公开(公告)号：WO2016135199A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/EP2016/053872

申请日：2016-02-24

Applicant: MAX-DELBRÜCK-CENTRUM FÜR MOLEKULARE MEDIZIN ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BADER, Michael ,  SPECKER, Edgar ,  MATTHES, Susann ,  SCHÜTZ, Anja ,  MALLOW, Keven ,  GROHMANN, Maik ,  NAZARÉ, Marc

IPC: C07D487/04 ,  C07D519/00 ,  A61K31/522 ,  A61P3/04 ,  A61P11/06 ,  A61P19/10 ,  A61P25/18 ,  A61P25/24 ,  A61P29/00 ,  A61P35/00

CPC classification number: C07D473/06 ,  C07D487/04 ,  C07D519/00

Abstract: The invention relates to a xanthine derivative defined by chemical formula I or a salt thereof, its use as a medicament, especially for use in the treatment of serotonin-related diseases or disorders, and a pharmaceutical preparation comprising the xanthine derivative. The novel xanthine compounds are capable of inhibiting tryptophan hydroxylases (TPH) involved in the biosynthesis of serotonin and are effective in influencing the serotonin level in the body.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式I或其盐定义的黄嘌呤衍生物，其用作药物，特别是用于治疗5-羟色胺相关疾病或病症的用途，以及包含黄嘌呤衍生物的药物制剂。 新颖的黄嘌呤化合物能够抑制参与血清素生物合成的色氨酸羟化酶（TPH），有效影响体内血清素水平。

公开(公告)号：WO2016131910A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053442

申请日：2016-02-18

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： FRICKE, Jörg ,  DECKER, Jonathan ,  CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S5/20 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/1064 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50

Abstract: Die Laserdiode (10) der Erfindung weist zumindest eine aktive Schicht (12) auf, die innerhalb eines Resonators (14) angeordnet und mit einem Auskoppeleiement (16) wirkverbunden ist und weiterhin zumindest eine Kontaktschicht (18) zum Einkoppeln von Ladungsträgern in die aktive Schicht (12), wobei der Resonator (14) mindestens eine erste Sektion (20) und eine zweite Sektion (22) aufweist, wobei sich die maximale Breite (W1) der aktiven Schicht (12) in der ersten Sektion (20) von der maximalen Breite (W2) der aktiven Schicht (12) in der zweiten Sektion (22) unterscheidet, und Projektion der Kontaktschicht (18) entlang einer ersten sich senkrecht zur aktiven Schicht (12) erstreckenden ersten Achse ( Z 1) sowohl mit der ersten Sektion (20) als auch mit der zweiten Sektion (22) überlappt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die zweite Sektion (22) eine Vielzahl separater Widerstandselemente (24) aufweist, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer als der spezifische elektrische Widerstand der Bereiche (26) zwischen benachbarten Widerstandselemente (24) ist, wobei eine Breite (W3) der Widerstandselemente (24) entlang einer Längsachse (X1) der aktiven Schicht (12) kleiner als 20 µm ist und eine Projektion der Widerstandselemente (24) auf die aktive Schicht (12) entlang der ersten Achse (Z1) mit mindestens 10 % der aktiven Schicht (12) überlappt.

Abstract translation: 本发明的激光二极管（10）包括至少一个活性层（12），设置在谐振器（14）内，并且可操作地连接到一个Auskoppeleiement（16）并且还包括至少一个接触层（18）用于注入电荷载流子向活性层 （12），其中，所述谐振器（14）包括至少的一个第一部分（20）和第二部分（22），其中所述有源层的最大宽度（W1）（12）在第一部分（20）的最大 宽度在所述第二部分（22）的不同之处有源层（12）的（W2），并与第一部分中的接触层（18）沿着第一垂直延伸的第一轴（Z1）在有源层（12）的突起（20 （）和与第二部分22）重叠。 根据本发明，提供的是所述第二部分（22）的多个单独的电阻器元件（24），其比电阻比所述区域的相邻电阻元件之间的电阻率（26），（24），大于其中的宽度（W3） 电阻元件（24）沿所述有源层的纵向轴线（X1）（12）小于20微米，和在有源层（12）上的电阻元件（24）的投影沿所述第一轴（Z1）与活性层的至少10％的 （12）重叠。

公开(公告)号：WO2015155324A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/057804

申请日：2015-04-10

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： GREENWOOD, Alex D. ,  TSANGARAS, Kyriakos ,  KAMPMANN, Marie-Louise

IPC: C12Q1/68 ,  C12N15/10

CPC classification number: C12Q1/6806 ,  C12N15/1093 ,  C12Q1/6869 ,  C12Q2535/122 ,  C12Q2537/159 ,  C12Q2565/501

Abstract: A method for analyzing pathogens by hybridization capture uses short PCR products as baits. The baits target at least one genomic sequence of a pathogen. At least anon-targeted sequence fraction (minimum 1bp) is analyzed.

