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公开(公告)号:CN1059050C
公开(公告)日:2000-11-29
申请号:CN94101129.1
申请日:1994-01-25
Applicant: 摩托罗拉公司
Inventor: 詹姆斯·E·贾斯基
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/30457
Abstract: 本发明涉及一种由一层具有金刚石键结构的类金刚石碳组成的电子发射体,这种结构在发射位置带有电活性缺限。电活性缺陷的作用类似于一个功函数很低、具有改善了的电流特性(包括改善了的饱和电流)的很薄的电子发射体。
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公开(公告)号:CN1134754A
公开(公告)日:1996-10-30
申请号:CN94194049.7
申请日:1994-10-26
Applicant: 微电子及计算机技术公司
IPC: G03C5/16 , G03C5/56 , G03C5/58 , H01J9/12 , H01L21/465 , H01L21/475
CPC classification number: H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30457
Abstract: 一种制作显示器阴极的方法,它包括邻接着一个基底的一个表面形成一个导电线。邻接着该导电线的一个选定部分形成一个非晶态金刚石区。图示为一个二极显示器单元(10)的截面图,其有两个主要部件:阴极板(12)和阳极板(14)。用密封剂(16)保持这两个板之间的真空。有规则地分布的一些小柱(26)把阴极板(12)和阳板(14)隔开。沿着设置在基底(18)上的一些导电线(20)的各个非晶态金刚石层形成多个低有效功函数的发射区(24)。一个发光材料层(34)沿着设置在基底(28)上的透明导电线(30)形成。扩大的引垫或引头(32)使得可以和一个外部信号源相连接。
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公开(公告)号:CN1023162C
公开(公告)日:1993-12-15
申请号:CN91104164.8
申请日:1991-06-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 史蒂文·M·齐默尔曼
CPC classification number: H01J9/025 , H01J21/105 , H01J2201/30457 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要满足几种特定三维结构的要求:即税利的场发射尖端、真空环境中在控制栅极结构内的该尖端精确对准,以及用于收集由尖端发射出的电子的阳极。最终制得的集成真空微电子器件还可以与其它类似的VMD器件或其它器件相连。
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公开(公告)号:CN100446154C
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200480022995.6
申请日:2004-06-09
Applicant: 宋健民
Inventor: 宋健民
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/30457
Abstract: 本发明提供了一种无晶钻石电子发生器具有一至少部分被无晶钻石材料(5)覆盖的阴极(25),和一结合在该阴极(25)和一阳极间(30)的中间构件(55)。该无晶钻石材料(5)包括至少大约90%的碳原子,该碳原子中有至少大约20%键结在扭曲四面体中。无晶钻石被覆层(5)有一与阴极(25)的一基板相接触的能量输入表面(10),和一与该能量输入表面相对的一电子发射表面(15)。该电子发射表面(15)的粗糙度为大约10至大约1,000nm,且当一充足的能量输入时能够发射电子。该中间构件(55)能够被耦合至该无晶钻石被覆层(5)的电子发射表面(15),以致于该中间构件(55)的材料的热传导率低于大约100W/mK及电阻率在20℃时低于大约80μΩ-cm。该无晶钻石电子发生器是一种具有改进电子发射特性的热电子发射设备。
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公开(公告)号:CN1836303A
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN200480022995.6
申请日:2004-06-09
Applicant: 宋健民
Inventor: 宋健民
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/30457
Abstract: 本发明提供了一种无晶钻石电子发生器具有一至少部分被无晶钻石材料(5)覆盖的阴极(25),和一结合在该阴极(25)和一阳极间(30)的中间构件(55)。该无晶钻石材料(5)包括至少大约90%的碳原子,该碳原子中有至少大约20%键结在扭曲四面体中。无晶钻石被覆层(5)有一与阴极(25)的一基板相接触的能量输入表面(10),和一与该能量输入表面相对的一电子发射表面(15)。该电子发射表面(15)的粗糙度为大约10至大约1,000nm,且当一充足的能量输入时能够发射电子。该中间构件(55)能够被耦合至该无晶钻石被覆层(5)的电子发射表面(15),以致于该中间构件(55)的材料的热传导率低于大约100W/mK及电阻率在20℃时低于大约80μΩ-cm。该无晶钻石电子发生器是一种具有改进电子发射特性的热电子发射设备。
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公开(公告)号:CN1712351A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200510079459.6
申请日:2005-06-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469
Abstract: 具有优良特性的碳纤维非常均匀地形成在衬底上。提供一种制造碳纤维的方法,包括如下步骤:将由第一催化剂材料和包含第二催化剂材料的颗粒形成的层状体设置在衬底上,使第一和第二催化剂材料之间进行反应以从其中形成催化剂颗粒,以及使由此获得的催化剂颗粒和碳纤维的原材料之间进行反应。结果,在衬底上形成了碳纤维。
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公开(公告)号:CN1146002C
公开(公告)日:2004-04-14
申请号:CN00105457.0
申请日:1995-10-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射阴极包括:一个导电膜;形成在该导电膜上的一个n型半导体膜;形成在该n型半导体膜上的多个岛状p型半导体膜,及与导电膜对置的一个阳极并在这两者之间设有真空,其中利用在阳极及该多个p型半导体膜之间施加一电压使电子发射。
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公开(公告)号:CN1423823A
公开(公告)日:2003-06-11
申请号:CN01808080.4
申请日:2001-02-16
Applicant: 富勒林国际公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469 , Y10S977/745 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及用金刚石碳或类金刚石碳涂覆的纳米管,包括该纳米管的场致发射体阴极以及包括阴极的场致发射体。还涉及通过用金刚石或类金刚石涂覆纳米管阻止碳从包含纳米管组成阴极的场致发射体汽化的方法。在另一方面,本发明涉及阻止碳从包含纳米管组成阴极的电子场致发射体汽化的方法,该方法包括用金刚石或类金刚石涂覆的纳米管。
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公开(公告)号:CN1181607A
公开(公告)日:1998-05-13
申请号:CN97120094.7
申请日:1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括:场致发射体,由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成,并有其末端是氢的表面;和密封管壳,装有金刚石场致发射体。利用氢的末端,可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外,把氢密封在密封管壳内。由于这种结构,金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定,并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号:CN1140510A
公开(公告)日:1997-01-15
申请号:CN95191530.4
申请日:1995-02-14
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30457
Abstract: 本文披露了一种场致电子发射体,包括由至少一种金刚石、类金刚石碳或玻璃状碳的复合纤维构成的电极,所说的复合纤维具有非金刚石核和在所说非金刚石核上的金刚石、类金刚石碳或玻璃状碳的涂层,以及使用这种场致电子发射体的电子器件。
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