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    基板処理装置及び半導体装置の製造方法
    11.
    发明申请
    基板処理装置及び半導体装置の製造方法 审中-公开
    基板处理装置及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2015011829A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：PCT/JP2013/070342

    申请日：2013-07-26

    Applicant: 株式会社日立国際電気

    Inventor： 坪田　康寿 ,  和田　優一 ,  亀田　賢治 ,  檜山　真

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/677

    CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L27/10852

    Abstract: 【課題】基板面内において、高い選択性を有するエッチングを実現する。 【解決手段】　上記課題を解決するために、少なくともシリコンを含有する第一の膜と、前記第一の膜よりもシリコン含有率が少ない第二の膜とが形成された基板が載置される載置部と、前記載置部が設けられた処理容器と、前記基板へエッチングガスを供給するガス供給系と、前記エッチングガスを前記基板と接触する間、前記第二の膜のエッチング速度よりも前記第一の膜のエッチング速度が高くなるよう前記基板の温度を制御する温度制御部と、　前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、を有する基板処理装置を提供する。

    Abstract translation: [问题]实现在基板表面具有高选择性的蚀刻。 [解决方案]为了解决上述问题，提供了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：放置部，其将形成有至少含有硅的第一膜和具有较低硅含量的第二膜的基板 比第一部电影; 设置有所述放置部的处理容器; 用于向基板供给蚀刻气体的气体供给系统; 温度控制器，用于控制基板的温度，使得蚀刻第一膜的速度高于蚀刻气体与基板接触时蚀刻第二膜的速度; 以及用于排出处理容器中的气氛的排气系统。

    APPARATUS AND METHOD FOR PULSED PLASMA PROCESSING OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    13.
    发明申请
    APPARATUS AND METHOD FOR PULSED PLASMA PROCESSING OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
    溅射等离子体处理半导体基板的装置和方法

    公开(公告)号：WO1997014177A1

    公开(公告)日：1997-04-17

    申请号：PCT/US1996016138

    申请日：1996-10-09

    Applicant: MATTSON TECHNOLOGY, INC.

    Inventor： MATTSON TECHNOLOGY, INC. ,  SAVAS, Stephen, E.

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3345

    Abstract: Apparatus (100) for an improved etch process. A power source (1500, 1506) alternates between high and low power cycles to produce and sustain a plasma discharge. The high power cycles couple sufficient power into the plasma to produce a high density of ions (>/=10 cm ) for etching. The low power cycles allow electrons to cool off to reduce the average random (thermal) electron velocity in the plasma. The low power cycle is limited in duration as necessary to prevent excessive plasma loss to the walls (116a, 116b) or due to recombination of negative and positive ions. A separate power (152) source alternates between high and low power cycles to accelerate ions toward the substrate (107) being etched. In one embodiment, a strong bias is applied to the substrate in short bursts. Multiple burst occur during the average transit time for an ion to cross the plasma sheath and reach the substrate surface. Ions are pulsed toward the surface for etching.

    Abstract translation: 用于改进蚀刻工艺的设备（100）。 电源（1500,1506）在高功率和低功率周期之间交替以产生和维持等离子体放电。 高功率循环将足够的功率耦合到等离子体中以产生高密度离子（> / = 10 11 cm -3）用于蚀刻。 低功率周期允许电子冷却以降低等离子体中的平均随机（热）电子速度。 低功率周期的持续时间是有限的，以防止对壁（116a，116b）的过度的等离子体损失或由于负离子和正离子的复合。 单独的功率（152）源在高功率周期和低功率周期之间交替，以将离子加速朝向被蚀刻的衬底（107）。 在一个实施例中，以短脉冲串将强偏压施加到衬底。 在平均通过时间期间，多次突发发生在离子穿过等离子体护套并到达衬底表面。 离子脉冲朝表面进行蚀刻。

    METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING DEVICES USING REACTIVE ION ETCHING
    17.
    发明公开
    METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING DEVICES USING REACTIVE ION ETCHING 失效
    方法和装置作出安排，反应离子蚀刻中。

    公开(公告)号：EP0160034A1

    公开(公告)日：1985-11-06

    申请号：EP84903846.0

    申请日：1984-10-10

    Applicant: AT&T Corp.

