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公开(公告)号：CN1050438C
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN94117865.X
申请日：1994-10-05
Applicant: 株式会社金星社
Inventor： 金永九
CPC classification number: H01J1/28
Abstract: 本发明涉及阴极射线管的浸渍型阴极，该阴极可在低温850～950℃中使用，甚至在高的电流密度中有长的寿命和可靠性。该阴极射线管的浸渍型阴极包括其内部浸渍了电子发射材料的多孔阴极块，该多孔阴极块表面上有W-Sc(或W-SC2O3)层，并且在W-Sc(或W-SC2O3)层上有由稀土金属Ir、Os、Ru和Re中的至少一种形成的合金层。
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公开(公告)号：CN1019246B
公开(公告)日：1992-11-25
申请号：CN88107957
申请日：1988-11-14
Applicant: 菲利浦光灯制造公司
Inventor： 简·哈斯卡 , 雅各布斯·爱德华达斯·克罗姆比恩 , 安敦·卡雷尔·尼森 , 亨利卡斯·约翰内斯·胡伯达斯·史托费伦
CPC classification number: H01J1/28
Abstract: 通过至少给钪酸盐阴极的基质的顶层提供呈现钪离析现象的合金或化合物而能够达到在离子轰击以后令人满意地恢复具有高的电子发射率的阴极的目的。
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公开(公告)号：CN1050946A
公开(公告)日：1991-04-24
申请号：CN90108415.8
申请日：1990-10-10
Applicant: 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
CPC classification number: H01J1/28
Abstract: 在一种具有一强发射阴极(1)、一阳极(4)和至少一个介于阴极(1)与阳极(4)之间的独立第一栅极(2)的电子管中，该阴极(1)具有强发射区和最弱发射区(分别为7.1，7.2，7.3和8)。强发射区(7.1，7.2，7.3)配置在第一栅极孔后面，最弱发射区(8)相当于毗邻阴极(1)的第一栅极(2)在阴极(1)上投下的阴影。
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公开(公告)号：CN106041069A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366220.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01J9/04 , B22F3/105 , B22F9/026 , B22F9/22 , B22F9/30 , B22F2003/1054 , B22F2998/10 , C22B34/36 , H01J1/28 , H01J19/22 , H01J35/06 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2999/00 , B22F2202/11
Abstract: 一种基于微波烧结的压制型含钪扩散阴极制备方法，属于稀土难溶金属阴极材料技术领域。将各种硝酸盐和偏钨酸氨溶于等离子水，制成均匀混合溶液，利用喷雾干燥得到颗粒均匀的前驱体粉末；然后前驱体粉末经过分解、二次还原得到元素均匀分布的掺杂钨粉；最后利用微波烧结的方法经过一次烧结制备阴极。最终实现阴极烧结一次成型，烧结收缩比显著降低，大幅减少烧结时间，结构均一，重复性好，并且在950℃具有优良发射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703162B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280038617.1
申请日：2012-07-31
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
CPC classification number: H01J1/142 , C23C14/082 , C23C14/3414 , H01J1/28 , H01J23/04
Abstract: 本发明涉及钡‑钪酸盐扩散阴极或其它钡‑钪酸盐材料的制作的领域。氧化钪(钪氧化物)含量越高时，含有BaO、CaO、Al2O3和SC2O3的混合物的靶(66)趋于更稳定。然而，增加的氧化钪含量导致降低的发射能力。BaO和CaO反应的失稳效应被更为惰性的SC2O3以及另外的AI2O3成份抵消，因为不仅增加的氧化钪含量使该材料稳定，而且增加的氧化铝(铝氧化物)含量提高稳定性。
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公开(公告)号：CN100418175C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN02824054.5
申请日：2002-11-29
Applicant: 汤姆森许可贸易公司
IPC: H01J1/28
CPC classification number: H01J1/28
Abstract: 一种针对真空管的浸渍阴极，包括利用碱土金属混合物浸渍的多孔片状器件(11)形式的发射部分；将所述片状器件放置在盘(12)中，所述盘(12)由难熔金属制成并覆盖有形成了阴极的发射表面的多孔金属薄片(13)。而且，所述片状器件具有位于严重浸渍区域和未浸渍或弱浸渍的区域(10)之间的分离表面(18)，所述分离表面是凹入的，并且具有位于金属薄片和严重浸渍区域之间的至少一个中空部分。利用该分离表面的形状，提高了阴极的寿命。
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公开(公告)号：CN1830051A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480007122.8
申请日：2004-02-13
Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司
Inventor： 皮特·克鲁特 , 斯蒂恩·W·H·K·斯蒂恩布林克
IPC: H01J1/28
CPC classification number: H01J37/065 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/28 , H01J37/3177 , H01J2237/3175 , H01J2237/31754 , H01J2237/31774
Abstract: 一种储备式阴极，其包括发射表面，当被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔，和至少一个用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面的通道，所述发射表面包括至少一个发射区域和至少一个非发射区域，该非发射区域涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域，所述非发射区域包括至少一个通道，该通道连接所述储腔和所述非发射区域，并在距离发射区域扩散长度的范围内开口，以便允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。
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公开(公告)号：CN1404615A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN01805318.1
申请日：2001-12-26
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今林大智
CPC classification number: H01J1/28 , H01J9/047 , Y10T29/49002
Abstract: 一种浸渍型阴极结构及制造该结构的方法，该阴极结构能够不利用插入件而牢固将多孔基体金属连接到帽体上并能够通过消除出现有缺陷焊接而提高多孔基体金属和帽体之间的焊接可靠性和生产率，该浸渍型阴极结构包括浸渍以发射材料的多孔基体金属(11)和使得多孔基体金属(11)的表面暴露出来并固定多孔基体金属(11)以便覆盖其底面和侧面的帽体(12)，其中，非多孔致密部分(14)形成在多孔基体金属(11)的底面上，紧密配合区域(16)通过沿着致密部分(14)的外形压变形帽体(12)的底部而形成，且帽体(12)的底部在该紧密配合区域(16)内焊接到多孔基体金属(11)的致密部分(14)上。
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