公开(公告)号：CN105593968B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201480052606.8

申请日：2014-09-25

Applicant: 依狄奥特股份公司

Inventor： O.R.肖杰伊 ,  J.施米特 ,  F.珍内雷特

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321

Abstract: 等离子体反应器容器包括真空腔室；在真空腔室中的第一电极；在真空腔室中、与第一电极相对并且与第一电极间隔的第二电极；电连接至第一或第二电极的其中之一的电源；包括导电材料的基板载体，基板载体配置为与第二电极电接触并且保持基板，使得基板的上表面和下表面的至少大部分未被等离子体反应器的任何部分触摸并且可以暴露于等离子体；其中，反应器容器还包括第三电极，第三电极包括在基板载体与第二电极之间，其中第三电极与所述第二电极电绝缘；以及其中第三电极和基板载体布置为使得，在基板载体保持基板时，第一隙距包括在基板与第三电极之间。还提供了对应组件以及用于执行等离子体处理的方法。

公开(公告)号：CN103748658B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280035911.7

申请日：2012-07-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 哈梅特·辛格

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

公开(公告)号：CN103502504B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201280020605.6

申请日：2012-04-16

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 梶原雄二 ,  安松保志 ,  小长和也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种成膜装置，该成膜装置由遮挡装置能够选择靶材，能够防止发生在靶材间的污染。成膜装置（10）具备遮挡装置（54）和被固定于靶材电极（C）的第一遮挡板（65）侧的上部遮蔽板（63），遮挡装置（54）具有分别可旋转的第一遮挡板（65）及第二遮挡板（67）。另外，在第一遮挡板（65）的靶材电极（C）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了旋转分离壁（72），在上部遮蔽板（63）的第一遮挡板（65）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了固定分离壁（71）。在成膜处理时，通过旋转第一遮挡板（65）以便在旋转分离壁（72）与固定分离壁（71）之间形成迷宫，能够防止靶材（C）间的污染。

公开(公告)号：CN105264110A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031318.4

申请日：2014-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 濑川利规 ,  大庭尚树 ,  黑川好德

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01J37/3277 ,  C23C14/562 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/162 ,  H01J2237/20278 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/67132

Abstract: 提供一种能够不将成膜单元及其上游侧和下游侧单元上下重叠而确保作业空间的成膜装置。成膜装置包括成膜单元（16）、和配置在其左右的上游侧及下游侧单元（14、18）。成膜单元（16）具有：成膜辊（70）；多个引导辊（72）；主腔室（64），具有成膜辊收纳部（74）及其上侧的引导辊收纳部（76）；第1加工腔室和第2加工腔室（66、68），在成膜辊收纳部（74）的左右收纳多个成膜加工用设备（84、86）；和加工腔室支承部（104），将加工腔室（66、68）支承为，该加工腔室（66、68）能够在成膜用的通常位置与向左右退避的退避位置之间移动，并且能够在该退避位置与在前后方向上离开的露出位置之间移动。

公开(公告)号：CN103403215B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180068637.9

申请日：2011-12-02

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 恒川孝二

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/067 ,  C23C14/081 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/505 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5853 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  H01F41/18 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417 ,  H01L21/67207 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种制造设备，该制造设备即使在一个多层薄膜中存在由同一类型的膜形成的多个层的情况下也能够执行所谓的连续基板传送并能够提高生产量。根据本发明的一个实施方式，制造设备设置有：传送室（12）；各自设置有一个溅射阴极的三个溅射沉积室（13A、13C、13E）；各自设置有两个或更多溅射阴极的两个溅射沉积室（13B、13D）；以及用于进行除溅射以外的处理的处理室（14）。三个溅射沉积室（13A、13C、13E）、两个溅射沉积室（13B、13D）以及处理室（14）以使得各室能够利用传送室（12）进行基板的送出和接收的方式配置在传送室（12）的周围。

公开(公告)号：CN104903491A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068470.5

申请日：2013-12-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 玉垣浩 ,  芳贺润二

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/503

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/6776

Abstract: 提供一种即使持续长时间使用也不花费清扫等工夫、能够在维持稳定的成膜条件的同时以高生产效率进行成膜处理的等离子体化学气相沉积装置（100）。等离子体化学气相沉积装置（100）包括成膜室（1）和与成膜室（1）分开的加载互锁真空室（20、30），是在这些室间输送基材并在基材上生成成膜的连续式。成膜室（1）包括真空腔室（2）、将真空腔室（2）内的空气排出的真空排气机构（3）、向真空腔室（2）内供给原料气体的气体供给部（9）、和使真空腔室（2）内产生等离子体的等离子体产生电源（10）。在成膜室（1）中，基材被分为与等离子体产生电源（10）的一极连接的第1组（18）、和与等离子体产生电源（10）的另一极连接的第2组（19），在相互为不同极性的第1组（18）的基材与第2组（19）的基材之间产生等离子体。

公开(公告)号：CN104810305A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410408799.8

申请日：2014-08-19

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 佐藤浩平 ,  牧野昭孝 ,  田中一海 ,  属优作

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其在被处理物大口径化的情况下也能够使处理的均匀性良好，并且高效地进行稳态/非稳态维护。在具有真空搬运室的真空处理装置中，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)；试料台单元，其具有试料台(241)以及具备相对于试料台的中心轴线配置为轴对称的支承梁的环状的试料台基座(242)；具有圆筒形状的上部容器(230)；以及移动机构(210)，其固定于试料台基座(242)，且使试料台单元能够在上下方向以及水平方向上移动。

公开(公告)号：CN104737230A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054792.4

申请日：2013-08-21

Applicant: 明尼苏达大学董事会

Inventor： 王建平 ,  王昊 ,  赵海豹

IPC: G11B5/855

CPC classification number: H01J37/32899 ,  C23C16/44 ,  G11B5/855

Abstract: 在一些实例中，一种方法包括：在基板上沉积功能层(例如，磁性层)；在功能层上沉积粒状层，该粒状层包括限定多个晶粒的第一材料，通过限定多个晶粒的晶界的第二材料分开该多个晶粒；从粒状层移除第二材料，使得粒状层的多个晶粒在功能层上限定硬掩模层；以及移除功能层的没有被硬掩模层掩蔽的部分，其中，在真空环境中执行沉积功能层、沉积粒状层、移除第二材料以及移除功能层的一部分。

公开(公告)号：CN104395496A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033599.2

申请日：2013-05-21

Applicant: 拉波特株式会社

Inventor： 中野弘文

IPC: C23C14/32

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/0605 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32899

Abstract: 沉积装置(100)使材料颗粒(P)沉积，其包括：离子化部(20)，其在被供应材料颗粒(P)的反应室中利用光电效应使材料颗粒(P)离子化；以及电极部(32、34)，其利用库仑力将离子化的材料颗粒(P)向给定的区域引导。

公开(公告)号：CN104321461A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380019823.2

申请日：2013-04-12

Applicant: 二A科技有限公司

Inventor： D.S.米斯拉

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC classification number: C30B25/105 ,  C23C16/27 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/54 ,  C30B25/025 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32899

Abstract: 一种用于生长钻石的装置，该装置包括：一个或多个腔室，每个腔室与一个或多个其他腔室流体连接，每个腔室包括腔室内的一个或多个基底载置台组件以支承基底载置台，该基底载置台具有布置在其上的多个钻石晶种。