公开(公告)号：US20230290765A1

公开(公告)日：2023-09-14

申请号：US18064971

申请日：2022-12-13

Applicant: Microchip Technology Incorporated

Inventor： Justin Sato ,  Bomy Chen ,  Julius Kovats ,  Anu Ramamurthy

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L25/0652 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/40 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/48 ,  H01L24/37 ,  H01L24/84 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40235 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/84007 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/481

Abstract: An apparatus having a substrate having first and second substrate contacts; a chip having a front-side chip contact and first and second back-side chip contacts, the front-side chip contact electrically connected to the first substrate contact; a chiplet having a chiplet contact electrically connected the first back-side chip contact; and a lead electrically connected to the second back-side chip contact and electrically connected to the second substrate contact.

公开(公告)号：US20170092574A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：US15276623

申请日：2016-09-26

Applicant: Semikron Elektronik GmbH & Co., KG

Inventor： Florian WAGNER ,  Hartmut Kulas

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40221 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0685 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/37099

Abstract: A method for producing a power-electronics switching device and a power electronic switching device produced thereby. In the power-electronics switching device, a power semiconductor component is arranged on a first region of a conductor track of a substrate. An insulating film comprising a cutout is then provided, wherein an overlap region of the insulating film, which overlap region is adjacent to the cutout, is designed to cover an edge region of the power semiconductor component. This is followed by arranging the insulating film on the substrate, with the power semiconductor component arranged on it, in such a way that the power semiconductor component is covered on all sides of its edge region by the covering region of the insulating film, wherein a further section of the insulating film covers parts of one of the conductor tracks. Finally, the connecting device is arranged.

公开(公告)号：US20150357303A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14735300

申请日：2015-06-10

Applicant: Continental Automotive GmbH

Inventor： Nico Kohl ,  Martin Metzler ,  Sven Egelkraut ,  Markus Leicht

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49544 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3756 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/4001 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40221 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84825 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: A power semiconductor circuit includes at least one semiconductor having at least one contact area, and at least one bonding conductor strip having at least one contact region fastened on at least one of the contact areas. The contact region of the bonding conductor strip includes cutouts.

Abstract translation: 功率半导体电路包括至少一个具有至少一个接触区域的半导体，以及至少一个接合导体条，其具有紧固在至少一个接触区域上的至少一个接触区域。 接合导体条的接触区域包括切口。

公开(公告)号：WO2014181638A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/JP2014/060528

申请日：2014-04-11

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 杉村　貴弘 ,  野津　浩史

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/049 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40151 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48097 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/8493 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/8593 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　半導体装置の製造方法は、第１被着体と第２被着体との間を配線により接続する接続工程と、接続工程の後、第１被着体及び第２被着体の少なくとも１つを移動することによって、第１被着体を第２被着体に対して相対的に移動する移動工程と、第２被着体に対する第１被着体の相対的な位置を固定する固定工程と、を含む。

Abstract translation: 在本发明中，半导体装置的制造方法包括：连接步骤，用于通过布线将第一被粘物和第二被粘物彼此连接; 在所述连接步骤之后的移动步骤，用于移动所述第一被粘物和所述第二被粘物中的至少一个，从而相对于所述第二被粘物移动所述第一被粘物; 以及固定步骤，用于固定第一被粘物相对于第二被粘物的相对位置。

公开(公告)号：JP2014220329A

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：JP2013097728

申请日：2013-05-07

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  Sumitomo Electric Ind Ltd

Inventor： SUGIMURA TAKAHIRO ,  NOZU HIROSHI

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/049 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40151 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48097 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/8493 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/8593 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2221/68304

Abstract: 【課題】設計自由度の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1被着体としての電極端子12Aと第2被着体としての半導体チップ14Aの間を配線16Aにより接続する接続工程と、接続工程の後、電極端子12A及び半導体チップ14Aの少なくとも1つを移動することによって、電極端子12Aを半導体チップ14Aに対して相対的に移動する移動工程と、半導体チップ14Aに対する電極端子12Aの相対的な位置を固定する固定工程と、を含む。【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有高设计灵活性的半导体器件制造方法。解决方案：一种半导体器件制造方法，包括：将作为第一被粘物的电极端子12A和作为第二被粘物的半导体芯片14A作为第二被粘物连接的连接工艺 接线16A; 通过在连接处理之后移动电极端子12A和半导体芯片14A中的至少一个来相对于半导体芯片14A相对移动电极端子12A的移动过程; 以及固定电极端子12A相对于半导体芯片14A的相对位置的定影处理。

公开(公告)号：KR101814022B1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：KR1020120008381

申请日：2012-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍지석 ,  최광철 ,  김상원 ,  송현정 ,  최은경

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 반도체패키지를제공한다. 반도체패키지는, 제1 반도체소자, 제1 반도체소자와이격되어마주하는제2 반도체소자, 제1 및제2 반도체소자들을전기적으로연결하는연결구조물들및 연결구조물들을보호하며제1 및제2 반도체소자들사이를접착시키는보호구조물을포함한다. 보호구조물은, 평면적으로볼 때상기연결구조물들을완전히감싸는제1 물질막및 제1 물질막을감싸는제2 물질막을포함한다.

Abstract translation: 提供半导体封装。 半导体封装包括第一半导体元件，背对第一半导体元件的第二半导体元件，用于电连接第一和第二半导体元件的连接结构和连接结构，以及第一和第二半导体元件 并有保护结构用于粘附保护层。 保护结构包括当在平面图中观察时完全包围连接结构的第一材料膜和围绕第一材料膜的第二材料膜。

公开(公告)号：KR1020130087235A

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：KR1020120008381

申请日：2012-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍지석 ,  최광철 ,  김상원 ,  송현정 ,  최은경

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: PURPOSE: A semiconductor package is provided to improve the reliability of the semiconductor package by suppressing a void in a molding structure by an extruded first material layer. CONSTITUTION: A first semiconductor device (100) includes a substrate (102) and a penetration electrode (104). A second semiconductor device (200) is separated from the first semiconductor device. A connection structure (110,210) electrically connects the first and second semiconductor devices. A protection structure (300) is arranged between the first and second semiconductor devices and protects the connection structure. The protection structure includes a first material layer (302) and a second material layer (304) which surrounds the first material layer.

Abstract translation: 目的：提供半导体封装以通过挤压的第一材料层抑制模制结构中的空隙来提高半导体封装的可靠性。 构成：第一半导体器件（100）包括衬底（102）和穿透电极（104）。 第二半导体器件（200）与第一半导体器件分离。 连接结构（110,210）电连接第一和第二半导体器件。 保护结构（300）布置在第一和第二半导体器件之间并保护连接结构。 保护结构包括围绕第一材料层的第一材料层（302）和第二材料层（304）。