公开(公告)号：US20040188821A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：US10396572

申请日：2003-03-26

Inventor： Li-Shu Chen ,  Philip C. Smith ,  Thomas J. Moloney ,  Howard Fudem

IPC: H01L027/14

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B2201/018 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: A plurality of electronic circuits and associated signal lines are positioned at respective locations on a base wafer. A cover wafer, which fits over the base wafer, includes a corresponding like number of locations each including one or more cavities to accommodate the electronic circuit and associated signal lines. The cover wafer includes a plurality of vias for making electrical connection to the signal lines. A multi layer metallic arrangement hermetically seals the periphery of each location as well as sealing the bottom of each via. The joined base and cover wafers may then be diced to form individual die packages.

Abstract translation: 多个电子电路和相关联的信号线位于基底晶片上的相应位置。 安装在基底晶片上方的覆盖晶片包括相应的相似数量的位置，每个位置包括一个或多个空腔以容纳电子电路和相关联的信号线。 覆盖晶片包括用于与信号线进行电连接的多个通孔。 多层金属装置密封每个位置的周边以及密封每个通孔的底部。 然后可以将接合的基底和覆盖晶片切割成单独的管芯封装。

公开(公告)号：US06770569B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10210315

申请日：2002-08-01

Applicant: Juergen A. Foerstner ,  Steven M. Smith ,  Raymond Mervin Roop

Inventor： Juergen A. Foerstner ,  Steven M. Smith ,  Raymond Mervin Roop

IPC: H01L2131

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.

Abstract translation: 提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。 根据该方法，提供具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS基板（51）。 通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在由硅和硅 - 锗合金组成的组中选择的材料在衬底上产生MEMS结构。 使用PACVD的低沉积温度允许这些材料用于集成CMOS工艺后端的MEMS制造。

公开(公告)号：US20040066258A1

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：US10608294

申请日：2003-06-27

Inventor： Michael B. Cohn ,  Ji-Hai Xu

IPC: H01H051/22

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: A MEMS device and method of making same is disclosed. In one embodiment, a micro-switch includes a base assembly comprising a movable structure bearing a contact pad. The base assembly is wafer-scale bonded to a lid assembly comprising an activator and a signal path. The movable structure moves within a sealed cavity formed during the bonding process. The signal path includes an input line and an output line separated by a gap, which prevents signals from propagating through the micro-switch when the switch is deactivated. In operation, a signal is launched into the signal path. When the micro-switch is activated, a force is established by the actuator, which pulls a portion of the movable structure upwards towards the gap in the signal path, until the contact pad bridges the gap between the input line and output line, allowing the signal to propagate through the micro-switch. Prior to bonding, the MEMS structures are annealed on a first wafer and the conductive traces and other metals are annealed on a second wafer to allow each wafer to be processed separately using different processes, e.g., different annealing temperatures.

Abstract translation: 公开了MEMS器件及其制造方法。 在一个实施例中，微型开关包括基座组件，其包括承载接触垫的可移动结构。 基座组件被晶片刻度结合到包括激活器和信号路径的盖组件。 可移动结构在接合过程中形成的密封空腔内移动。 信号路径包括输入线和由间隙分开的输出线，当开关被去激活时，该线路防止信号通过微型开关传播。 在操作中，信号被发射到信号路径中。 当微动开关被激活时，致动器建立一个力，致动器将可移动结构的一部分朝向信号路径中的间隙向上拉，直到接触垫桥接输入线和输出线之间的间隙，从而允许 信号通过微型开关传播。 在结合之前，MEMS结构在第一晶片上退火，并且导电迹线和其它金属在第二晶片上进行退火，以允许使用不同工艺（例如不同的退火温度）分别对每个晶片进行加工。

公开(公告)号：US06701779B2

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：US10104972

申请日：2002-03-21

Applicant: Richard P. Volant ,  Robert A. Groves ,  Kevin S. Petrarca ,  David M. Rockwell ,  Kenneth J. Stein

