公开(公告)号：WO2009076111A2

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：PCT/US2008085312

申请日：2008-12-03

Applicant: GEN ELECTRIC ,  HOPKINS FORREST FRANK ,  LEE SUSANNE MADELINE ,  EDIC PETER MICHAEL

Inventor： HOPKINS FORREST FRANK ,  LEE SUSANNE MADELINE ,  EDIC PETER MICHAEL

IPC: G21K1/06 ,  G21K1/10 ,  H01J35/16

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/10 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067 ,  H01J35/16 ,  H01J2235/183

Abstract: A multi-energy imaging system and method for selectively generating high-energy X-rays and low-energy X-ray beams are described. A pair of optic devices are used, one optic device being formed to emit high X-ray energies and the other optic device being formed to emit low X-ray energies. A selective filtering mechanism is used to filter the high X-ray energies from the low X-ray energies. The optic devices have at least a first solid phase layer having a first index of refraction with a first photon transmission property and a second solid phase layer having a second index of refraction with a second photon transmission property. The first and second layers are conformal to each other.

Abstract translation: 描述了用于选择性地产生高能量X射线和低能量X射线束的多能量成像系统和方法。 使用一对光学装置，一个光学装置形成为发射高的X射线能量，而另一个光学装置形成为发射低的X射线能量。 选择性过滤机制用于过滤来自低X射线能量的高X射线能量。 该光学器件至少具有第一固相层，该第一固相层具有第一光子透射特性的第一折射率和具有第二光子透射特性的第二折射率的第二固相层。 第一层和第二层彼此保形。

公开(公告)号：WO2009012732A3

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：PCT/CZ2008000072

申请日：2008-06-19

Applicant: CESKE VUT V PRAZE ,  CHADZITASKOS GOCE

Inventor： CHADZITASKOS GOCE

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K7/00 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067

Abstract: Optical set-up displaying X-ray radiation with wavelength ? consists of monocrystal (1) with atomic planes (2) in parallel with optical axis (3). The mutual distance of the atomic planes in resting state without the force is d0. Cross section (S) of the monocrystal (1) is variable. With respect to the optical axis (3) the farther and/or closer side of monocrystal (1), which is orthogonal to this optical axis (3), is equipped with a device creating and maintaining pull or push force (F) in direction orthogonal to atomic planes (2) of such monocrystal (1).

Abstract translation: 光学设置显示了具有波长的X射线辐射？ 由具有与光轴（3）平行的原子平面（2）的单晶（1）组成。 原子平面在没有力的静止状态下的相互距离为d0。 单晶（1）的截面（S）是可变的。 相对于光轴（3），与该光轴（3）正交的单晶（1）的更远侧和/或更近侧配备有在方向上产生并保持拉力或推力（F）的装置 与这种单晶（1）的原子平面（2）正交。

公开(公告)号：WO2008135542A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/EP2008/055458

申请日：2008-05-05

Applicant: Universität Hamburg ,  WOCHNOWSKI, Jörn, Volkher ,  HECK, Jürgen

Inventor： WOCHNOWSKI, Jörn, Volkher ,  HECK, Jürgen

IPC: C23C16/04 ,  C03C17/00 ,  C23C16/02 ,  G02B6/06

CPC classification number: C23C16/045 ,  B82Y20/00 ,  C03C11/00 ,  C03C15/00 ,  C03C17/06 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/254 ,  C03C2218/113 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/154 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/405 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/067

Abstract: Die Erfindung betrifft eine modifizierte Multikanalstruktur, bei der die Multikanalstruktur mindestens 10, bevorzugt mindestens 100, besonders bevorzugt mindestens 1000 und am meisten bevorzugt mindestens 10000 Kanäle aufweist und in die Kanäle der Multikanalstruktur eine Innenbeschichtung und/oder Partikel eingebracht sind. Die Erfindung betrifft auch Verfahren zur Herstellung der modifizierten Multikanalstruktur sowie deren Verwendung.