Abstract translation: 通过杂交捕获分析病原体的方法使用短PCR产物作为诱饵。 诱饵靶向病原体的至少一个基因组序列。 至少分析anon靶向序列分数（最小1bp）。

公开(公告)号：WO2014198370A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/EP2014/001280

申请日：2014-05-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02483 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (10), umfassend eine Mehrzahl nanoskaliger Halbleitersäulen (1) bestehend aus Gruppe III-Nitridmaterial und ein Substrat (2), mit einer durchgehenden, lochfreien Oberflächenschicht, die Titannitrid (TiN) und/oder Titanmonoxid (TiO) enthält, auf der die Mehrzahl der Halbleitersäulen (1) angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含由III族氮化物材料的多个纳米级半导体柱（1）与衬底（2），具有连续的，无针孔的表面层，氮化钛（TiN）和/或一氧化钛（二氧化钛）包含半导体器件（10） 在其上多个半导体柱（1）的布置。

公开(公告)号：WO2014041089A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/EP2013/068938

申请日：2013-09-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： MAIWALD, Martin ,  SUMPF, Bernd

IPC: G01N21/65 ,  G01J3/44 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B27/1006 ,  G01J3/427 ,  G01J3/44 ,  G01J2003/4424 ,  G01N21/65 ,  G01N2021/399 ,  G01N2201/0221 ,  G01N2201/024 ,  G02B27/09 ,  G02B27/1086 ,  G02B27/141

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (122) mit einer Anordnung optischer Elemente mit Anregungslichtquellen (101, 115) für die Erzeugung einzelner Lichtstrahlen (102, 116) mit unterschiedlichen Wellenlängen zur Anregung einer Probe in einer Weise, dass von der Probe in Folge der Anregung zurück gestreutes Licht einer Ramanspektroskopischen Analyse zugänglich wird. Die Vorrichtung(122) umfasst den einzelnen Lichtstrahlen (102, 116) zugeordnete Umlenkvorrichtungen (103, 117) zur Umlenkung der einzelnen Lichtstrahlen (102, 116) auf einen gemeinsamen Lichtpfad, wobei der gemeinsame Lichtpfad eine selbe Optik (109) zur Fokussierung der Lichtstrahlen (102, 116) umfasst.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有用于各光束的产生具有用于在从所述样品返回作为激发的结果的方式的样品的激发不同波长与激发光源的光学元件的阵列（101，115）（102，116）的装置（122） 拉曼光谱分析的散射光进行访问。 包括所述单独的光束（102，116）相关联的偏转装置（103，117）的装置（122）以偏转公共光路，其中所述公共光路中的同一光学系统（109）上的单独的光束（102，116），用于聚焦所述光束 （102，116）。

公开(公告)号：WO2013087639A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/EP2012/075108

申请日：2012-12-11

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  TECHNISCHE UNIVERSITÄT DARMSTADT

Inventor： BENGTSSON, Olof ,  GOELDEN, Felix ,  MAUNE, Holger ,  JAKOBY, Rolf ,  HEINRICH, Wolfgang

IPC: H01L23/66 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/378 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk innerhalb des Gehäuses eines HF-Leistungstransistors. Die Anwendung der Erfindung erfolgt vorrangig für HF-Leistungstransistoren in Basisstationen von Mobilfunknetzen; sie kann auch in Verstärkern für mobile Teilnehmer (z. B. in Mobiltelefonen) und in HF-Verstärkern für andere Anwendungen angewendet werden. Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, eine dynamische Abstimmbarkeit der Last- und Quellimpedanz zu ermöglichen und den Transistor leichter anpassbar zu machen. Weiterhin soll eine Multiband/Breitband-Arbeitsweise und eine dynamische Lastmodulation für eine erhöhte BackOff-Effizienz ermöglicht werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种RF功率晶体管的壳体内的电可调阻抗匹配网络。 本发明的应用将是主要用于移动无线电网络的基站的RF功率晶体管; 它可以（对于。例如，在移动电话）可以被应用并且在RF放大器，用于其它应用中也为移动用户放大器。 本发明具有使负载和源阻抗的可调谐性动态并且使晶体管更容易适应的对象。 此外，多频带/宽带操作和用于增加退避效率的动态负载调制应成为可能。

公开(公告)号：WO2013068125A8

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/EP2012/004667

申请日：2012-11-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  KAGANER, Vladimir ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L33/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung (100) beschrieben, bei dem auf einem Substrat (30) mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) gebildet wird, das sich in einer Hauptrichtung (z) erstreckt, wobei in einem aktiven Bereich (40) mindestens zwei Abschnitte (11, 13, 21, 23) eines ersten Kristalltyps und zwischen diesen ein Abschnitt (12, 22) eines zweiten Kristalltyps jeweils mit vorbestimmten Höhen (h 1 , h 2 ) gebildet werden, wobei die ersten und zweiten Kristalltypen unterschiedliche Gitterkonstanten aufweisen und jeder der Abschnitte des ersten Kristalltyps eine Gitter-Verspannung aufweist, die von der Gitterkonstanten im Abschnitt des zweiten Kristalltyps abhängt. Erfindungsgemäss wird mindestens eines von der Höhe (h 2 ) des Abschnitts (12, 22) des zweiten Kristalltyps und einer Lateraldicke (D) des aktiven Bereichs (40) senkrecht zur Hauptrichtung gezielt derart gebildet, dass die Gitter-Verspannung in einem der Abschnitte (11) des ersten Kristalltyps zusätzlich von der Gitterkonstanten im anderen Abschnitt (13) des ersten Kristalltyps abhängt. Es wird auch eine Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) auf einem Substrat (30), beschrieben, die insbesondere mit dem genannten Verfahren hergestellt ist.