Inventor： Richard P. Volant ,  Robert A. Groves ,  Kevin S. Petrarca ,  David M. Rockwell ,  Kenneth J. Stein

IPC: G01P1500

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/058 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00214 ,  H01H2001/0068 ,  H01H2059/0054

Abstract: A semiconductor torsional micro-electromechanical (MEM) switch is described having a conductive movable control electrode; an insulated semiconductor torsion beam attached to the movable control electrode, the insulated torsion beam and the movable control electrode being parallel to each other; and a movable contact attached to the insulated torsion beam, wherein the combination of the insulated torsion beam and the control electrode is perpendicular to the movable contact. The torsional MEM switch is characterized by having its control electrodes substantially perpendicular to the switching electrodes. The MEM switch may also include multiple controls to activate the device to form a single-pole, single-throw switch or a multiple-pole, multiple-throw switch. The method of fabricating the torsional MEM switch is fully compatible with the CMOS manufacturing process.

Abstract translation: 描述了具有导电可移动控制电极的半导体扭转微机电（MEM）开关; 连接到可移动控制电极的绝缘半导体扭转梁，绝缘扭转梁和可移动控制电极彼此平行; 以及连接到所述绝缘扭力梁的可动触头，其中所述绝缘扭转梁和所述控制电极的组合垂直于所述可动触头。 扭转MEM开关的特征在于其控制电极基本上垂直于开关电极。 MEM开关还可以包括多个控制以激活该装置以形成单极单掷开关或多极多掷开关。 制造扭转MEM开关的方法与CMOS制造工艺完全兼容。

公开(公告)号：US20010048141A1

公开(公告)日：2001-12-06

申请号：US09741128

申请日：2000-12-19

Inventor： Tsen-Hwang Lin ,  Yu-Pei Chen ,  Darius L. Crenshaw

IPC: H01L029/82 ,  H01L031/075 ,  H01L031/105 ,  H01L031/117

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  H01G5/16 ,  H01G5/40 ,  H01H59/0009 ,  H01P1/127

Abstract: A microelectromechanical switch includes a substrate, an insulator layer disposed outwardly from the substrate, and an electrode disposed outwardly from the insulator layer. The switch also includes a dielectric layer disposed outwardly from the insulator layer and the electrode, the dielectric layer having a dielectric constant of greater than or equal to twenty. The switch also includes a membrane layer disposed outwardly from the dielectric layer, the membrane layer overlying a support layer, the support layer operable to space the membrane layer outwardly from the dielectric layer.

Abstract translation: 微机电开关包括衬底，从衬底向外设置的绝缘体层以及从绝缘体层向外设置的电极。 开关还包括从绝缘体层和电极向外设置的电介质层，电介质层的介电常数大于或等于二十。 所述开关还包括从所述电介质层向外设置的膜层，所述膜层覆盖在支撑层上，所述支撑层可操作以将所述膜层从所述电介质层向外空间。

公开(公告)号：US06218209B1

公开(公告)日：2001-04-17

申请号：US09436560

申请日：1999-11-09

Applicant: Tsiu Chiu Chan ,  Melvin Joseph DeSilva

Inventor： Tsiu Chiu Chan ,  Melvin Joseph DeSilva

IPC: H01L2100

CPC classification number: G01P15/135 ,  B81B2201/018 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0735

Abstract: An integrated circuit and method are provided for sensing activity such as acceleration in a predetermined direction. The integrated released beam sensor preferably includes a switch detecting circuit region and a sensor switching region connected to and positioned adjacent the switch detecting circuit region. The sensor switching region preferably includes a fixed contact layer, remaining portions of a sacrificial layer on the fixed contact layer, and a floating contact on the remaining portions of the sacrificial layer and having only portions thereof directly overlying the fixed contact layer and in spaced relation therefrom in a normally open position and extending lengthwise generally transverse to the predetermined direction so that the floating contact contacts the fixed contact layer responsive to acceleration in the predetermined direction. The floating contact is preferably a released beam which is released by opening a window or removing unwanted portions of the sacrificial layer. The methods of forming an integrated sensor advantageously are preferably compatible with know integrated circuit manufacturing processes, such as for CMOS circuit manufacturing, with only slight variations therefrom.