Abstract translation: 本发明涉及经修饰的多通道结构，其中多通道结构是至少10，优选至少100，更优选至少1000，最优选至少10,000道和内涂层和/或颗粒被引入到多声道结构的通道。 本发明还涉及一种用于制备改性的多通道结构，以及它们的使用方法。

公开(公告)号：WO2008102685A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/JP2008/052422

申请日：2008-02-14

Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 ,  大原 弘

Inventor： 大原 弘

IPC: A61B6/00

CPC classification number: A61B6/4291 ,  A61B6/04 ,  A61B6/4007 ,  A61B6/4488 ,  A61B6/48 ,  A61B6/484 ,  A61B6/505 ,  A61B6/5258 ,  A61B6/5282 ,  A61B6/586 ,  G01N23/20075 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/067 ,  G21K2207/005

Abstract: 　放射線画像撮影装置１は、１５～６０ｋｅＶの平均エネルギーを有するＸ線を照射するＸ線管８と、複数のスリット１１１が設けられたマルチスリット１１と、被写体Ｈを透過したＸ線を回折させてタルボ効果を生じさせる第一回折格子１５と、Ｘ線をさらに回折する第二回折格子１６と、第二回折格子１６により回折されたＸ線を検出するＸ線検出器１７とを備え、第二回折格子１６をＸ線検出器１７に当接させ、マルチスリット１１と第一回折格子１５との距離Ｌは０．５ｍ以上、第一回折格子１５と第二回折格子１６との距離Ｚ １ は０．０５ｍ以上、且つ、前記マルチスリット１１のスリット間隔ｄ ０ は２μｍ以上に設定される。これにより、タルボ・ロー干渉計方式を用いて人体の軟骨組織等の辺縁部のコントラストを強調した良好なＸ線画像を得ることができる。

Abstract translation: 放射线摄像装置（1）具备：X射线管（8），用于照射平均能量为15-60keV的X射线;多个狭缝部件（11），由多个狭缝（111） ），用于衍射穿透物体（H）的X射线以产生Talbot效应的第一衍射光栅（15），用于进一步衍射X射线的第二衍射光栅（16）和X射线检测器（17） 用于检测由第二衍射光栅（16）衍射的X射线。 第二衍射光栅（16）与X射线检测器（17）接触。 多缝构件（11）与第一衍射光栅（15）之间的距离L设定为不小于0.5μm，第一衍射光栅（15）与第一衍射光栅（15）之间的距离Z <1 < 第二衍射光栅（16）被设定为不小于0.05μm，并且多狭缝部件（11）的狭缝间隔d 0 <0>被设定为不小于2μm。 通过设置，可以通过使用Talbot-Lau干涉仪系统获得具有增强的软骨组织周向部分的对比度的良好X射线图像。

公开(公告)号：WO2008079007A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/NL2007/050691

申请日：2007-12-21

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V. ,  SOER, Wouter Anthon ,  BANINE, Vadim Yevgenyevich ,  VAN HERPEN, Maarten Marinus Johannes Wilhelmus

Inventor： SOER, Wouter Anthon ,  BANINE, Vadim Yevgenyevich ,  VAN HERPEN, Maarten Marinus Johannes Wilhelmus

IPC: G03F1/14

CPC classification number: G03F7/70283 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/34 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: A patterning device for a photolithographic apparatus is used to form a patterned radiation beam, by imparting a cross-sectional pattern to the radiation beam during reflection from the patterning device. The patterning device comprises a layer of phase-change material that is capable of locally undergoing an induced structural phase change into respective ones of a plurality of stable and/or metastable states. Furthermore, the patterning device comprises a radiation reflective structure with periodically arranged layers adjacent to the layer of phase-change material. The radiation reflective structures do not partake in the phase changes. By locally changing the phase of the phase-change material, the reflectivity of the whole structure is modified, for example due to thickness changes in the layer of phase-change material that lead to destructive interference of different components of the reflected light or due to changes in surface roughness of the radiation reflective structure.

