公开(公告)号：CN104584196B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380044482.4

申请日：2013-03-14

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 小平吉三 ,  竹内功 ,  中村美保子

IPC: H01L21/302 ,  G21K1/00 ,  G21K5/04 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3056 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/68764 ,  H01L23/544 ,  H01L43/12 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供即使对于精细图案也可以抑制再沉积膜的沉积的离子束处理方法和离子束处理装置。根据本发明的一个实施方式，进行离子束处理，以使得从基板上所形成的图案槽的延伸方向侧入射的离子束的蚀刻量大于从其它方向侧入射的离子束的蚀刻量。由此，抑制了再沉积膜沉积在精细图案的槽的底部上，以使得能够对精细图案进行加工。

公开(公告)号：CN104584196A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380044482.4

申请日：2013-03-14

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 小平吉三 ,  竹内功 ,  中村美保子

IPC: H01L21/302 ,  G21K1/00 ,  G21K5/04 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3056 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/68764 ,  H01L23/544 ,  H01L43/12 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供即使对于精细图案也可以抑制再沉积膜的沉积的离子束处理方法和离子束处理装置。根据本发明的一个实施方式，进行离子束处理，以使得从基板上所形成的图案槽的延伸方向侧入射的离子束的蚀刻量大于从其它方向侧入射的离子束的蚀刻量。由此，抑制了再沉积膜沉积在精细图案的槽的底部上，以使得能够对精细图案进行加工。

公开(公告)号：CN102422389B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201080020274.7

申请日：2010-04-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B44C1/227 ,  C23C16/045 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/3344 ,  H01J2237/3345

Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。

公开(公告)号：CN102422389A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020274.7

申请日：2010-04-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B44C1/227 ,  C23C16/045 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/3344 ,  H01J2237/3345

Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。

公开(公告)号：CN104335078B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380017019.0

申请日：2013-02-22

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 余大华 ,  莫塞斯·M·大卫 ,  阿卜杜贾巴尔·K·迪雷 ,  艾伯特·I·埃费拉茨 ,  威廉·布莱克·科尔布 ,  托德·M·桑德曼 ,  铃木俊介 ,  斯科特·A·沃克

IPC: G02B1/118 ,  B82Y20/00

CPC classification number: G02B1/12 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/04 ,  G02B1/111 ,  G02B1/118 ,  G02B1/16 ,  G02B2207/101 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  Y10S977/781

Abstract: 本发明公开了一种纳米结构化材料，所述纳米结构化材料表现出随机各向异性纳米结构化表面，并且在60度偏角处表现出小于1％的平均反射。所述纳米结构化材料可用于例如光学和光电设备、显示器、太阳能、光传感器、眼镜、相机镜头和窗用玻璃。

公开(公告)号：CN104335078A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380017019.0

申请日：2013-02-22

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 余大华 ,  莫塞斯·M·大卫 ,  阿卜杜贾巴尔·K·迪雷 ,  艾伯特·I·埃费拉茨 ,  威廉·布莱克·科尔布 ,  托德·M·桑德曼 ,  铃木俊介 ,  斯科特·A·沃克

IPC: G02B1/11

CPC classification number: G02B1/12 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/04 ,  G02B1/111 ,  G02B1/118 ,  G02B1/16 ,  G02B2207/101 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  Y10S977/781

Abstract: 本发明公开了一种纳米结构化材料，所述纳米结构化材料表现出随机各向异性纳米结构化表面，并且在60度偏角处表现出小于1％的平均反射。所述纳米结构化材料可用于例如光学和光电设备、显示器、太阳能、光传感器、眼镜、相机镜头和窗用玻璃。

公开(公告)号：WO2002009198A1

公开(公告)日：2002-01-31

申请号：PCT/US2001/041421

申请日：2001-07-26

Applicant: UNAXIS USA INC. ,  LEE, Jewon ,  DEVRE, Mike ,  JOHNSON, Dave ,  MACKENZIE, Kenneth ,  SASSERATH, Jay

Inventor： LEE, Jewon ,  DEVRE, Mike ,  JOHNSON, Dave ,  MACKENZIE, Kenneth ,  SASSERATH, Jay

IPC: H01L31/06

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3345 ,  H01L21/30621 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: A method and apparatus for anisotropically plasma etching semiconductor materials is disclosed. The apparatus includes an etching chamber for plasma etching which includes therein a gas confinement apparatus and/or a gas flow modifier to focus the plasma gas onto the substrate to be etched and provide uniform etch rates, modulation of sidewall profile shapes or surface morphology during processing. The gas confinement apparatus and the gas flow modifier are formed of any suitable shape and may include openings therein to produce a balanced gas flow rate. The apparatus is especially useful for etching GaAs and InP substrates.