Abstract translation: 提供集成电路和方法来感测诸如在预定方向上的加速度的活动。 集成释放的光束传感器优选地包括开关检测电路区域和连接到并且位于开关检测电路区域附近的传感器开关区域。 传感器切换区域优选地包括固定接触层，固定接触层上的牺牲层的剩余部分和牺牲层的剩余部分上的浮动接触，并且仅具有直接覆盖固定接触层的部分并以间隔关系 从而处于常开位置并且大致横向于预定方向延伸，使得浮动接触件响应于预定方向上的加速度而接触固定接触层。 浮动触点优选地是释放的光束，其通过打开窗口或去除牺牲层的不需要的部分来释放。 有利地形成集成传感器的方法优选地与知道的集成电路制造工艺相兼容，例如用于CMOS电路制造，仅具有轻微的变化。

公开(公告)号：US5531018A

公开(公告)日：1996-07-02

申请号：US169272

申请日：1993-12-20

Applicant: Richard J. Saia ,  Mario Ghezzo ,  Bharat S. K. Bagepalli ,  Kevin M. Durocher

Inventor： Richard J. Saia ,  Mario Ghezzo ,  Bharat S. K. Bagepalli ,  Kevin M. Durocher

IPC: B81B3/00 ,  H01H50/00 ,  H01H11/00

CPC classification number: B81B7/0012 ,  H01H50/005 ,  B81B2201/018 ,  Y10T29/49105

Abstract: An insulating layer with at least one via is provided over a metal plate. A sacrificial layer is applied over a portion of the insulating layer so that the sacrificial layer extends into the via. A metal bridge having at least one opening is provided over a portion of the sacrificial layer and a portion of the insulating layer so that the metal bridge extends over the via and the opening is situated adjacent a portion of the sacrificial layer. A reinforcing seal layer with a well is provided over the metal bridge so that the well is situated adjacent to at least a portion of the opening. The sacrificial layer is then removed.

Abstract translation: 具有至少一个通孔的绝缘层设置在金属板上。 牺牲层施加在绝缘层的一部分上，使得牺牲层延伸到通孔中。 在牺牲层的一部分和绝缘层的一部分上设置具有至少一个开口的金属桥，使得金属桥在通孔上方延伸，并且开口位于牺牲层的一部分附近。 在金属桥上提供了具有井的增强密封层，使得井位于与开口的至少一部分相邻的位置。 然后去除牺牲层。

公开(公告)号：WO2016102826A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/FR2015/053567

申请日：2015-12-17

Applicant: DELFMEMS

Inventor： LORPHELIN, Nicolas ,  SEGUENI, Karim

IPC: B81B5/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B5/00 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/051 ,  B81C1/00198

Abstract: Le dispositif microélectromécanique ou nanoélectromécanique (1) comporte une membrane (3) mobile en translation ayant une face inférieure (3a) avec une partie active (31) positionnée au droit d'une électrode d'actionnement (5) sous-jacente. La membrane comporte d'autre part un décrochement (30) qui s'étend en direction du substrat. Pour au moins une partie des positions en translation de la membrane (3), ledit décrochement (30) comporte une portion (30a) qui n'est pas positionnée au droit de l'électrode d'actionnement (5) et qui est proche d'au moins une première portion (50a) de la tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5). Le dispositif comporte • (a) ( figure 2) une couche diélectrique (7), qui recouvre ladite première portion (50a) de tranche (50) de l'électrode d'actionnement (5), et/ou • (b) (figure 22) une couche diélectrique, qui recouvre la face inférieure (3a) de la membrane (3) dans une zone correspondant à ladite première portion (30a) du décrochement (30).