Abstract translation: 用于光刻设备的图案形成装置用于通过在从图案形成装置反射期间将辐射束赋予横截面图案来形成图案化的辐射束。 图案形成装置包括相变材料层，其能够局部地经历诱发的结构相变为多个稳定和/或亚稳态中的相应的。 此外，图案形成装置包括具有与相变材料层相邻的周期性排列的层的辐射反射结构。 辐射反射结构不参与相位变化。 通过局部改变相变材料的相位，整个结构的反射率被改变，例如由于相变材料层中的厚度变化导致反射光的不同分量的破坏性干扰或由于 辐射反射结构的表面粗糙度变化。

公开(公告)号：WO2007135183A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：PCT/EP2007/055034

申请日：2007-05-24

Applicant: XENOCS ,  HOGHOJ, Peter ,  RODRIGUES, Sergio

Inventor： HOGHOJ, Peter ,  RODRIGUES, Sergio

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/067

Abstract: L'invention concerne un ensemble optique comprenant un empilement d'une pluralité de coques réflectives (10;20), chaque coque réflective comprenant un substrat (11) ayant une face arrière (111) comprenant une pluralité de nervures (111 ) formant entretoise et une face avant (112), et un revêtement réflecteur (12) pour rayons X déposé sur la face avant (112) du substrat (11), caractérisé en ce que chaque coque réflective (10) comprend en outre une couche d'adhésion (13) déposée sur le revêtement réflecteur (12), la couche d'adhésion (13) étant une couche mince formée dans un matériau inorganique permettant une adhésion moléculaire avec la face arrière du substrat (21) de la coque réflective adjacente (20). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel ensemble optique.

Abstract translation: 本发明涉及一种光学组件，其包括多个反射壳体（10; 20）的叠层，其中每个反射壳体包括具有多个间隔肋（111）的背面（111）和 前表面（112）和沉积在基板（11）的前表面（112）上的X射线反射涂层（12），其特征在于，每个反射壳体（10）还包括粘附层（13） 所述反射涂层（21），所述粘合剂层（13）是由能够与所述相邻反射壳体（20）的所述基板（21）的背面分子粘合的无机材料制成的薄层。 本发明还涉及制造这种光学组件的方法。

公开(公告)号：WO2007123294A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/KR2006/003453

申请日：2006-08-31

Applicant: WONKWANG UNIVERSITY CENTER FOR INDUSTRY-ACADEMY COOPERATION ,  CHEON, Kwon-soo ,  YOON, Kwon-ha

Inventor： CHEON, Kwon-soo ,  YOON, Kwon-ha

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/067

Abstract: Provided are an X-ray mirror master mandrel and a method of replicating an X-ray mirror using the X-ray mirror master mandrel. The X-ray mirror master mandrel includes a jig and a master mandrel. The jig is fixed to a front end of a spindle of an ultra-precision machining apparatus using first coupling members. The master mandrel includes a fixing end, a neck, a mirror portion, and an interface. The fixing end is fixed to a front end of the jig using second coupling members. The neck extends from a front end of the fixing end. The mirror portion extends from a front end of the neck. The interface is formed due to a difference between a diameter of the neck and a diameter of the mirror portion. The diameter of the mirror portion is greater than the diameter of the neck.

Abstract translation: 提供了X射线镜主轴和使用X射线镜主轴的X射线镜的复制方法。 X射线镜主轴包括夹具和主心轴。 使用第一联接构件将夹具固定到超精密加工装置的主轴的前端。 主心轴包括固定端，颈部，镜部分和界面。 使用第二联接构件将固定端固定到夹具的前端。 颈部从固定端的前端延伸。 镜子部分从颈部的前端延伸。 由于颈部的直径与镜部的直径的差异，形成界面。 镜部分的直径大于颈部的直径。

公开(公告)号：WO2007081059A2

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：PCT/JP2007050845

申请日：2007-01-12

Applicant: ASAHI GLASS CO LTD ,  IKUTA YOSHIAKI ,  UNO TOSHIYUKI ,  EBIHARA KEN

Inventor： IKUTA YOSHIAKI ,  UNO TOSHIYUKI ,  EBIHARA KEN

IPC: G03F1/14

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F7/70708 ,  G21K2201/067 ,  Y10T428/31616

Abstract: ABSTRACT There are provided a substrate with a reflective layer and an EUV mask blank, which can prevent particles from adhering to a surface of the reflective layer or an absorbing layer, or into a reflective layer or an absorbing layer during formation thereof by eliminating electrical connection between a film formed on a front surface of the substrate and a film formed on a rear surface of the substrate. A substrate with a reflective layer, which is usable to fabricate a reflective mask blank for EUV lithography, comprising a chucking layer formed on a rear surface opposite a surface with the reflective layer formed thereon, the chucking layer serving to chuck and support the substrate by an electrostatic chuck, wherein the reflective layer has no electrical connection to the chucking layer.

