公开(公告)号：TWI448823B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW096137334

申请日：2007-10-04

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 喬漢斯 昂夫里 ,  ONVLEE, JOHANNES ,  倫得 泰恩 普拉格 ,  PLUG, REINDER TEUN ,  修伯特 瑪里 塞傑斯 ,  SEGERS, HUBERT MARIE ,  大衛 克里斯多夫 歐克威爾 ,  OCKWELL, DAVID CHRISTOPHER ,  保羅 傑可斯 凡 威傑南 ,  VAN WIJNEN, PAUL JACQUES ,  蘇珊 里歐尼 奧爾 瓊皮爾 ,  AUER - JONGEPIER, SUZAN LEONIE ,  艾瑞克 羅勒夫 洛卜史塔 ,  LOOPSTRA, ERIK ROELOF

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

CPC classification number: H01L21/67745 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67225

公开(公告)号：TWI446482B

公开(公告)日：2014-07-21

申请号：TW097136226

申请日：2008-09-19

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 安可 喬瑟夫 柯那勒斯 史哲班 ,  SIJBEN, ANKO JOZEF CORNELUS ,  賈克 安卓爾 魯道夫 凡 安培 ,  VAN EMPEL, TJARKO ADRIAAN RUDOLF ,  雷默德 微瑟 ,  VISSER, RAIMOND ,  喬漢納 亨利卡斯 潔特斯 法雷森 ,  FRANSSEN, JOHANNES HENDRIKUS GERTRUDIS ,  宗昆 楊 ,  YANG, ZONGQUAN ,  亞伯特 裴爾斯 ,  BRALS, ALBERT ,  亞伯特 彼特 瑞傑瑪 ,  RIJPMA, ALBERT PIETER

IPC: H01L21/683 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/6831 ,  G03F7/70708 ,  H01L21/6875

公开(公告)号：TW201428430A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102141322

申请日：2013-11-13

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 柯恩 威廉 赫曼 捷度達 安納 ,  KOENEN, WILLEM HERMAN GERTRUDA ANNA

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F9/7076 ,  G01D5/347 ,  G01D5/34776 ,  G01D5/38 ,  G02B5/1861 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70775 ,  G03F9/7049 ,  G03F9/7088

Abstract: 一種用於一位置量測系統之光柵，該光柵包括在一第一方向上之一第一光柵線陣列及在一第二方向上之一第二光柵線陣列。該第一陣列及該第二陣列將入射於該第一陣列及該第二陣列上之一量測光束繞射成在該第一方向上之至少一第一繞射光束及在該第二方向上之至少一第二繞射光束。該至少一第一繞射光束係用於在該第一方向上之位置量測，且該至少一第二繞射光束係用於在該第二方向上之位置量測。該量測光束具有一功率量，且該光柵經組態以使該功率量遍及該至少一第一繞射光束及該至少一第二繞射光束不均勻地分佈。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于一位置量测系统之光栅，该光栅包括在一第一方向上之一第一光栅线数组及在一第二方向上之一第二光栅线数组。该第一数组及该第二数组将入射于该第一数组及该第二数组上之一量测光束绕射成在该第一方向上之至少一第一绕射光束及在该第二方向上之至少一第二绕射光束。该至少一第一绕射光束系用于在该第一方向上之位置量测，且该至少一第二绕射光束系用于在该第二方向上之位置量测。该量测光束具有一功率量，且该光栅经组态以使该功率量遍及该至少一第一绕射光束及该至少一第二绕射光束不均匀地分布。

公开(公告)号：TWI445283B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW099118239

申请日：2010-06-04

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 馬卡羅維克 潔洛傑 ,  MAKAROVIC, JURAJ ,  庫普司 羅迪 ,  KOOPS, RODY ,  凡 薩芬 湯姆 ,  VAN ZUTPHEN, TOM

IPC: H02K3/04 ,  H02K41/03 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70758 ,  H01F5/00 ,  H01F2027/2857 ,  H02K3/04 ,  H02K3/40 ,  H02K9/22 ,  H02K11/01 ,  H02K41/02 ,  H02K41/0354 ,  H02K2201/18

公开(公告)号：TWI444781B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW097129443

