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公开(公告)号：CN101635245B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910147042.7
申请日：2004-04-23
Applicant: CXR有限公司
CPC classification number: H01J35/06 , H01J35/04 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 本发明涉及一种X射线管电子源。该X射线管包括包围在抑制器(14、16)中的发射器线(18)。提取栅格包括垂直于发射器线延伸的一些平行线(20)，聚焦栅格包括平行于栅格线(20)并以与栅格线(20)相等的间隔被隔开的一些线(22)。栅格线通过开关被连接到正提取电势或者负抑制电势，并且开关被控制从而在任何时间一对相邻的栅格线(22)被一起连接以形成产生电子束的提取对。通过将不同的栅格线对切换到提取电势，束的位置被移动。
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公开(公告)号：CN102222593A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110042140.1
申请日：2011-02-14
Applicant: 通用电气公司
Inventor： S·莱迈特雷
CPC classification number: H01J35/06 , H01J2235/068 , H05G1/34
Abstract: 提供分段式热离子发射体(68)。该分段式热离子发射体(68)除其他特征外还具有大致上跨越该分段式热离子发射体(68)的整个长度并且大致上互相平行排列的多个片段(80、96、98)。在一个实施例中，该分段式热离子发射体(68)可允许在小于大约2kV的电压的X射线管(58)的毫安调制。
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公开(公告)号：CN102209494A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144193.5
申请日：2009-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G21K1/04 , A61B6/06 , A61B6/4007 , A61B6/4405 , A61B6/4441 , A61B6/587 , G21K1/046 , H01J2235/068
Abstract: X射线成像设备，该设置有多X射线源和准直器，在该准直器中，二维形成供X射线通过的多个狭缝，狭缝的尺寸和位置是可调整的。作为第一控制模式，在X射线源改变为不同的X射线源时，控制单元控制狭缝的尺寸和位置以平行地移动检查区域，使得检查方向在改变前后是平行的。并且，作为第二控制模式，在X射线源改变为不同的X射线源时，控制单元控制狭缝的尺寸和位置以旋转检查方向，使得检查区域的中心在改变前后是相同的。
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公开(公告)号：CN1795527B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200480014206.4
申请日：2004-04-23
Applicant: CXR有限公司
IPC: H01J35/06
CPC classification number: H01J35/06 , H01J35/04 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 一种X射线管，包括包围在抑制器(14、16)中的发射器线(18)。提取栅格包括垂直于发射器线延伸的一些平行线(20)，聚焦栅格包括平行于栅格线(20)并以与栅格线(20)相等的间隔被隔开的一些线(22)。栅格线通过开关被连接到正提取电势或者负抑制电势，并且开关被控制从而在任何时间一对相邻的栅格线(22)被一起连接以形成产生电子束的提取对。通过将不同的栅格线对切换到提取电势，束的位置被移动。
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公开(公告)号：CN101635245A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910147042.7
申请日：2004-04-23
Applicant: CXR有限公司
CPC classification number: H01J35/06 , H01J35/04 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 本发明涉及一种X射线管电子源。该X射线管包括包围在抑制器(14、16)中的发射器线(18)。提取栅格包括垂直于发射器线延伸的一些平行线(20)，聚焦栅格包括平行于栅格线(20)并以与栅格线(20)相等的间隔被隔开的一些线(22)。栅格线通过开关被连接到正提取电势或者负抑制电势，并且开关被控制从而在任何时间一对相邻的栅格线(22)被一起连接以形成产生电子束的提取对。通过将不同的栅格线对切换到提取电势，束的位置被移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100570804C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200480011228.5
申请日：2004-04-23
Applicant: CXR有限公司
IPC: H01J35/08
CPC classification number: H01J35/08 , H01J2235/068 , H01J2235/08
Abstract: 一种用于X射线管的阳极由两部分形成：主件(18)和校准部分(22)。主件(18)具有在其上形成的目标区域(20)。这两部分在它们之间限定电子孔(36)和X射线孔(38)，电子穿过该电子孔(36)到达目标区域(20)，并且在目标产生的X射线通过X射线孔(38)离开阳极。阳极产生至少一个产生的X射线束的第一校准阶段。
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公开(公告)号：CN101352353A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810215733.1
申请日：2003-01-09
Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学
CPC classification number: H01J35/14 , A61B6/032 , A61B6/4028 , B82Y10/00 , H01J35/065 , H01J35/22 , H01J2201/30469 , H01J2235/064 , H01J2235/068 , H05G1/34
Abstract: 一种用于产生x射线的结构具有多个固定的且单个地电可寻址的场致发射电子源(402)，其具有包括场致发射材料的基片，诸如碳纳米管。以预定的频率电切换场致发射电子源以可编程的序列朝着靶上的入射点发射电子。产生的x射线频率上和位置上相应于场致发射电子源。大区域靶(404)和发射器(402)的阵列或者矩阵可以从不同的位置和/或角度来成像物体(416)，而不移动物体或者结构(400)，以及可以产生三维图像。该x射线系统适于各种应用，包括工业检查/质量控制、分析仪器、诸如机场安全检查系统之类的安全系统，以及诸如计算机断层之类的医学成像。
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公开(公告)号：CN1933091A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610137516.6
申请日：2006-09-12
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J35/16 , H01J35/26 , H01J35/305 , H01J2235/062 , H01J2235/066 , H01J2235/068 , H01J2235/1006 , H01J2235/162
Abstract: 本发明涉及一种X射线发射器，包括下述部件：真空外壳(1)，其可围绕轴线(3)转动；阳极(5)，其发射X射线束(29)；阴极(11)，其在由激光束(19)照射时热离子发射电子；绝缘器，其为真空外壳(1)的一部分，且将阴极(11)和阳极(5)隔开；用于在阳极(5)和阴极(11)之间施加高压的设备，该设备用于在形成电子束(11)的情况下朝向阳极(5)加速所发射的电子；用于使真空外壳(1)围绕其轴线(3)旋转(35)的设备；用于冷却X射线发射器的部件的介质；和用于把来自设置在真空外壳(1)的外面的固定的源(17)的激光束(19)对准和聚焦在阴极(11)上的空间上固定的激光烧灼点(21)的设备(18)。
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公开(公告)号：CN108781496A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019034.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
CPC classification number: H05G1/32 , H01J2235/068 , H05G1/58 , H05G1/70
Abstract: 本发明涉及一种用于生成X射线的装置。描述了利用电源(40)在至少一个阴极(20)与阳极(30)之间产生(210)至少两个电压，其中，所述至少两个电压包括第一电压和第二电压。所述至少一个阴极被相对于阳极定位。从所述至少一个阴极发射(220)电子。从所述至少一个阴极发射的电子以对应于所述至少两个电压的能量与所述阳极相互作用(230)。从所述阳极生成(230)X射线，其中，所述电子与所述阳极相互作用以生成所述X射线。当所述电源产生所述第一电压时生成第一X射线，当所述电源产生所述第二电压时生成第二X射线。制所述电源(250)，使得所述第一X射线与所述第二X射线之间的比率是可控的。
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公开(公告)号：CN107591299A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710545817.0
申请日：2017-07-06
Applicant: 泰勒斯公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J1/15 , H01J1/312 , H01J21/105 , H01J23/04 , H01J2201/30423 , H01J2201/30434 , H01J2235/068
Abstract: 本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A)，所述阴极具有平面结构，所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1)，所述基底包括导电材料，所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘，所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面，所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件，从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。
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