光调制器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102472900A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080029876.9

    申请日:2010-07-09

    Abstract: 在各臂上具备子MZI的嵌套MZI调制器中,降低对来自子MZI的光信号的相对相位进行调整的相对相位调整部本身和相对相位调整部的驱动电路这两方的消耗电力。方式(1a)的复合集成型嵌套MZI调制器的结构如下:代替在母MZI中配置相对相位调整部而在各个子MZI内设置对上下两臂均施加方向与极化方向相同(或相反方向)的电场的偏置电极Bias90°和接地电极(参照图4B),设置于各个子MZI的偏置电极Bias90°和接地电极整体构成相对相位调整部。这种相对相位调整部能够对子MZI的上下臂波导的光信号分别赋予同方向的相位变化,因此从光信号的角度来看与在子MZI输出之后接受相位变化(参照图1A)是等价的。

    Quantum-confined Stark effect quantum-dot optical modulator
    15.
    发明公开
    Quantum-confined Stark effect quantum-dot optical modulator 审中-公开
    Optischer Modulator mit Quantenpunkt-begrenztem Stark-Effekt

    公开(公告)号:EP1416316A1

    公开(公告)日:2004-05-06

    申请号:EP03255545.0

    申请日:2003-09-05

    Abstract: A quantum-confined Stark effect quantum-dot optical modulator (115) includes an interferometer (130) having a beam splitter (135), first and second parallel optical branches (140a,140b) fed by the beam splitter (135) and a beam combiner (145) fed by the first and second parallel optical branches and a laser (110) for feeding a laser beam to the beam splitter. First and second optical phase shifters (150a,150b) are provided in respective ones of the first and second parallel optical branches. Each optical phase shifter includes an intrinsic semiconductor crystalline planar layer and p-type and n-type planar semiconductor layers on opposite faces of the intrinsic semiconductor crystalline planar layer, the intrinsic layer lying in a plane parallel to a direction of propagation of the laser beam in the respective optical branch. The intrinsic layer has plural layers of planar arrays of quantum dots therein. A reverse bias D.C. voltage source (320,325) is connected across the p-type and n-type layers.

    Abstract translation: 在每个光学移相器(150a,150b)的相对面上具有p型和n型平面半导体层的本征半导体晶体平面层具有量子点的平面阵列,并且位于平行于激光束传播方向的平面中。 一对调制源极端子跨过p型和n型层连接的反向偏压直流(DC)电压源(320,325)。 光学移相器还包括独立权利要求。

    Semiconductor Mach-Zehnder modulator
    16.
    发明公开
    Semiconductor Mach-Zehnder modulator 失效
    马赫 - 曾德尔调制器的半导体

    公开(公告)号:EP0881526A3

    公开(公告)日:2000-04-26

    申请号:EP98109543.3

    申请日:1998-05-26

    Inventor: Shimizu, Junichi

    CPC classification number: G02F1/2257 G02F2201/126

    Abstract: A semiconductor Mach-Zehnder modulator comprises a pair of phase modulator arm waveguides (8A-1, 8A-2) for a push-pull modulation. A first electrode (13-1) connected to p-type cladding layer (4-1) of modulator arm (8A-1) is maintained at a negative potential V π , a second electrode (13-2) connected to n-type cladding layer (2-1a) of modulator arm (8A-1) and p-type cladding layer (4-2) of modulator arm (8A-2) is driven by a drive voltage, and a third electrode (13-3) connected to n-type cladding layer (2a-2) of modulator arm (8A-2) is maintained at a ground potential. The drive voltage changes between V π , and V π/2 for push-pull modulation by both modulator arms (8A-1, 8A-2).

    Séparateur de polarisations pour lumière guidée
    17.
    发明公开
    Séparateur de polarisations pour lumière guidée 失效
    PolarisationsteilerfürWellenleiterlicht。

    公开(公告)号:EP0442802A1

    公开(公告)日:1991-08-21

    申请号:EP91400347.0

    申请日:1991-02-12

    Applicant: FRANCE TELECOM

    Inventor: Riviere, Luc

    CPC classification number: G02F1/3136 G02F2001/0144 G02F2201/126 G02F2202/20

    Abstract: Ce séparateur est par exemple réalisé sur LiNbO₃:Ti en coupe X, propagation Z et comprend, en série, un embranchement en Y passif (66), un déphaseur actif (68) et un coupleur directif actif (70), indépendant de la polarisation, apte à constituer un coupleur 3 dB. Ainsi, lorsqu'on envoie à l'entrée de l'embranchement en Y une onde lumineuse et que le coupleur constitue un coupleur 3dB, on obtient les modes TM et TE de l'onde d'entrée respectivement aux sorties du coupleur en polarisant convenablement le déphaseur.
    Application aux capteurs à fibres optiques et à la transmission cohérente d'informations par fibres optiques monomodes.

    Abstract translation: 该分路器例如形成在X区段中的LiNbO 3:Ti上,Z传播,并且包括无源Y叉(66),有源移相器(68)和有源定向耦合器(70),独立于 极化,能够构成3dB耦合器。 因此,当光波被发送到Y叉的输入端并且耦合器构成3dB耦合器时,输入波的TM和TE模式分别通过适当的偏振移相器在耦合器的输出处获得。 ... <?>应用于光纤传感器以及通过单模光纤相干传输数据。 ... ...

    光変調回路
    18.
    发明专利
    光変調回路 有权
    光调制电路

    公开(公告)号:JPWO2014050123A1

    公开(公告)日:2016-08-22

    申请号:JP2014538195

    申请日:2013-09-26

    Abstract: 本発明の目的は、光電界応答の非線形性が抑圧された光変調回路を提供することにある。本発明の光変調回路は、第1の出力ポート及び第2の出力ポートを有し、主信号によりプッシュプル駆動される第1のマッハツェンダ変調部と、第1のマッハツェンダ変調部の第1の出力ポートに接続され、補正信号によりプッシュプル駆動される第2のマッハツェンダ変調部と、第2のマッハツェンダ変調部の出力ポートから出力された光信号と、第1のマッハツェンダ変調部の第2の出力ポートから出力された光信号とを光強度結合比r:1−rで結合する非対称光結合部とを備え、第1の出力ポートから非対称光結合部に至る光路長と第2の出力ポートから非対称光結合部に至る光路長とがほぼ等しいことを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种光电场响应的光调制电路的非线性被抑制。 本发明的光调制电路具有第一输出端口和第二输出端口,第一马赫 - 曾德调制器部分,其是推挽由主信号驱动时,第一马赫 - 曾德调制器部分的第一输出 它被连接到端口,第二马赫 - 曾德调制器部分,其是推挽由校正信号驱动时,来自第二马赫 - 曾德调制器部的输出端口输出的光信号,所述第一马赫 - 曾德调制器部分的第二输出端口 从R输出的光信号的光强耦合比:1-R一非对称光耦合部,用于与光路长度到达耦合从所述第一输出端口从所述第二输出端口的非对称光耦合部和非对称 的光路长度到达光学耦合部等于或基本相等。

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