公开(公告)号：CN101385392A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005195.7

申请日：2007-03-20

Applicant: 沃福森微电子股份有限公司

Inventor： R·I·拉明 ,  M·贝格比

IPC: H04R19/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/004 ,  B81C2201/0109 ,  H04R7/10 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R2307/207 ,  Y10S977/733

Abstract: 一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄膜的影响。

公开(公告)号：CN101213142A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023771.6

申请日：2006-06-27

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·德克尔 ,  G·朗戈埃斯 ,  H·珀尔曼 ,  M·杜姆林

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

Abstract: 装置(100)包括具有第一表面和相反的第二表面(1，2)的半导体材料基板(10)、和微机电(MEMS)元件(50)，所述微机电元件设有固定电极和可动电极(52，51)，所述可动电极位于空腔(30)中。电极(51，52)中的一个电极限定在基板(10)中。可动电极(51)可在第一间隙位置和第二位置之间向着和从固定电极(52)移动。空腔(30)通过基板(10)中的孔(18)敞开，所述孔(18)暴露在基板(10)的第二表面(2)上。空腔(30)具有由基板(10)中的至少一个柱(15)限定的高度，所述至少一个柱侧向基本上环绕着空腔(15)。

公开(公告)号：CN100343949C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410069883.8

申请日：2004-07-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中谷忠司 ,  宫下勉

IPC: H01L21/00 ,  H01H11/00 ,  B81B5/00 ,  H01L29/00 ,  H01H59/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/0109

Abstract: 一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜，一活动接触电极以及一活动驱动电极，活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极的固定接触电极、以及一固定驱动电极，其与活动驱动电极一起用于产生静电力。该方法包括在衬底上制造牺牲层的步骤、在牺牲层上制造隔膜的步骤、以及通过隔膜介入蚀刻牺牲层的步骤，以便在衬底和隔膜之间牺牲层的剩余部分形成为支撑构件。

公开(公告)号：CN1856440A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027286.7

申请日：2004-09-21

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 冈直正 ,  原田宏 ,  荻原淳 ,  福岛博司 ,  野毛宏 ,  铃木裕二 ,  河野清彦 ,  吉原孝明 ,  铃村正彦

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0816 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/019 ,  G02B6/3516 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/355 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

Abstract: 一种用于制造包括固定地支撑在底座上的固定元件和可动地支撑在所述底座上的可动元件的微机电系统(MEMS)的方法。所述方法采用与下衬底分离的上衬底。所述上衬底在其顶层被选择性蚀刻以在其中形成多个柱，所述柱从所述上衬底的底层一起突出。所述柱包括将被固定到所述下衬底的所述固定元件和仅弹性地支撑于一个或多个所述固定元件以相对于所述固定元件可移动的所述可动元件。所述下衬底在其顶表面形成有至少一个凹陷。然后所述上衬底颠倒结合到所述下衬底的顶部，使得把所述固定元件直接设置在所述下衬底上，并把所述可动元件设置在所述凹陷上方。最后，除去所述上衬底的底层，以从所述底层释放所述可动元件，从而把所述可动元件浮置在所述凹陷上，并允许它们相对于所述下衬底移动，同时保持所述固定元件固定到所述下衬底的顶部。

公开(公告)号：CN1769992A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510105046.0

申请日：2005-09-26

Applicant: IDC公司

Inventor： 董明孝 ,  马尼什·科塔里 ,  威廉·J·卡明斯

IPC: G02F1/21 ,  G02B26/00 ,  B81C1/00 ,  G09G3/34

CPC classification number: B81C1/00174 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0181 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  G02B26/001

Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且被选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向凹陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。

公开(公告)号：CN1695233A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02826975.6

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。

公开(公告)号：CN1661769A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410069883.8

申请日：2004-07-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中谷忠司 ,  宫下勉

IPC: H01L21/00 ,  H01H11/00 ,  B81B5/00 ,  H01L29/00 ,  H01H59/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/0109

Abstract: 一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜，一活动接触电极以及一活动驱动电极，活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极的固定接触电极、以及一固定驱动电极，其与活动驱动电极一起用于产生静电力。该方法包括在衬底上制造牺牲层的步骤、在牺牲层上制造隔膜的步骤、以及通过隔膜介入蚀刻牺牲层的步骤，以便在衬底和隔膜之间牺牲层的剩余部分形成为支撑构件。

公开(公告)号：CN1370284A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN00811629.6

申请日：2000-08-01

Applicant: ADC电信股份公司

Inventor： N·张

IPC: G02B26/02 ,  H02N1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B6/26

CPC classification number: G02B6/357 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136 ,  G02B6/3514 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3544 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

Abstract: 提供了具有改善特性的一种基于MEMS的光学开关(100),以及用于制造该光学开关的方法。根据一个实施例,光学开关包括具有偏移梁结构(124)的单梳(122)驱动致动器(104)和与致动器耦合的镜(102)。镜能在插入在所述波导通道(106)间的伸展位置和远离所述波导通道的收缩位置之间移动。致动器施加力就能将梁结构偏移并将镜向伸展位置或收缩位置之一移动,并且在不施加力时,梁结构将镜返回到伸展位置或收缩位置中的另一位置。

公开(公告)号：CN1195190A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN98105197.9

申请日：1998-03-31

Applicant: 西门子公司

Inventor： 德克·托宾 ,  彼得·韦甘德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 一种半导体制造方法,包括:在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构;在其表面沉积流动性的牺牲材料,其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构;在第二结构表面沉积非牺牲材料,其与第二结构的表面形貌一致,非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面;选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料,以形成具有水平组件的第三结构,且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。

公开(公告)号：CN104050986B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201410086587.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 田伟 ,  V·R·印图瑞 ,  D·林 ,  H·殷 ,  邱教明

IPC: G11B5/60

CPC classification number: G11B5/3176 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  G03F7/0041 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/187 ,  G11B5/232 ,  G11B5/235 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163

Abstract: 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。