公开(公告)号：CN102629601B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210022462.4

申请日：2012-02-01

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： 邹泉波 ,  U·斯瑞达 ,  A·S·科尔卡 ,  X·应

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  B81B7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/035 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D17/007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种晶圆片结构，其包括第一晶圆片堆叠和配置在其上的第一粘接层。所述晶圆片结构还包括第二晶圆片堆叠，其包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。在所述第二表面上布置有第二粘接层，其与第一粘接层接触。所述第二晶圆片叠层包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)。在所述第一表面上布置有种子层，其与所述硅通孔接触。

公开(公告)号：CN101861281A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116149.9

申请日：2008-11-12

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： J-C·法卡布里诺 ,  M·韦拉尔多 ,  T·科尼斯 ,  J-P·蒂埃博 ,  J-B·彼德斯

IPC: B81C5/00 ,  C25D1/00 ,  G04B13/00

CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

Abstract: 本发明涉及一种结合有DRIE和LIGA工艺的制造硅-金属复合微机械部件的方法(1)。本发明还涉及一种微机械部件(51)，该微机械部件包括一个层，具有硅部分(53)和金属部分(41)，从而形成复合微机械部件(51)。本发明可用于钟表机芯领域。

公开(公告)号：CN106660782B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580047745.6

申请日：2015-07-06

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： P·斯迈斯

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

Abstract: 揭示一种提供CMOS‑MEMS结构的方法。本方法包含图型化MEMS致动器衬底上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属。MEMS致动器衬底与CMOS衬底各于其上包括氧化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器衬底及底座衬底上的各氧化层，利用第一接合步骤将MEMS致动器衬底的经图型化的第一顶端金属接合至底座衬底的经图型化的第二顶端金属。最后，本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器衬底，并且利用第二接合步骤将MEMS致动器衬底接合至MEMS握把衬底。

公开(公告)号：CN105712284B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410723696.0

申请日：2014-12-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0853

Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。

公开(公告)号：CN106105268A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480003818.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 歌尔股份有限公司

Inventor： 邹泉波 ,  王喆 ,  陶继方 ,  邱冠勋

IPC: H04R31/00 ,  H04R7/00 ,  H04R7/06 ,  H04R9/06

CPC classification number: H04R19/02 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0197 ,  H04R7/06 ,  H04R19/013 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2307/025 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种热双晶振膜的制作方法及MEMS扬声器，其中该方法包括以下步骤：对基板(1)热氧化以在该基板上获得绝缘层(2)，在绝缘层(2)上设置金属层(3)；在金属层(3)上设置保护层(4)；在保护层(4)上设置热双晶第一层(5)；在热双晶第一层(5)上设置热双晶第二层(6)；在金属层(3)上未设置保护层(4)的位置处设置金属连接层(7)，在基板(1)和绝缘层(2)上形成相对应的背洞(16)，并释放保护层(4)；释放保护层(4)后，热双晶第一层(5)和热双晶第二层(6)形成弯曲的热双晶振膜。利用该MEMS扬声器，能够解决生产成本高、振膜制作复杂以及扬声器音效不佳的问题。

公开(公告)号：CN105712284A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410723696.0

申请日：2014-12-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0853

Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。

公开(公告)号：CN101861281B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880116149.9

申请日：2008-11-12

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： J-C·法卡布里诺 ,  M·韦拉尔多 ,  T·科尼斯 ,  J-P·蒂埃博 ,  J-B·彼德斯

IPC: B81C5/00 ,  C25D1/00 ,  G04B13/00

CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

Abstract: 本发明涉及一种结合有DRIE和LIGA工艺的制造硅-金属复合微机械部件的方法(1)。本发明还涉及一种微机械部件(51)，该微机械部件包括一个层，具有硅部分(53)和金属部分(41)，从而形成复合微机械部件(51)。本发明可用于钟表机芯领域。

公开(公告)号：CN102629601A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210022462.4

申请日：2012-02-01

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： 邹泉波 ,  U·斯瑞达 ,  A·S·科尔卡 ,  X·应

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  B81B7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/035 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D17/007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种晶圆片结构，其包括第一晶圆片堆叠和配置在其上的第一粘接层。所述晶圆片结构还包括第二晶圆片堆叠，其包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。在所述第二表面上布置有第二粘接层，其与第一粘接层接触。所述第二晶圆片叠层包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)。在所述第一表面上布置有种子层，其与所述硅通孔接触。

公开(公告)号：EP3166883A4

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP15818451

申请日：2015-07-06

Applicant: INVENSENSE INC

Inventor： SMEYS PETER

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

Abstract: A method of providing a CMOS-MEMS structure is disclosed. The method comprises patterning a first top metal on a MEMS actuator substrate and a second top metal on a CMOS substrate. Each of the MEMS actuator substrate and the CMOS substrate include an oxide layer thereon. The method includes etching each of the oxide layers on the MEMS actuator substrate and the base substrate, utilizing a first bonding step to bond the first patterned top metal of the MEMS actuator substrate to the second patterned top metal of the base substrate. Finally the method includes etching an actuator layer into the MEMS actuator substrate and utilizing a second bonding step to bond the MEMS actuator substrate to a MEMS handle substrate.

公开(公告)号：EP3228583A1

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：EP15866031.6

申请日：2015-08-20

Applicant: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.

Inventor： JING, Errong

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0853

Abstract: A method for manufacturing a MEMS double-layer suspension microstructure comprises steps of: forming a first film body (310) on a substrate (100), and a cantilever beam (320) connected to the substrate (100) and the first film body (310); forming a sacrificial layer (400) on the first film body (310) and the cantilever beam (320); patterning the sacrificial layer (400) located on the first film body (310) to manufacture a recessed portion (410) used for forming a support structure (520), the bottom of the recessed portion (410) being exposed of the first film body (310); depositing a dielectric layer (500) on the sacrificial layer (400); patterning the dielectric layer (500) to manufacture a second film body (510) and the support structure (520), the support structure (520) being connected to the first film body (310) and the second film body (510); and removing the sacrificial layer (400) to obtain the MEMS double-layer suspension microstructure.

Abstract translation: 一种制造MEMS双层悬浮微结构的方法包括以下步骤：在衬底（100）上形成第一膜体（310）;以及连接到衬底（100）和第一膜体（100）的悬臂梁（320） 310）; 在所述第一膜体（310）和所述悬臂梁（320）上形成牺牲层（400）; 图案化位于第一膜体（310）上的牺牲层（400）以制造用于形成支撑结构（520）的凹陷部分（410），凹陷部分（410）的底部暴露于第一膜体 （310）; 在牺牲层（400）上沉积介电层（500）; 图案化介电层500以制造第二膜体510和支撑结构520，支撑结构520连接到第一膜体310和第二膜体510; 并去除牺牲层（400）以获得MEMS双层悬浮微结构。