公开(公告)号：WO2012150177A2

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/EP2012/057665

申请日：2012-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

Inventor： KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen UV-Photodetektor mit hoher Empfindlichkeit und einem geringen Dunkelstrom. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen UV-Photodetektor anzugeben, der eine hohe Empfindlichkeit und einen geringen Dunkelstrom aufweist. Erfindungsgemäß weisen die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material auf, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) ausbildet.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高灵敏度和低暗电流UV光检测器。 本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。 根据本发明，所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二电极结构的指状物（24）（20）包括第二半导体材料的顶层（30）被设置，其中所述覆盖层（30）的吸收体层（12）上 并且在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被形成为使得在吸收层（12）和所述外层之间的边界层（30） 在手指（18，24）的区域形成的二维电子气（2DEG）。

公开(公告)号：WO2012146609A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/EP2012/057537

申请日：2012-04-25

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KÜHN, Silvio ,  GESCHE, Roland

Inventor： KÜHN, Silvio ,  GESCHE, Roland

IPC: H04B1/26

CPC classification number: H04B1/26 ,  H05H2001/4682

Abstract: Die Erfindung führt einen neuartigen Empfängerschaltkreis ein. Der Empfängerschaltkreis verfügt über einen Lokaloszillator (10), einen Quadraturmodulator (20), einen ersten Mischer (31) und einen zweiten Mischer (32). Dabei sind ein erster Eingang des Quadraturmodulators (20) mit einem zweiten Signaleingang des Empfängerschaltkreises und ein zweiter Eingang des Quadraturmodulators (20) mit dem Lokaloszillator (10) verbunden. Außerdem sind ein erster Eingang des ersten Mischers (31) mit einem ersten Signaleingang des Empfängerschaltkreises, ein zweiter Eingang des ersten Mischers (31) mit einem Ausgang des Quadraturmodulators (20) und ein Ausgang des ersten Mischers (31) mit einem ersten Signalausgang des Empfängerschaltkreises verbunden. Ein erster Eingang des zweiten Mischers (32) ist mit dem zweiten Signaleingang, ein zweiter Eingang des zweiten Mischers (32) mit dem Ausgang des Quadraturmodulators (20) und ein Ausgang des zweiten Mischers (32) mit einem zweiten Signalausgang des Empfängerschaltkreises verbunden.

Abstract translation: 本发明引入了一种新类型的接收器电路的。 接收器电路包括一个本机振荡器（10），正交调制器（20），第一混频器（31）和第二混频器（32）。 具有接收器电路的第二信号输入端和正交调制器（20）与所述本地振荡器（10）的第二输入正交调制器（20）的第一输入相连接。 此外，所述第一混频器的第一输入端（31），其具有接收器电路的第一信号输入端，具有具有接收器电路的一个第一信号输出的正交调制器的输出（20）和所述第一混频器的输出（31）中的第一混频器（31）的第二输入端 连接。 第二混频器（32），第二混频器（32）到正交调制器（20）和所述第二混频器的输出的输出的第二输入端的第一输入端（32）被连接到连接到接收器电路的信号输出的第二输入的第二信号。

公开(公告)号：WO2012034972A2

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/065751

申请日：2011-09-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/20 ,  A61B18/203 ,  A61B2018/00476 ,  A61B2090/049 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/185

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lichtquelle mit gleichzeitig hohem Wirkungsgrad und hoher Augensicherheit anzugeben. Dazu soll die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die erste Wellenleiterschicht (12), die zweite Wellenleiterschicht (16) und die zweite Mantelschicht (18) derart ausgebildet sein, dass 0,01 μm ≤ d wL ≤ 1,0 μm und Δn ≥ 0,04 gilt, wobei d wL die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) ist und Δn ein Maximum der Brechzahldifferenz zwischen der ersten Mantelschicht (14) und der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahldifferenz zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der zweiten Mantelschicht (18) ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种高效率和高眼睛安全性的激光二极管。 本发明的目的是提供同时具有高效率和高度安全性的光源。 对于这一点，在有源层（10），所述第一包层（14），所述第一波导层（12），第二波导层（16）和所述第二包层（18）应该被构造成使得0.01微米≤d <子> WL ≤1.0微米和.DELTA.n≥0.04成立，其中d <子> WL 所述第一波导层（12），有源层（10）的层厚度的厚度之和与该层厚度 是所述第二波导层（16）和.DELTA.n是一个最大的第一包层（14）和所述第一波导层（12）和所述第二波导层（16）和所述第二包层（18）之间的折射率差的折射率差的