公开(公告)号：CN104760925A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410007410.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。

公开(公告)号：CN101897018B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880120715.3

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  桥本广和

IPC: H01L23/02 ,  H01L27/14 ,  H01L29/84 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00317 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置和其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：贴合工序，其将具有光透过性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以上述功能元件与上述第一基板相对的方式贴合；薄板化工序，其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化；以及贯通孔形成工序，其在上述第一基板和上述第二基板的贴合部的至少一部分，形成空腔和与该空腔连通的贯通孔。根据本发明，能够避免由空腔的有无引起的研削后的凹凸或裂纹的产生，能够使基板更均匀地薄板化。此外，能够以更简便的工序制造能够有助于器件和搭载有它们的电子设备的小型化的半导体装置。

公开(公告)号：CN101094804A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580015419.3

申请日：2005-03-15

Applicant: 佐治亚技术研究公司

Inventor： 保罗·A·科尔 ,  法鲁克·阿亚兹 ,  保罗·约瑟夫

IPC: B81C3/00 ,  B81C5/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0154 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的各实施例提供了用于制造微机电器件封装件的系统和方法。在结构上综合地讲，所述系统的实施例之一包括微机电器件，其形成在基底层上；以及热分解性牺牲结构，其保护微机电器件的至少一部分，其中牺牲结构形成在基底层上并且包围凹腔，以封闭微机电器件的有效表面。还提供了其它系统和方法。

公开(公告)号：CN1312754C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03125579.5

申请日：2003-09-12

Applicant: 希普雷公司

Inventor： M·K·加拉格尔 ,  D·A·格朗贝克 ,  T·G·亚当斯 ,  J·M·卡尔弗特

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24628 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了在固体结构中形成空气隙的方法。在该方法中，牺牲材料上覆盖了覆盖层。然后通过覆盖层除去牺牲材料，留下空气隙。这种空气隙尤其可用作诸如电互连结构的电子器件中的金属线之间的绝缘。本发明还提供了含有空气隙的结构。

公开(公告)号：CN1902297A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480039626.8

申请日：2004-11-30

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 米凯尔·B·科岑斯基 ,  托马斯·H·鲍姆 ,  埃利奥多·G·根丘 ,  许从应

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  H01L21/302

CPC classification number: B81C1/00936 ,  B08B7/0021 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明记载了从具有含硅牺牲层的微电子机械系统(MEMS)和其它半导体基片除去该牺牲层的方法和组合物。该蚀刻组合物包括超临界流体(SCF)、蚀刻剂物质、助溶剂和任选的表面活性剂。该蚀刻组合物克服了作为清洗剂的SCF的固有缺陷，即SCF的非极性特性及与其相关的不能溶解必须从半导体基片除去的极性物质。所得蚀刻后的基片相对于采用常规湿式蚀刻技术进行蚀刻的基片具有更低的粘滞发生。

公开(公告)号：CN1695233A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02826975.6

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。

公开(公告)号：CN1152267C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01145433.4

申请日：2001-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹容燮 ,  崔鎣

IPC: G02B1/04 ,  G02B6/26

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0108

Abstract: 本发明提供了一种用于制造微镜致动器的方法，所述方法能够通过层叠膜形的有机层简化对微镜进的行平面化处理。所述方法包括通过刻蚀在衬底上形成沟槽，在衬底上叠加一层膜形有机层，从而盖住但是不填充沟槽，使得沟槽保持是空的，并在膜形有机层上淀积并成形一个金属层，以及除去所述膜形有机层。按照本发明的制造方法，通过在包括沟槽的衬底上层叠膜形有机层使得微镜更容易地实现平面化，因而可以降低制造微镜致动器的成本。此外，通过增加微镜的平面度，可以增加微镜的反射率，因而提高光传输效率。

公开(公告)号：CN1495877A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03125579.5

申请日：2003-09-12

Applicant: 希普雷公司

Inventor： M·K·加拉格尔 ,  D·A·格朗贝克 ,  T·G·亚当斯 ,  J·M·卡尔弗特

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24628 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了在固体结构中形成空气隙的方法。在该方法中，牺牲材料上覆盖了覆盖层。然后通过覆盖层除去牺牲材料，留下空气隙。这种空气隙尤其可用作诸如电互连结构的电子器件中的金属线之间的绝缘。本发明还提供了含有空气隙的结构。

公开(公告)号：CN104760925B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410007410.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。

公开(公告)号：CN105492372A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480036535.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 迷你泵有限责任公司

Inventor： C·庞 ,  J·什 ,  F·蒋 ,  C·刘 ,  S·卡菲 ,  A·乌拉扎基

IPC: B81C1/00 ,  F04B43/00 ,  F04B45/04 ,  F15C5/00 ,  A61M5/142 ,  F16K99/00

CPC classification number: A61M5/14586 ,  A61M5/14276 ,  A61M2005/14204 ,  B29C59/14 ,  B29C2791/004 ,  B29K2023/00 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0108 ,  F04B43/0054 ,  F04B45/04 ,  F16K2099/008

Abstract: 一种可移除的材料用对应于在膜例如挠曲隔膜中的期望波纹的图案被沉积或以其它方式被施加至平坦的基底表面。所施加的材料充当施加在其上并且随后固化或硬化的聚合物材料的座，该聚合物材料被移除以形成成品波纹膜。