公开(公告)号：CN103748658A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280035911.7

申请日：2012-07-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 哈梅特·辛格

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

公开(公告)号：CN103502504A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020605.6

申请日：2012-04-16

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 梶原雄二 ,  安松保志 ,  小长和也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种成膜装置，该成膜装置由遮挡装置能够选择靶材，能够防止发生在靶材间的污染。成膜装置（10）具备遮挡装置（54）和被固定于靶材电极（C）的第一遮挡板（65）侧的上部遮蔽板（63），遮挡装置（54）具有分别可旋转的第一遮挡板（65）及第二遮挡板（67）。另外，在第一遮挡板（65）的靶材电极（C）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了旋转分离壁（72），在上部遮蔽板（63）的第一遮挡板（65）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了固定分离壁（71）。在成膜处理时，通过旋转第一遮挡板（65）以便在旋转分离壁（72）与固定分离壁（71）之间形成迷宫，能够防止靶材（C）间的污染。

公开(公告)号：CN102986006A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180021218.X

申请日：2011-06-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/822 ,  B23K26/36 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述切割半导体晶圆之方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在该半导体晶圆上方形成一遮罩。该遮罩由覆盖且保护该等集成电路之一层组成。用一基于飞秒之激光划线制程将该遮罩布局图样，以提供具有间隙之一经布局图样之遮罩。该布局图样曝露该等集成电路之间的该半导体晶圆之区域。然后将该半导体晶圆蚀刻穿过该经布局图样之遮罩中的该等间隙，以单分该等集成电路。

公开(公告)号：CN102569512A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110460421.9

申请日：2011-12-23

Applicant: 初星太阳能公司

Inventor： S·D·费尔德曼-皮博迪 ,  R·W·布莱克 ,  R·D·戈斯曼 ,  B·R·墨菲 ,  M·J·帕沃尔

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L31/073 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3402 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02631 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积。提供了用于碲化镉薄膜光伏装置10的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备和过程。该设备100包括一系列一体地连接的室，例如连接到装载真空泵108上的装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。传送器系统104可操作地设置在设备100内，并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底10输送进入且输送通过装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128一体地连接，使得输送通过设备100的衬底10保持在小于大约760托的系统压力处。

公开(公告)号：CN107230608B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201710148321.X

申请日：2017-03-13

Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社

Inventor： 加茂克尚

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3417

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：筒形电极，具有作为设有开口部的一端的下端与作为被封闭的另一端的上端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；以及作为具有开口的真空容器的腔室，上端经由绝缘构件而安装于开口的筒形电极在腔室的内部延伸存在。而且，等离子体处理装置还包括：作为搬送部的旋转平台，将利用工艺气体受到处理的工件搬送至筒形电极的开口部之下；护罩，隔着间隙覆盖在真空容器的内部延伸存在的筒形电极；以及间隔件，设置于筒形电极与护罩的间隙中且包含绝缘材料。本发明通过在筒形电极的侧壁与护罩的间隙中配置间隔件，能够防止筒形电极与护罩的接触而可稳定地进行膜处理。

公开(公告)号：CN106414062B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580018043.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 铃木梓 ,  岩桥浩之 ,  西园健史 ,  松井茂树 ,  原口和敏

IPC: B32B9/00 ,  B65D65/02 ,  C08J7/04

CPC classification number: C08J7/045 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/144 ,  B05D7/04 ,  B05D2350/63 ,  B32B5/024 ,  B32B5/026 ,  B32B7/12 ,  B32B27/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/285 ,  B32B27/302 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/327 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B29/002 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/3065 ,  B32B2307/31 ,  B32B2307/4023 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/536 ,  B32B2307/546 ,  B32B2307/558 ,  B32B2307/704 ,  B32B2307/712 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2307/732 ,  B32B2307/734 ,  B32B2307/748 ,  B32B2307/75 ,  B32B2439/70 ,  B32B2439/80 ,  B65D65/42 ,  C08J7/047 ,  C08J2367/02 ,  C08J2429/04 ,  C08J2483/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44 ,  C23C18/1254 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3277 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/33

Abstract: 提供高温热水处理前后阻气性的劣化少的阻气性膜。一种阻气性膜，在基材膜上设置或不设置氧化铝蒸镀膜，进而具有阻气性涂膜，所述阻气性涂膜是涂装阻隔性涂层剂从而设置涂布层，形成具有以Si‑O‑Si键为基本骨架的网孔结构的网状结构、和在该网状结构的网孔掺入结晶的水溶性高分子作为微晶的复合膜的阻气性涂膜，所述阻隔性涂层剂是将制备缩合物的硅原子的键合状态为Q1和Q2结构的缩合物的比例达到所有硅原子的60%以上的混合溶液而得的烷氧基硅烷水解产物的缩合物溶液和具有结晶性的水溶性高分子混合而成。

公开(公告)号：CN108456870A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810151721.0

申请日：2018-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥丰 ,  村田昌弘 ,  加藤寿

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/04

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32899 ,  C23C16/34 ,  C23C16/047

Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。

公开(公告)号：CN105144343B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201480013365.6

申请日：2014-03-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉尔夫·霍夫曼 ,  卡拉·比斯利 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: G03F1/22 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4583 ,  G03F7/16 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种处理系统，该处理系统包括：真空腔室；多个处理系统，这些多个处理系统附接于真空腔室的周围；以及晶片传送系统，该晶片传送系统位于该真空腔室中，用于在多个处理系统之间移动晶片，而不从真空中离开。一种用于制造极紫外线坯料的物理气相沉积系统，该系统包含：靶材，该靶材包含钼、钼合金或上述两者的组合。

公开(公告)号：CN108352298A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064396.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/32

Abstract: 本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形的应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术形成结构。可由期望的应力图来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。

公开(公告)号：CN104145320B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201380003317.4

申请日：2013-02-12

Applicant: 苹果公司

Inventor： D·N·麦麦陵 ,  S·A·迈尔斯 ,  D·韦伯

IPC: H01J37/317 ,  C30B31/22

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/081 ,  C23C14/5806 ,  C30B29/20 ,  C30B31/22 ,  C30B33/00 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/3365

Abstract: 本文描述了用于强化蓝宝石部件的系统和方法。一个实施方式可采用方法的形式，其包括确定蓝宝石组件的第一表面相对于离子注入设备的方向，并且执行第一注入步骤。该注入步骤可包括在该蓝宝石组件的第一表面引导离子以将它们嵌入第一表面下。该系统和方法也可包括如下步骤中的一个或多个：加热蓝宝石组件以将注入的离子扩散进入蓝宝石组件的更深层；冷却蓝宝石组件；和执行至少第二注入步骤，在蓝宝石组件的第一表面引导离子以将离子嵌入第一表面下。