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公开(公告)号：CN1725416B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200410050829.9
申请日：2004-07-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示装置及其制备方法，用于解决三极或四极型场发射显示装置中栅极与阴极间绝缘层难于制造的技术问题。该场发射显示装置包括：一绝缘基底，具有多个电子发射端的阴极，以及栅极，其特征在于该绝缘基底一表面上内陷有多个凹槽，阴极形成于该凹槽底部，栅极形成于该基底非凹槽部分的表面，并通过基底与阴极绝缘。本发明还提供一种场发射显示装置的制备方法，其包括下列步骤：步骤一，提供一具有一平整表面的绝缘基底；步骤二，在绝缘基底表面形成多个内陷的凹槽；步骤三，在凹槽底部形成阴极层；步骤四，在阴极层上形成电子发射端；步骤五，提供栅极模组，并将其对准安装在基底表面，栅极模组包括栅极和栅极载体。
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公开(公告)号：CN102496539A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110450585.3
申请日：2011-12-19
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明涉及一种电子脉冲准线性对称型脉宽压缩装置及方法，以电子脉冲的传输方向建立Z轴，包括沿Z轴方向依次设置透射式光电阴极、交变电场谐振腔以及直流电源，交变电场谐振腔的一侧设置有阳极栅网、另一侧设置有调制栅网。本发明解决了目前100fs量级超短电子脉冲产生方法及相关系统在工程应用方面的局限性问题，提出了电子脉冲准线性对称型脉宽压缩装置及方法，利用交变电场对电子脉冲施以差别性能量调制作用以达到压缩电子脉冲脉宽的目的。
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公开(公告)号：CN101506927B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200680055690.4
申请日：2006-06-30
CPC classification number: H01J37/065 , H01J35/06 , H01J2201/196 , H01J2237/06316 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供一种具有在电子束发射侧曲率半径为2.0μm的锥端的肖特基发射器。因为曲率半径大于等于1μm，电子枪的焦距可以比在曲率半径在0.5μm到不超过0.6μm的范围的传统实践中的更长。发现焦距粗略地和曲率半径成正比。因为角电流强度(每单位立体角的束流)和电子枪焦距的平方成正比，可以在发射器半径可实现的增加内把前者提高一个数量级。更高的角电流强度意味着来自电子枪更大的可用束流，而本发明使肖特基发射器能够用于要求微安量级的相对高的束流的应用中，例如微焦点X射线管、电子探针显微分析仪和电子束光刻系统。
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公开(公告)号：CN102449721A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022641.7
申请日：2010-03-23
Applicant: 有机自旋电子学有限公司
IPC: H01J3/02 , H01J37/077
Abstract: 一种用于产生等离子体并用于朝着特定目标(3)引导电子流的装置(1)；装置(1)包括：中空阴极(5)；主电极(7)，至少部分地设置在阴极(5)内；电阻器(12)，将主电极(7)电接地；基本介电的管状元件(21)，穿过阴极的壁(22)延伸；环状阳极(25)，围绕管状元件(21)设置并接地；以及激活组(11)，所述激活组电连接至阴极(5)，并能够在约10ns内使阴极(5)的电位降低至少8kV。
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公开(公告)号：CN101599401B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810114538.X
申请日：2008-06-06
Applicant: 中国科学院电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种抑制回旋管放大器双阳极磁控式注入电子枪区振荡的方法，该方法包括：对第一阳极外侧壁金属表面进行粗糙化处理；在粗糙化后的第一阳极外侧壁金属表面涂一层衰减材料；将涂有衰减材料的样品放入氢炉中高温烧结。利用本发明，有效地抑制了回旋管放大器双阳极磁控式注入电子枪区的振荡，避免了对回旋管放大器稳定工作造成的危害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101192490B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610157055.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/316 , B82Y10/00 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165
Abstract: 本发明涉及一种表面传导电子发射元件(Surface-Conduction ElectronEmitter，简称SCE)。该表面传导电子发射元件包括一基板，一对位于基板上的平行电极及多个碳纳米管。本发明还涉及一电子源，该电子源包括一基板及多个上述SCE，多个SCE于基板上平行排列。该SCE与电子源可应用于表面传导电子发射显示装置(Surface Conduction Electron Emitter Display，简称SED)。
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公开(公告)号：CN100585780C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm (2)。其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号：CN101047085A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610060128.2
申请日：2006-03-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J7/18 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括至少一个电子发射体，该电子发射体包括导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，该电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及一种制造上述场发射电子源的方法。
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公开(公告)号：CN101000844A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710051232.X
申请日：2007-01-09
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种复合场致电子发射材料，包括导电基底，以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射材的制备方法为：在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒，在氧化物纳米线、纳米带或纳米棒表面镀制过渡金属催化剂，然后在火焰中烧1－30分钟，形成以氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体的一维碳纳米材料的复合场致电子发射材料。本发明制备工艺简单、成本低廉，制得的复合场致电子发射材料可作为发射阴极在场发射显示器或发光光源、X－射线电子源、质谱仪电子源及其它需要电子源的场合的应用。
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公开(公告)号：CN1971805A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149517.2
申请日：2006-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/30 , H01J29/04 , H01J31/127
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件和电子发射显示器，该电子发射器件包括基板、以绝缘的方式布置在基板上的阴极和栅电极、以及电连接到阴极电极的电子发射区。每个阴极电极包括在其一个侧面处具有的凹槽的线电极和形成在通过凹槽暴露的基板上的隔离电极，以使隔离电极和线电极绝缘。在隔离电极上设置电子发射区，并且电阻层电连接隔离电极至线电极。
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