公开(公告)号：CN101360681B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200680051158.5

申请日：2006-11-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 安藤寿浩 ,  中川清晴 ,  蒲生美香 ,  蒲生秀典

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B01J23/75 ,  B01J35/002 ,  B01J35/0033 ,  B01J37/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/30

Abstract: 碳纳米管(64)在其拉曼光谱中在1580cm-1附近的拉曼散射强度最大。能够在由导电性基板(62)和形成于导电性基板的表面上的催化剂微粒(63)构成的基板的催化剂微粒(63)上使碳纳米管生长。催化剂微粒(63)由氧化钴催化剂超微粒构成。在对该碳纳米管(64)的顶端(64a)外加电压而发射电子的电子发射元件(60)中，能够降低驱动电压，并能够得到使市售的低速电子射线用荧光体发光的程度的电流值。由于电子发射元件(60)不需要栅极，因此能够简化采用其的面发光元件的结构，进而能够实现低成本化。由于碳材料即使在低真空区域也不被氧化，因此与采用以往的电子发射元件的发光元件相比，容易面板化，并且可谋求长寿命化。

公开(公告)号：CN101681751B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880017294.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明涉及在包括电子发射源和透镜的电子柱结构中使用附着有一个或多个碳纳米管(CNT)的电子发射源的电子柱。更具体地，本发明涉及容易地对准碳纳米管(CNT)针尖的方法以及能够使用该方法的电子柱。

公开(公告)号：CN101541894B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780043467.2

申请日：2007-11-27

Applicant: 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司

Inventor： 简·萨梅雷尔

IPC: C09D11/00

CPC classification number: B41J3/00 ,  B41M3/006 ,  B41M5/0023 ,  B82Y30/00 ,  C09D11/30 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明描述了碳纳米管喷墨溶液和喷射方法。

公开(公告)号：CN102024653B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010564683.5

申请日：2010-11-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J31/10 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射单元及场发射像素管，所述场发射像素管包括一壳体及一场发射单元，所述场发射单元设置于壳体内，所述场发射单元包括至少三个阳极和分别设置于所述至少三个阳极表面的荧光粉层，一阴极，所述阴极与每个阳极之间间隔设置，所述阴极包括一阴极支撑体及至少三个电子发射体，该至少三个电子发射体与所述至少三个阳极一一对应设置，其中，所述每一电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射端，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构的电子发射端形成有多个电子发射尖端。

公开(公告)号：CN102576634A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080037145.9

申请日：2010-02-23

Applicant: 株式会社生活技术研究所

Inventor： 铃木良一 ,  石黑义久 ,  羽场方芳

IPC: H01J1/304 ,  H01J35/06

CPC classification number: H01J35/065 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/068

Abstract: 本发明提供一种电子束密度高的电子发射体和装入了该电子发射体的X射线放射装置。本发明的电子发射体的特征在于，基板的表面被形成为凹面，碳膜通过面状地展开多个由碳构成的突起而构成。碳结晶的生长最初是隆起部(22)逐渐变大，接着从隆起部(22)的前端生长出针状部(23)。该针状部(23)由石墨烯薄片斜着卷绕为多层且内部成为中空。像这样形成的碳突起(21)的轴与凹面(11)的切线大体正交，因此多个碳突起(21)的轴在凹面(11)的焦点(F)相交。

公开(公告)号：CN101451262B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810176949.1

申请日：2008-09-19

Applicant: 辛泰克公司

Inventor： 陆梅 ,  刘杰 ,  耿怀之 ,  高波

IPC: C25D13/02 ,  C09D5/44 ,  H05B33/10 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: C25D13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/28 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/749

Abstract: 本发明提供了涉及通过电泳均匀沉积碳纳米管复合膜的方法与设备。所述方法包括在电泳沉积之前链接碳纳米管到基质颗粒上。该方法提高了复合膜与基底的粘附性并减少了表面粗糙度。通过此方法制造的碳纳米管膜和电子场致发射阴极显示出增强的电子场致发射特性。

公开(公告)号：CN102473564A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035612.4

申请日：2010-08-03

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 井上武治郎 ,  重田和树 ,  后藤一起 ,  朴善圭

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明为了提供能够省略活化处理工序并且可在低电压下发射电子，而且与阴极基板的粘结性也优异的电子发射源用膏和使用了该膏的电子发射源，使用将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，所述电子发射源具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。

公开(公告)号：CN101540251B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200810066123.X

申请日：2008-03-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第二端的直径沿远离第一端的方向逐渐减小，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体2电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。

公开(公告)号：CN101093764B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200610061305.9

申请日：2006-06-23

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  姜开利 ,  范守善 ,  陈清龙 ,  李锡福 ,  陈杰良

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  C01B31/00 ,  C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一支撑体线材及一包覆在该支撑体线材外表面的碳纳米管场发射层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体线材；在该支撑体线材外表面形成一碳纳米管场发射层；按照预定长度切割该外表面形成有碳纳米管场发射层的支撑体线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。

公开(公告)号：CN102201311A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110097648.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 蔡琪 ,  柳鹏 ,  周段亮 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82B3/0009 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管浆料的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸；提供一基板，将所述至少一碳纳米管膜设置于基板表面；沿所述碳纳米管的延伸方向每间隔一段距离，利用激光沿垂直于所述碳纳米管延伸方向的方向切割所述至少一碳纳米管膜，形成碳纳米管长度基本一致的碳纳米管原料；将所述碳纳米管原料与无机粘结剂以及有机载体在有机溶剂中混合形成一混合物；以及去除所述有机溶剂。