Abstract translation: 公开了用于各向异性等离子体蚀刻半导体材料的方法和装置。 该装置包括用于等离子体蚀刻的蚀刻室，其中包括气体限制装置和/或气体流动改性剂，以将等离子体气体聚焦到待蚀刻的基底上，并且在加工期间提供均匀的蚀刻速率，侧壁轮廓形状或表面形态的调制 。 气体限制装置和气体流动调节器由任何合适的形状形成，并且可以包括其中的开口以产生平衡的气体流量。 该装置对于蚀刻GaAs和InP衬底特别有用。

公开(公告)号：JP6339557B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2015503210

申请日：2013-02-22

Applicant: スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

Inventor： タ−ファ ユー ,  モーゼス エム.デイビッド ,  アブドゥジャバール ケー.ダイヤ ,  アルバート アイ.エバーアーツ ,  ウィリアム ブレイク コルブ ,  トッド エム.サンドマン ,  鈴木 俊介 ,  スコット エー.ウォーカー

IPC: B32B7/02 ,  G02B1/118

CPC classification number: G02B1/12 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/04 ,  G02B1/111 ,  G02B1/118 ,  G02B1/16 ,  G02B2207/101 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  Y10S977/781

公开(公告)号：WO2014092856A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/US2013/064807

申请日：2013-10-14

Applicant: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION

Inventor： TADIGADAPA, Srinivas ,  HATIPOGLU, Gokhan

IPC: C23C14/46 ,  C23C14/02

CPC classification number: H01J37/32357 ,  B81C99/0025 ,  C03C15/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3345 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: A system and method for reactive ion etching (RIE) system of a material is provided. The system includes a plasma chamber comprising a plasma source and a gas inlet, a diffusion chamber comprising a substrate holder for supporting a substrate with a surface comprising the material and a gas diffuser, and a source of a processing gas coupled to the gas diffuser. In the system and method, at least one radical of the processing gas is reactive with the material to perform etching of the material, the gas diffuser is configured to introduce the processing gas into the processing region, and the substrate holder comprises an electrode that can be selectively biased to draw ions generated by the plasma source into the processing region to interact with the at least one processing gas to generate the at least one radical at the surface.

Abstract translation: 提供了一种材料的反应离子蚀刻（RIE）系统和方法。 该系统包括包括等离子体源和气体入口的等离子体室，扩散室，其包括用于支撑具有包括该材料的表面的基板的基板保持器和气体扩散器，以及耦合到气体扩散器的处理气体源。 在系统和方法中，处理气体的至少一个基团与材料反应以进行材料的蚀刻，气体扩散器被配置为将处理气体引入处理区域，并且衬底保持器包括可以 被选择性地偏置以将由等离子体源产生的离子吸引到处理区域中以与至少一个处理气体相互作用以在表面处产生至少一个自由基。

公开(公告)号：WO1997008734A1

公开(公告)日：1997-03-06

申请号：PCT/US1996014157

申请日：1996-08-28

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： APPLIED MATERIALS, INC. ,  COLLINS, Kenneth ,  RICE, Michael ,  TROW, John ,  BUCHBERGER, Douglas ,  ASKARIAN, Eric ,  TSUI, Joshua ,  GROECHEL, David ,  HUNG, Raymond

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32458 ,  A21D2/185 ,  A23G3/346 ,  A23G9/52 ,  A23G2200/06 ,  A23L2/60 ,  A23L9/12 ,  A23L19/115 ,  A23L27/30 ,  A23L27/32 ,  A23L29/231 ,  A23L29/238 ,  A23L29/256 ,  A23L29/27 ,  A23L33/21 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/6831

Abstract: The invention is embodied by a plasma reactor for processing a workpiece, including a reactor enclosure (105) defining a processing chamber (100), a semiconductor window (110), a base (120) within the chamber (100) for supporting the workpiece (125) during processing thereof, a gas inlet system (137) for admitting a plasma precursor gas into the chamber (100), and an inductive antenna (145) adjacent a side of the semiconductor window (110) opposite the base (120) for coupling power into the interior of the chamber (100) through the semiconductor window electrode (110).

Abstract translation: 本发明通过用于加工工件的等离子体反应器来实现，该反应器包括限定处理室（100）的反应器壳体（105），半导体窗口（110），腔室（100）内的基座（120） （125），用于将等离子体前体气体引入所述室（100）中的气体入口系统（137）以及与所述半导体窗口（110）的与所述基座（120）相对的一侧附近的感应天线（145） 用于通过半导体窗口电极（110）将动力耦合到腔室（100）的内部。