公开(公告)号：WO2014198370A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/EP2014/001280

申请日：2014-05-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02483 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (10), umfassend eine Mehrzahl nanoskaliger Halbleitersäulen (1) bestehend aus Gruppe III-Nitridmaterial und ein Substrat (2), mit einer durchgehenden, lochfreien Oberflächenschicht, die Titannitrid (TiN) und/oder Titanmonoxid (TiO) enthält, auf der die Mehrzahl der Halbleitersäulen (1) angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含由III族氮化物材料的多个纳米级半导体柱（1）与衬底（2），具有连续的，无针孔的表面层，氮化钛（TiN）和/或一氧化钛（二氧化钛）包含半导体器件（10） 在其上多个半导体柱（1）的布置。

公开(公告)号：WO2013068125A8

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/EP2012/004667

申请日：2012-11-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  KAGANER, Vladimir ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L33/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung (100) beschrieben, bei dem auf einem Substrat (30) mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) gebildet wird, das sich in einer Hauptrichtung (z) erstreckt, wobei in einem aktiven Bereich (40) mindestens zwei Abschnitte (11, 13, 21, 23) eines ersten Kristalltyps und zwischen diesen ein Abschnitt (12, 22) eines zweiten Kristalltyps jeweils mit vorbestimmten Höhen (h 1 , h 2 ) gebildet werden, wobei die ersten und zweiten Kristalltypen unterschiedliche Gitterkonstanten aufweisen und jeder der Abschnitte des ersten Kristalltyps eine Gitter-Verspannung aufweist, die von der Gitterkonstanten im Abschnitt des zweiten Kristalltyps abhängt. Erfindungsgemäss wird mindestens eines von der Höhe (h 2 ) des Abschnitts (12, 22) des zweiten Kristalltyps und einer Lateraldicke (D) des aktiven Bereichs (40) senkrecht zur Hauptrichtung gezielt derart gebildet, dass die Gitter-Verspannung in einem der Abschnitte (11) des ersten Kristalltyps zusätzlich von der Gitterkonstanten im anderen Abschnitt (13) des ersten Kristalltyps abhängt. Es wird auch eine Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) auf einem Substrat (30), beschrieben, die insbesondere mit dem genannten Verfahren hergestellt ist.

公开(公告)号：EP2777078A1

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：EP12794633.3

申请日：2012-11-09

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  KAGANER, Vladimir ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L29/122 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/035209 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Described is a method for producing a semiconductor device (100), in which at least one column-shaped or wall-shaped semiconductor device (10, 20) extending in a main direction (z) is formed on a substrate (30), wherein at least two sections (11, 13, 21, 23) of a first crystal type and one section (12, 22) of a second crystal type therebetween are formed in an active region (40), each section with a respective predetermined height (h
1 , h2), wherein the first and second crystal types have different lattice constants and each of the sections of the first crystal type has a lattice strain which depends on the lattice constants in the section of the second crystal type. According to the invention, at least a height (h2) of the section (12, 22) of the second crystal type and a lateral thickness (D) of the active region (40) is formed perpendicular to the main direction, in such a manner that the lattice strain in one of the sections (11) of the first crystal type also depends on the lattice constants in the other section (13) of the first crystal type. A semiconductor device (100) is also described, having at least one column-shaped or wall-shaped semiconductor element (10, 20) on a substrate (30), which can be produced in particular by means of the stated method.