Abstract translation: 本发明涉及一种微机电或纳米机电装置（1），其包括具有下表面（3a）的可平移的可移动膜（3），活动部分（31）与放置在其下方的致动电极（5）成一直线。 膜还包括朝向基底延伸的凹部（30）。 对于膜（3）的平移位置的至少一部分，所述凹部（30）包括不与致动电极（5）成直角并且靠近至少一个第一部分的部分（30a） （50）的边缘（50）的距离（50a）。 该装置包括：（a）（图2）覆盖致动电极（5）的边缘（50）的所述第一部分（50a）的电介质层（7）; 和/或（b）（图22）介电层，其在与所述凹部（30）的所述第一部分（30a）对应的区域中覆盖所述膜（3）的下表面（3a）。

公开(公告)号：WO2016102650A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/EP2015/081127

申请日：2015-12-23

Applicant: THALES

Inventor： ZIAEI, Afshin ,  LE BAILLIF, Matthieu ,  MARTINS, Paolo ,  BANSROPUN, Shailendra

IPC: B81B7/00 ,  H01P1/12

CPC classification number: H01L41/08 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0019 ,  B81B2201/018 ,  H01G5/16 ,  H01G5/18 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0933

Abstract: Selon un aspect de l'invention, il est proposé un Microsystème ElectroMécanique radiofréquence capacitif ou MEMS RF capacitif comprenant une membrane métallique (1) suspendue au-dessus d'une ligne de transmission RF (3) et reposant sur des plans de masse (6a, 6b), et présentant une face inférieure (lb), une face supérieure (la) opposée à la face inférieure et une première couche (7) comprenant un matériau métallique réfractaire (Matl) recouvrant au moins partiellement la face supérieure de la membrane de manière à empêcher réchauffement de la membrane.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面，一种电容性射频机电微系统或电容RF MEMS，其包括悬挂在RF传输线（3）上方并搁置在接地平面（6a，6b）上的金属膜（1），并且具有下表面 1b）和与下表面相对的上表面（1a）和包括至少部分地覆盖膜的上表面以防止膜加热的难熔金属材料（Matl）的第一层（7） 。

公开(公告)号：WO2013121253A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/IB2012/053898

申请日：2012-07-31

Applicant: KADOOR MICROELECTRONICS LTD. ,  AHARON, Oren

Inventor： AHARON, Oren ,  FELDMAN, Shai

IPC: H01H29/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H29/06 ,  B81B2201/018 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00341 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01H29/00 ,  H01H2029/008 ,  H01H2203/028

Abstract: Methods for forming an enclosed liquid metal (LM) drop inside a sealed cavity by formation of LM components as solid LM component layers and reaction of the solid LM component layers to form the LM drop. In some embodiments, the cavity has boundaries defined by layers or features of a microelectronics (e.g. VLSI-CMOS) or MEMS technology. In such embodiments, the methods comprise implementing an initial microelectronics or MEMS process to form the layers or features and the cavity, sequential or side by side formation of solid LM component layers in the cavity, sealing of the cavity to provide a closed space and reaction of the solid LM components to form a LM alloy in the general shape of a drop. In some embodiments, nanometric reaction barriers may be inserted between the solid LM component layers to lower the LM eutectic formation temperature.

Abstract translation: 通过形成作为固体LM组分层的LM组分形成密封空腔内的封闭液态金属（LM）滴的方法和固体LM组分层的反应形成LM滴。 在一些实施例中，空腔具有由微电子学（例如VLSI-CMOS）或MEMS技术的层或特征限定的边界。 在这样的实施例中，所述方法包括实现初始微电子学或MEMS工艺以形成所述层或特征，以及所述空腔，所述空腔中的固体LM组分层的顺序或并排形成，所述腔的密封以提供封闭空间和反应 的固体LM组分以形成一般形状的液滴的LM合金。 在一些实施方案中，可以在固体LM组分层之间插入纳米反应阻挡层以降低LM共晶形成温度。