公开(公告)号：FR2928508B1

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：FR0851486

申请日：2008-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BONNET BENOIT ,  DUPONT FRANCOIS

IPC: H04B7/005 ,  H01Q1/52

公开(公告)号：FR2987698B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：FR1251947

申请日：2012-03-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  HAGUE YANNICK ,  GAUTIER GAEL

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/04

公开(公告)号：FR2979042B1

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：FR1157304

申请日：2011-08-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： COLLEONI ERIC ,  EZZEDDINE HILAL

IPC: H04B3/03

公开(公告)号：FR2982077B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1159707

申请日：2011-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK

IPC: H01L29/747 ,  H01L27/06

公开(公告)号：FR2969824B1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1061212

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

公开(公告)号：FR2969417B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1060712

申请日：2010-12-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： GONTHIER LAURENT ,  PASSAL ANTOINE

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/12

公开(公告)号：FR2969825B1

公开(公告)日：2013-07-12

申请号：FR1061213

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87 ,  H01L21/70

公开(公告)号：FR2983349A1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：FR1160816

申请日：2011-11-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： NGO SOPHIE ,  FLORENCE ARNAUD ,  ALQUIER DANIEL ,  JEANNE EDGARD

IPC: H01L27/20 ,  H03H9/15 ,  H04R1/22

Abstract: L'invention concerne un dispositif de transmission d'une information à isolation galvanique, comprenant des moyens de codage (80) de ladite information dans un signal multifréquence (f , f ) ; un premier réseau de transducteurs ultrasonores (E) à membrane vibrante, formé sur une première face d'une plaquette, adapté à convertir ledit signal en un signal acoustique multifréquence se propageant dans ladite plaquette ; et un deuxième réseau de transducteurs ultrasonores (R) formé sur une deuxième face de ladite plaquette, le deuxième réseau comprenant au moins deux ensembles de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante dont les fréquences de résonance sont égales à deux fréquences distinctes (f , f ) du signal multifréquence.

公开(公告)号：FR2982077A1

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：FR1159707

申请日：2011-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK

IPC: H01L29/747 ,  H01L27/06

Abstract: L'invention concerne un triac à amplification de gâchette comprenant dans un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de conductivité un triac vertical (TR) et un transistor bipolaire latéral (T) dont l'émetteur est relié à la gâchette du triac, la base à une borne de commande et le collecteur à une borne destinée à être connectée à une première tension de référence (GND), la borne principale du triac du côté du transistor étant destinée à être connectée à une deuxième tension de référence (VCC), le transistor étant réalisé dans un premier caisson (30) du deuxième type de conductivité et le triac comprenant du côté du transistor un deuxième caisson (3) du deuxième type de conductivité, les premier et deuxième caissons étant réalisés de sorte que la tension de claquage substrat-caisson du transistor est supérieure à la tension de claquage substrat-caisson du triac d'au moins la différence entre les première et deuxième tensions de référence.

公开(公告)号：PL2214245T3

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PL09180914

申请日：2009-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： KARST NICOLAS ,  FAUCHEUX VINCENT ,  LAUGIER CHRISTELLE ,  LAURENT JEAN-YVES

IPC: H01M8/04 ,  H01M8/06