公开(公告)号：CN105874555B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480071807.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： L.迪努-格尔特勒 ,  E.P.霍杰沃斯特

IPC: H01J3/02 ,  H01J1/28 ,  H01J1/46 ,  H01J37/07

CPC classification number: H01J37/3174 ,  G03F7/70058 ,  H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/027 ,  H01J3/029 ,  H01J37/075 ,  H01J37/3177 ,  H01J2229/481 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明涉及一种阴极配置(20)，其包括：热离子阴极，其包括发射部分(30)和贮存器(38)，该发射部分设置有用于发射电子的发射表面，该贮存器用于保留材料，其中，该材料在受热时释放功函数降低微粒，这些功函数降低微粒朝该发射部分扩散并且以第一蒸发速率从该发射表面处发出；聚焦电极(40)，其包括聚焦表面，用以聚焦从该阴极的发射表面处被发射的电子；以及可调整的热源(50)，其被配置成用以保持该聚焦表面在可防止功函数降低微粒累积在该聚焦表面上的温度。

公开(公告)号：CN105593401B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201480053311.2

申请日：2014-09-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗伯特·J·梅森 ,  沙杜·佩特尔 ,  罗伯特·H·贝当古 ,  提摩西·J·米勒

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/12 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。

公开(公告)号：CN106537550A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038621.1

申请日：2015-10-09

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： R·西蒙斯 ,  D·马斯纳盖蒂 ,  M·麦科德 ,  F·施坦克 ,  S·杨 ,  C·西尔斯

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/06 ,  H01J37/026 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明的实施例涉及一种电子束成像/检验设备，其具有电子源装置以紧接在图像获取或检验之前将泛射电子引导于样本上。所述设备包括经配置以在第一模式中对样本进行充电的第一装置，其中所述第一装置包含电子源，所述电子源经配置以将带电粒子的泛射束提供到所述样本的第一区域。所述设备还包括第二装置，所述第二装置经配置以在第二模式中产生初级电子束且表征所述初级束与所述第一区域内所述样本的第二区域之间的相互作用。所述设备经配置成以少于1秒从所述第一模式切换到所述第二模式。

公开(公告)号：CN104520961A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380042202.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 焊接研究院

Inventor： C·黎布顿 ,  A·桑德森

IPC: H01J27/16 ,  H01J37/077

CPC classification number: H01J37/077 ,  H01J27/18 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/3104

Abstract: 本发明公开一种用于生成带电粒子束的等离子源装置。该装置包括：等离子室，设有用于气体进入的入口和用于从该等离子室引出带电粒子的孔；射频(RF)等离子生成单元，用于在所述等离子室内部生成等离子，所述射频等离子生成单元包括第一谐振电路和第二谐振电路，每个谐振电路被调谐成在基本相同的谐振频率下谐振，所述第一谐振电路包括第一天线和适于在大体所述第一谐振电路的谐振频率下驱动所述第一谐振电路的第一RF电源，所述第二谐振电路包括第二天线，由此在使用时由于谐振耦合所述第一谐振电路在所述第二天线中感应出RF信号，所述第二谐振电路被配置成向所述等离子室施加感应的RF信号以在所述等离子室内生成等离子；和粒子加速单元，用于从所述等离子中引出带电粒子并使所述带电粒子加速以形成束，所述粒子加速单元包括被配置成在所述等离子室和加速电极之间施加电势的第二电源，所述等离子室和所述加速电极之间的区域构成加速管。所述第二电源适于输出相对于所述第一RF电源输出的电压高的电压。

公开(公告)号：CN102308356A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080006695.4

