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公开(公告)号:CN1236181A
公开(公告)日:1999-11-24
申请号:CN99105339.7
申请日:1999-04-30
Applicant: 易通公司
Inventor: T·N·霍斯基
IPC: H01J37/08 , H01L21/265 , C30B31/22 , C23C14/48
CPC classification number: H01L21/2658 , H01J27/08
Abstract: 一种用于离子注入装置的离子源(50),它包括:(i)一个升华装置(52),它有一腔室(66);(ii)一电离腔室(58),(iii)一送料管(62);以及,(iv)一加热介质(70)。设置一控制机构,用来控制加热介质(70)的温度。其包括用来把加热介质(70)加热的加热件(80),用来使加热介质循环的泵(55),用来提供来自加热介质(70)的温度反馈信号的至少一个热电偶(92),以及一个控制器(56),它对温度反馈信号作出响应,对加热件输出第一控制信号(94)。
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公开(公告)号:CN108699691A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680081988.6
申请日:2016-11-08
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
IPC: C23C16/513 , C23C4/134 , H01J37/063 , H05H1/02 , H05H1/24 , H05H1/54
CPC classification number: H05H1/54 , C23C16/513 , H01J27/08 , H01J37/063 , H01J37/32596 , H05H1/46 , H05H2001/4675
Abstract: 提供一种提取和加速离子的离子源和方法。离子源包括腔室。离子源进一步包括第一空心阴极,其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔;以及第二空心阴极,其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔。第一空心阴极和第二空心阴极邻近地设置在腔室中。离子源进一步包括第一离子加速器,其在第一等离子体出口孔与腔室之间并与第一等离子体出口孔和腔室连通。第一离子加速器形成第一离子加速腔。离子源进一步包括第二离子加速器,其在第二等离子体出口孔与腔室之间并与第二等离子体出口孔和腔室连通。第二离子加速器形成第二离子加速腔。第一空心阴极和第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体。
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公开(公告)号:CN104752127B
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201410822189.2
申请日:2014-12-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor: 佐藤正辉
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
CPC classification number: H01J27/08 , H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082
Abstract: 本发明提供一种能够减少反射极的绝缘性降低的支承结构及离子发生装置。离子发生装置(10)具备:电弧室(12);反射极(62),具有设置于电弧室内的反射板(64)、及插通于连通电弧室(12)内外的贯穿孔(60)的反射极延长部(66);以及支承结构(70),设置于电弧室(12)的外侧,并以确保反射极延长部(66)与贯穿孔(60)的内壁之间的间隙(60a)的方式支承反射极。支承结构(70)具有:罩部件(80),在电弧室(12)的外部划分与间隙(60a)连通的小室(88);以及绝缘部件(72),将电弧室(12)与反射极(62)之间电绝缘。
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公开(公告)号:CN104637764B
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201410645296.2
申请日:2014-11-11
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor: 佐藤正辉
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法,其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备:电弧室(12),至少一部分由含有碳的材料构成;热电子放出部(14),向电弧室(12)内放出热电子;及气体导入口(24),将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体,导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。
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公开(公告)号:CN104217981B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201410367226.5
申请日:2009-08-12
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/67 , C23C14/48 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
Abstract: 一种半导体制造系统中的离子源清洁方法。本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。
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公开(公告)号:CN103681183B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310375988.5
申请日:2013-08-26
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor: 佐藤正辉
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J5/10 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供一种离子生成方法以及离子源。所述离子生成方法为抑制自由基对构成离子源的电弧室的作用的技术。离子生成方法为利用具备由高熔点材料构成的电弧室的直流放电型离子源的离子生成方法,其包括:离子产生工序,该工序使源气体的分子与热电子在电弧室内碰撞而引起等离子体放电,从而产生离子;以及反应工序,该工序使得在离子产生工序中产生的自由基与配置成覆盖电弧室内壁的至少一部分的衬套进行反应。衬套由比所述电弧室更容易与源气体分解时所产生的自由基反应的材料构成。
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公开(公告)号:CN106373845A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201610350373.0
申请日:2016-05-24
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/08
Abstract: 一种镧系元素离子源的产生方法,包括下列步骤:加热一种或多种非气态的镧系元素化合物,使得该一种或多种非气态的镧系元素化合物转变为气态;传送一种或多种气态镧系元素化合物传送至该电弧室;传送至少一种支持气体传送至该电弧室;提供能量予该电弧室,使含有镧系元素离子的电浆形成于该电弧室中;以及将镧系元素离子自含有镧系元素离子的该电浆中萃取出来形成镧系元素离子束。
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公开(公告)号:CN104115351B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201380009266.6
申请日:2013-03-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 用于产生离子的放电电极(5)和对放电电极(5)提供高电压的高电压发生电路部(2)收纳于壳体(3)。壳体(3)形成有用于释放产生的离子的释放口(12),壳体(3)被外壳(15)覆盖,外壳(15)连接到高电压发生电路部(2)而作为感应电极发挥功能。外壳(15)形成有与释放口(12)相通的通过口(33)。绝缘片(36)覆盖与离子释放到的空间相对的外壳(15)的通过口(33)的周边,以使得所释放的离子不附着于外壳(15)。能将放电电极(5)的周边的部件用作感应电极,并且能实现防止离子释放量减少。
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公开(公告)号:CN104285275A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201380020208.3
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01J49/0027 , B01D59/44 , G01N30/7266 , H01J27/08 , H01J49/0454 , H01J49/168
Abstract: 本发明的目的在于当微少量物质在大气环境中被离子化时更容易实现软离子化。用于被包含在液体中的物质的离子化方法,该离子化方法的特征在于包括:从探测器将液体提供到基板并且利用物质溶解于其中的该液体在探测器和基板间形成液桥的步骤;振荡所述探测器的步骤;在离子提取电极和探测器与液体接触的导电部位之间产生电场。
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公开(公告)号:CN103681183A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310375988.5
申请日:2013-08-26
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor: 佐藤正辉
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J5/10 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供一种离子生成方法以及离子源。所述离子生成方法为抑制自由基对构成离子源的电弧室的作用的技术。离子生成方法为利用具备由高熔点材料构成的电弧室的直流放电型离子源的离子生成方法,其包括:离子产生工序,该工序使源气体的分子与热电子在电弧室内碰撞而引起等离子体放电,从而产生离子;以及反应工序,该工序使得在离子产生工序中产生的自由基与配置成覆盖电弧室内壁的至少一部分的衬套进行反应。衬套由比所述电弧室更容易与源气体分解时所产生的自由基反应的材料构成。
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