申请日：2008-08-01

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 克瑞馬 ,  CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70625

公开(公告)号：TWI443477B

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW100107227

申请日：2011-03-03

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 拉法瑞 雷孟德 威黑墨斯 路易斯 ,  LAFARRE, RAYMOND WILHELMUS LOUIS ,  萊平 密歇爾 ,  RIEPEN, MICHEL ,  科提 羅吉爾 漢特李庫斯 馬格達雷納 ,  CORTIE, ROGIER HENDRIKUS MAGDALENA ,  梅傑爾斯 羅夫 喬瑟夫 ,  MEIJERS, RALPH JOSEPH ,  伊凡格麗斯塔 法布里奇奧 ,  EVANGELISTA, FABRIZIO

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03B27/52 ,  G03F7/70341

公开(公告)号：TWI440982B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：TW096118776

申请日：2007-05-25

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 倫得 泰恩 普拉格 ,  PLUG, REINDER TEUN ,  艾瑞 傑佛瑞 丹 伯夫 ,  DEN BOEF, ARIE JEFFREY ,  卡雷爾 戴德瑞克 凡 德 馬斯特 ,  VAN DER MAST, KAREL DIEDERICK

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70758 ,  G03F7/70766

公开(公告)号：TW201421172A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW103105158

申请日：2010-05-11

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 丹 伯夫 艾瑞 傑佛瑞 ,  DEN BOEF, ARIE JEFFREY ,  克瑞馬 雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 ,  CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH ,  希尼 保羅 克利絲丁安 ,  HINNEN, PAUL CHRISTIAAN

IPC: G03F7/207 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70641

Abstract: 本發明提供一種方法，其用以判定在一基板上用於一微影製程中之一微影裝置之聚焦。使用該微影製程以在該基板上形成至少兩個週期性結構。每一結構具有至少一特徵，該至少一特徵具有在相對側壁角度之間的一不對稱性，該不對稱性作為在該基板上該微影裝置之該聚焦之一不同函數而變化。量測藉由將一輻射光束引導至該至少兩個週期性結構上所產生之一光譜，且判定該等不對稱性之比率。使用每一結構的該等比率及在該聚焦與該側壁不對稱性之間的一關係來判定在該基板上該微影裝置之該聚焦。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种方法，其用以判定在一基板上用于一微影制程中之一微影设备之聚焦。使用该微影制程以在该基板上形成至少两个周期性结构。每一结构具有至少一特征，该至少一特征具有在相对侧壁角度之间的一不对称性，该不对称性作为在该基板上该微影设备之该聚焦之一不同函数而变化。量测借由将一辐射光束引导至该至少两个周期性结构上所产生之一光谱，且判定该等不对称性之比率。使用每一结构的该等比率及在该聚焦与该侧壁不对称性之间的一关系来判定在该基板上该微影设备之该聚焦。

公开(公告)号：TWI438580B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：TW100106089

申请日：2011-02-23

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 昂夫里 喬漢斯 ,  ONVLEE, JOHANNES ,  德 賈格 皮耶特 威廉 荷曼 ,  DE JAGER, PIETER WILLEM HERMAN ,  范 茲維 愛爾恩 約翰 ,  VAN ZWET, ERWIN JOHN

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70475 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70391 ,  G03F7/704

公开(公告)号：TWI437381B

公开(公告)日：2014-05-11

申请号：TW100136784

申请日：2011-10-11

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 貝瑟斯 大衛 ,  BESSEMS, DAVID ,  科提 羅吉爾 漢特李庫斯 馬格達雷納 ,  CORTIE, ROGIER HENDRIKUS MAGDALENA ,  凡 德 禪登 馬可 約翰那斯 ,  VAN DER ZANDEN, MARCUS JOHANNES ,  羅伯茲 康納利 馬利亞 ,  ROPS, CORNELIUS MARIA ,  威廉斯 保羅 ,  WILLEMS, PAUL ,  凡 迪 溫可 吉米 馬特斯 威哈幕斯 ,  VAN DE WINKEL, JIMMY MATHEUS WILHELMUS ,  優莫林 艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 ,  EUMMELEN, ERIK HENRICUS EGIDIUS CATHARINA

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341