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公开(公告)号：CN113345898A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110188281.8
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 半导体器件包括：元件隔离区；第一有源区，由元件隔离区界定并且沿第一方向延伸，第一有源区包括设置在第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在位于第一高度上方的第二高度处的第三部分；以及栅电极，设置在元件隔离区和第一有源区中的每一个内并且沿不同于第一方向的第二方向延伸。第二部分沿第一方向与第一部分间隔开，并且第三部分与第一部分和第二部分中的每一个接触。第一部分沿第二方向的第一宽度小于第三部分沿第二方向的第二宽度。
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公开(公告)号：CN112582417A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010867759.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。
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公开(公告)号：CN107305837B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710152713.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区，在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔，在第一通孔上形成阻挡金属层，形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件，在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸，第一掩模图案包括第一开口，通过利用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫，通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。
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公开(公告)号：CN110021582A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811509486.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明构思提供了一种集成电路器件和制造其的方法。所述集成电路器件可以包括在衬底上方的支撑图案、在衬底上方的下电极图案和电介质结构、以及在电介质结构上的上电极结构。支撑图案可以包括在垂直方向上延伸的第一支撑结构。下电极图案可以在支撑图案与电介质结构之间。下电极图案可以包括彼此间隔开的第一组N个(例如4或更大的整数)下电极，并且可以在垂直方向上延伸到衬底之上的第一水平。电介质结构可以包括在垂直方向上延伸并围绕第一支撑结构和第一组N个下电极的第一电介质突起。上电极结构可以包括围绕第一电介质突起的第一上电极突起。
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公开(公告)号：CN109154879A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030523.2
申请日：2017-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0488 , G06F3/048 , G06F3/0482
Abstract: 提供了一种具有触摸屏的电子设备中处理输入的方法。该方法包括：识别与通过触摸屏检测到的触摸输入的面积相对应的几何图形的属性信息，基于存储的用户输入区分规则，根据属性信息确定用户输入，以及执行与所确定的用户输入相对应的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987406A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810494130.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568
CPC classification number: H01L29/0649 , G11C11/4085 , H01L21/76232 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种集成电路器件和制造该集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括具有沿平行于衬底的上表面的方向彼此分开的第一区域和第二区域的衬底。界面器件隔离层填充在第一区域与第二区域之间的界面区域中的界面沟槽，并且限定位于第一区域中的第一有源区的一部分和位于第二区域中的第二有源区的一部分。绝缘图案从第一区域延伸到界面器件隔离层的上部分。绝缘图案覆盖界面器件隔离层的至少一部分和第一有源区。绝缘图案在界面器件隔离层的上表面上限定底切区域。掩埋图案实质上填充底切区域。
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公开(公告)号：CN108206181A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711383470.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10897 , G11C11/4085 , G11C11/4091 , H01L23/528 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10894 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/42376 , H01L27/0207 , H01L27/10805 , H01L27/10885
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元有源区和外围有源区；直接接触件，其排列在形成在所述衬底上的单元绝缘图案上，并且连接至所述单元有源区；位线结构，其包括与所述直接接触件的侧表面接触的薄导电图案；以及外围栅极结构，其位于所述外围有源区。所述外围栅极结构包括外围栅极绝缘图案和外围栅极导电图案的堆叠结构，所述薄导电图案包括第一材料，并且所述外围栅极导电图案包括所述第一材料，并且所述薄导电图案的上表面的水平比所述外围栅极导电图案的上表面的水平更低。
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公开(公告)号：CN107305837A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710152713.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/027 , G03F1/38 , H01L21/02107 , H01L21/02697 , H01L27/0207 , H01L27/10888 , H01L21/02225 , H01L21/02227 , H01L21/74
Abstract: 提供了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区，在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔，在第一通孔上形成阻挡金属层，形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件，在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸，第一掩模图案包括第一开口，通过利用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫，通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。
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公开(公告)号：CN107077276A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055979.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0484 , G06F3/0488
CPC classification number: G06F3/04812 , G06F3/0481 , G06F3/04842 , G06F3/04883
Abstract: 本公开涉及传感器网络、机器类型通信(MTC)、机器与机器(M2M)通信、以及用于物联网的技术(IoT)。基于诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、互联汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全以及安保服务的上述技术，本公开可以应用于智能服务。提供了一种由电子设备提供用户界面(UI)的方法。该方法包括显示控制UI、经由显示的控制UI接收第一拖动输入、并且当第一拖动输入的方向对应于第一方向时在预设位置处显示光标UI。根据本公开的实施例，可以提供通过其电子设备可以容易地接收用户输入的UI。更具体地，在包括单手输入的有限输入状态下，用户可以容易地做出用于选择显示在显示单元上的项目的输入，并且因此，可以提高用户便利性。
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公开(公告)号：CN106961655A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710012710.X
申请日：2017-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及传感器网络、机器类型通信(MTC)、机器对机器(M2M)通信以及物联网(IoT)技术。本公开可应用于基于上述技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、连接汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全性和安全服务。通过服务器检测伪造通告器的方法包括基于从基准设备接收到的通告分组的时间戳检测基准设备的随机延迟时间或累积间隔，以及基于从接收设备接收到的通告分组的时间戳检测不同于基准设备的接收设备的随机延迟时间或累积间隔。
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