    Inventor： TAI, King Lien ,  VRATNY, Frederick

    IPC: H01L21 ,  H01J37

    CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3345

    Abstract: Procédé et appareil de production d'un dispositif, ayant recours à une technique de gravure par ions réactifs. Il est possible d'obtenir simultanément une vitesse élevée de gravure et, par exemple, une grande sélectivité de gravure grâce à la technique de gravure par ions réactifs ci-décrite, en déchargeant une électrode (20) du dispositif de gravure par ions réactifs (10) suivant un critère prédéterminé, par exemple l'ordre de grandeur d'un courant continu de polarisation de ladite électrode (20) qui égale ou dépasse une valeur prédéterminée.

    오버헤드솔레노이드안테나및모듈식플라즈마구속자석라이너를가지는유도결합된RF플라즈마반응기
    18.
    发明授权
    오버헤드솔레노이드안테나및모듈식플라즈마구속자석라이너를가지는유도결합된RF플라즈마반응기 失效

    公开(公告)号：KR100369720B1

    公开(公告)日：2003-03-17

    申请号：KR1019980027562

    申请日：1998-07-09

    Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    Inventor： 콜린스,케네쓰 ,  라이스,마이클 ,  버치버거,더글라스 ,  로더릭,크레이그 ,  아스카리남,에릭 ,  슈나이더,게르하르트 ,  트로우,존 ,  추이,조슈아 ,  그리마드,데니스 ,  인,제럴드 ,  우,로버트

    IPC: H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32522 ,  C23C16/517 ,  H01F2029/143 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6831

    Abstract: A plasma reactor has a chamber (50) for containing a plasma and a passageway (60) communicating with the chamber is enhanced with a first removable plasma confinement magnet module placed adjacent the passageway including a first module housing (20,10) and a first plasma confinement magnet (80) inside the housing. It may further include a second removable plasma confinement magnet module placed adjacent the passageway including a second module housing (20,20), and a second plasma confinement magnet (82). Preferably, the first and second modules are located on opposite sides of the passageway. Moreover, the first and second plasma confinement magnets have magnetic orientations which tend to oppose plasma transport or leakage through the passageway. Preferably, the module housing includes a relatively non-magnetic thermal conductor such as aluminum and is in thermal contact with said chamber body. Cooling apparatus can be thermally coupled to the chamber body, whereby to maintain the first plasma confinement magnet below its Curie temperature. If the reactor includes a pumping annulus adjacent to a periphery of the chamber, then the passageway can be one which communicates between the chamber and the pumping annulus. Also, the passageway can be a wafer slit valve or a gas feed inlet. Such a gas feed inlet can be a center gas feed through a ceiling of the chamber. The module housing (20,20) can rest upon the chamber side wall and the chamber ceiling (52) can rest upon the module housing.

    Abstract translation: 等离子体反应器具有用于容纳等离子体的腔室（50），与腔室连通的通道（60）通过邻近通道放置的第一可移除等离子体约束磁体模块得到增强，所述第一可移除等离子体约束磁体模块包括第一模块壳体（20,10）和第一模块壳体 等离子体约束磁体（80）。 它还可以包括邻近通道放置的第二可移除等离子体约束磁体模块，第二等离子体约束磁体模块包括第二模块壳体（20,20）和第二等离子体约束磁体（82）。 优选地，第一和第二模块位于通道的相对侧上。 此外，第一和第二等离子体约束磁体具有倾向于阻止等离子体传输或通过通道泄漏的磁性取向。 优选地，模块壳体包括诸如铝的相对非磁性的热导体并且与所述腔室主体热接触。 冷却设备可热耦合到腔室主体，由此将第一等离子体约束磁体保持在其居里温度以下。 如果反应器包括邻近腔室外围的泵送环形空间，则通道可以是在腔室和泵送环形空间之间连通的通道。 而且，通道可以是晶片狭缝阀或气体供给入口。 这种气体供给入口可以是通过腔室顶部的中心气体供给。 模块壳体（20,20）可以搁置在腔室侧壁上并且腔室天花板（52）可以搁置在模块壳体上。 ＆lt;图像＆GT;

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