申请日：2010-01-11

Applicant: TEL埃皮恩公司

Inventor： M·D·塔巴 ,  M·C·格温 ,  R·K·贝克尔 ,  A·弗雷特西斯 ,  M·格拉夫

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/0825 ,  H01J2237/0827

Abstract: 公开了一种用于将工艺气体混合物或多种工艺气体混合物引入到气体团簇离子束(GCIB)系统(100、100’、100”)中的多喷嘴和分离器组件以及在衬底(152、252)上生长、改性、沉积或掺杂层的相关操作方法。多喷嘴和分离器组件包括至少两个喷嘴(116、1016、2110、2120、4110、4120、7010、7020)，这些喷嘴被布置成相互紧靠以将从喷嘴喷射出的气体团簇束至少部分地合并成单一气体团簇束(118)和/或被倾斜以将每一束朝向单一相交点(420)而会合以形成一组相交的气体团簇束，以及将单一和/或相交的气体团簇束引导到气体分离器中。

公开(公告)号：CN101652498A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200780052204.8

申请日：2007-04-24

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 中河原均

IPC: C23C14/24 ,  H05H1/24 ,  H01J37/04

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/28 ,  H01J37/04 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/3132 ,  H01J2237/3146

Abstract: 通过使由会聚线圈从等离子枪提取的等离子束(25)通过下面的磁场，使得束的横断面扁平化：该磁场在与等离子束的行进方向正交的方向上延伸，并且通过由相互平行地成对相对配置的永磁体构成的磁体(27)形成。提供一种使用具有0.7≤Wi/Wt的等离子束的等离子设备，其中，相对于扁平化后的束28的宽度Wt，束强度的半值为Wi。包括至少一个在束的中心处的排斥磁场的强度更强的磁体。

公开(公告)号：CN101365290A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810168645.0

申请日：2008-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛煜 ,  李英姬 ,  申哲浩 ,  李振硕

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种使用离子束的半导体装置。该半导体装置可包括施加电压的第一格栅。施加到第一格栅的电压可具有与施加到等离子体腔的壁部分的参考电压相同的电势电平，等离子体腔中可产生等离子体。第一格栅可毗邻等离子体。因此，第一格栅和等离子体腔的壁部分之间的电势电平差可以为零，因此等离子体可以是稳定的。

公开(公告)号：CN107408483A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012562.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 艾克索乔纳斯公司

Inventor： 肖恩·R·柯克帕特里克 ,  理查德·C·什夫卢加

IPC: H01J37/08 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C03C15/00 ,  C03C15/025 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/321

Abstract: 一种用于浅蚀刻基板表面的方法，使用加速中性射束形成覆盖未改性的基板的浅改性基板层，并蚀刻改性层，在下方未改性的基板处停止以产生受控浅蚀刻基板表面。

公开(公告)号：CN106688075A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580049124.1

申请日：2015-07-31

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 马修·C·格温 ,  阿夫鲁姆·弗赖特西斯 ,  罗伯特·K·贝克尔

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/0822 ,  H01J2237/3151

Abstract: 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的喷嘴组件。具体地，喷嘴组件包括两个或更多个圆锥形喷嘴，这些圆锥形喷嘴对准成使得它们都用于产生同一GCIB。第一圆锥形喷嘴可以包括最初形成GCIB的喉部，并且第二喷嘴可以形成可附加至第一圆锥形喷嘴的较大圆锥形腔。可以在两个圆锥形喷嘴之间设置过渡区域，该过渡区域可以是大致圆柱形的并且略大于第一圆锥形喷嘴的最大直径。

公开(公告)号：CN103843107B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280030689.1

申请日：2012-06-21

Applicant: FEI 公司

Inventor： S.克罗格 ,  A.B.威尔斯 ,  J.B.麦金 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/08 ,  H01J37/10

CPC classification number: H05H1/24 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652

Abstract: 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括等离子体室和和流体，不主动地对该流体进行泵送，该流体包围等离子体室以便在等离子体室与在接地电势下的附近部件之间提供高压隔离，如导电屏蔽。一个或多个冷却装置通过使用蒸发冷却和热管将来自等离子体室的热量消散到周围环境中来对等离子体室进行冷却。