Abstract translation: 摘要提供了具有反射层和EUV掩模坯料的基板，其可以通过消除电连接来防止颗粒附着到反射层或吸收层的表面，或者在其形成期间附着到反射层或吸收层中 在形成在基板的前表面上的膜和形成在基板的后表面上的膜之间。 具有反射层的基板，其可用于制造用于EUV光刻的反射掩模板，包括形成在与形成在其上的反射层相反的表面的后表面上的夹持层，夹持层用于卡盘并支撑基板， 静电卡盘，其中反射层与夹持层没有电连接。

公开(公告)号：WO2007072906A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：PCT/JP2006/325491

申请日：2006-12-21

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人東北大学 ,  奥田 浩司 ,  落合 庄治郎 ,  中嶋 一雄 ,  藤原 航三

Inventor： 奥田 浩司 ,  落合 庄治郎 ,  中嶋 一雄 ,  藤原 航三

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/201

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 　Si,Ge,GaAs等の半導体単結晶板が型押し部材に挟み込まれて高温加圧により塑性変形された場合に結晶格子面の結晶表面に対する傾きがJohanssonの回折条件を満たすように、半導体単結晶板の片面上を研磨する予備研磨工程と、集光円を回転させた凸状の２次曲面を持つ凸状型押し部材、および、Johanssonの回折条件を満たすために上記半導体単結晶板の結晶格子が満たすべき曲率の凹状の２次曲面を持つ凹状型押し部材の間に、研磨された面が凸状型押し部材の２次曲面に対向し、研磨されていない面が凹状型押し部材の２次曲面に対向するように半導体単結晶板を挟み込み、高温高圧下で塑性変形させる。これにより、曲率分布結晶レンズを効率よく作成することができる。

Abstract translation: 在预处理步骤中，对半导体单晶板的一侧进行研磨，使得当将Si，Ge，GaAs等的半导体单晶板插入到压花部件中，然后在高温高压条件下进行塑性变形 晶格面对晶体表面的倾斜度满足约翰逊衍射条件。 半导体单晶板被保持在具有光聚焦圆已经旋转的突出二次曲线的突出按压构件和具有凹凸二次曲线的凹入的按压构件之间，其具有要被半导体的晶格所满足的曲率 用于满足Johansson衍射条件的单晶板。 在这种情况下，保持半导体单晶板使得抛光面以二次曲线面对突出的按压构件，并且未抛光面以其二次曲线面对凹入的按压构件，随后在高温高压下塑性变形 条件。 根据上述结构，可以有效地制作曲率分布晶体透镜。

公开(公告)号：WO2006077329A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：PCT/FR2006/000133

申请日：2006-01-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  RIEUTORD, François

Inventor： RIEUTORD, François

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/067 ,  Y10T29/49826

Abstract: L'invention concerne un dispositif monochromateur (14) de sélection d'au moins une bande de longueurs d'onde à partir d'un rayonnement incident dans une gamme de longueurs d'onde donnée, caractérisé en ce qu'il comporte : - au moins une couche optique (30) d'un matériau monocristallin dont la raie cristallographique est adaptée à ladite au moins une bande de longueurs d'onde à sélectionner, - un substrat mécanique (32), ladite au moins une couche optique et le substrat mécanique étant assemblés par collage moléculaire.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于从给定波长范围内的入射辐射中选择至少一个波长带的单色仪装置（14）。 本发明的特征在于它包括：至少一个单晶材料的光学层（30），其具有适于所选择的所述至少一个波长带的结晶线; 和机械衬底（32）。 根据本发明，所述至少一个光学层和机械衬底通过分子键合组装。