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公开(公告)号：CN101065820A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040587.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J2201/30457
Abstract: 将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
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公开(公告)号：CN1287413C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03114069.6
申请日：2003-03-26
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射显示器。该显示器包括阴极，阳极，位于阴极与阳极间的栅极，用作场发射单元的碳纳米管阵列和栅极与阴极间的绝缘层，该碳纳米管一个端面与阴极电性相连，其特征在于该碳纳米管阵列的另一端面与绝缘层的靠近栅极的端面基本位于同一平面，在绝缘层与栅极之间还包括一绝缘介质膜。本发明的场发射显示器具有较低的栅极启动电压，用于发射电子的碳纳米管具有大面积高度一致均匀性，而且发射端面不含有催化剂颗粒或无定性碳等杂质，也不会含有杂乱分布的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1287404C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN00814092.8
申请日：2000-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01J31/12 , H01J61/067
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30469 , Y10S977/939
Abstract: 提供可以以低动作电压得到大的动作电流，且电子发射特性稳定的电子发射器件、利用该器件的电子源、图象显示装置和可以用少的工序低价制作上述的电子发射器件的制造方法。该电子发射器件，在支持部件上至少配置有第1电极和冷阴极构件，其特征在于：上述冷阴极构件的结构为在上述第1电极上配置了第2粒子群，并从其上方把第1粒子群配置在上述第2粒子群上，上述第1粒子是棒状、柱状、筒状、针状、四足状或平板状的导电性粒子，上述第2粒子是导电性粒子，上述第2粒子以相对于上述第1电极成一角度而不是水平地对上述第1粒子进行姿势限制。
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公开(公告)号：CN1282982C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN02150222.6
申请日：2002-11-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。
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公开(公告)号：CN1647227A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808832.0
申请日：2003-03-06
Applicant: 宋简民
Inventor： 宋简民
IPC: H01J1/62
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30457
Abstract: 一种当输入足够量的能量时能够在真空中发射电子的无定形金刚石材料(5)。该材料可以利用组成和几何方面，以便使电子输出达到最大而使所需能量输入达到最小。在一方面，无定形金刚石材料可以包括至少90％的碳原子，其中至少大约30％的这种碳原子以扭曲四面体构型结合。此外，材料可以配置有具有从大约10到大约10,000纳米的粗糙高度(20)的发射表面。多种能量类型可以单独地或者结合地使用，以促进电子流动，例如热能，光能，和感生电场能。无定形金刚石材料可以包括到多种真空型设备中，例如开关，激光二极管，发电机和冷却设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1405823A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02141665.6
申请日：2002-09-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/3048 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供用电子发射元件特性良好，耐久性高，在面内能够实现均匀的电子发射的碳纤维的电子发射元件，电子源，图象显示装置，该电子发射元件的制造方法和用该电子发射元件的电子源和图象显示装置的制造方法。本发明的特征是在用多个碳纤维的电子发射元件中，多个碳纤维的平均直径在10nm以上100nm以下的范围内，直径分布的标准偏差在平均直径的30％以下。
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公开(公告)号：CN1378700A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814092.8
申请日：2000-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01J31/12 , H01J61/067
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30469 , Y10S977/939
Abstract: 目的在于提供可以以低动作电压得到大的动作电流,且电子发射特性稳定的电子发射器件、利用该器件的电子源、图象显示装置和可以用少的工序低价制作上述的电子发射器件的制造方法。为了实现该目的,用由用来向空间内发射电子的第1粒子和处于上述第1粒子的附近且限制上述第1粒子的姿势的第2粒子构成的混成粒子构成冷阴极构件。在该构成中,优选的是电子发射效率第1粒子比第2粒子高,第2粒子是具有导电性的粒子。
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公开(公告)号：CN1881512B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200610084157.2
申请日：2006-04-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J2201/30469
Abstract: 一种显示装置和制造该显示装置的方法。电子发射体涂覆有金属氧化物纳米颗粒。显示装置包括电子发射体。电子发射体具有碳颗粒和金属氧化物颗粒。碳颗粒具有表面并且至少一部分金属氧化物颗粒形成在至少一部分碳颗粒表面上。当将具有涂覆外壁的碳纳米管用在电子发射体上时，电子发射发生在碳纳米管尖端和涂覆外壁，这使得当相邻的碳纳米管开始相互接触时，基于涂覆颗粒而增大电子发射区域并提高碳纳米管的传导率。
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公开(公告)号：CN101569529A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910139337.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列，以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256)，各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260)，它与多个发射体元件和多个引出栅格连接，使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中，电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号：CN100446154C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200480022995.6
申请日：2004-06-09
Applicant: 宋健民
Inventor： 宋健民
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/30457
Abstract: 本发明提供了一种无晶钻石电子发生器具有一至少部分被无晶钻石材料(5)覆盖的阴极(25)，和一结合在该阴极(25)和一阳极间(30)的中间构件(55)。该无晶钻石材料(5)包括至少大约90%的碳原子，该碳原子中有至少大约20%键结在扭曲四面体中。无晶钻石被覆层(5)有一与阴极(25)的一基板相接触的能量输入表面(10)，和一与该能量输入表面相对的一电子发射表面(15)。该电子发射表面(15)的粗糙度为大约10至大约1，000nm，且当一充足的能量输入时能够发射电子。该中间构件(55)能够被耦合至该无晶钻石被覆层(5)的电子发射表面(15)，以致于该中间构件(55)的材料的热传导率低于大约100W/mK及电阻率在20℃时低于大约80μΩ-cm。该无晶钻石电子发生器是一种具有改进电子发射特性的热电子发射设备。
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