed on the top surface, and an upper surface of the head portion is coplanar with the top surface. A minimum diameter of the head portion is greater than a maximum diameter of the neck portion. The patterned circuit layer is disposed on the top surface and electrically connected to the stepped conductive vias.

Abstract translation: 半导体结构包括绝缘层，多个阶梯形导电通孔和图案化电路层。 绝缘层包括顶表面和与顶表面相对的底表面。 阶梯状导电通孔设置在绝缘层处以电连接顶表面和底表面。 每个阶梯式导电通孔包括头部和连接到头部的颈部。 头部设置在顶表面上，头部的上表面与顶表面共面。 头部的最小直径大于颈部的最大直径。 图案化电路层设置在顶表面上并电连接到阶梯式导电通孔。