公开(公告)号：WO2014198370A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/EP2014/001280

申请日：2014-05-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02483 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (10), umfassend eine Mehrzahl nanoskaliger Halbleitersäulen (1) bestehend aus Gruppe III-Nitridmaterial und ein Substrat (2), mit einer durchgehenden, lochfreien Oberflächenschicht, die Titannitrid (TiN) und/oder Titanmonoxid (TiO) enthält, auf der die Mehrzahl der Halbleitersäulen (1) angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含由III族氮化物材料的多个纳米级半导体柱（1）与衬底（2），具有连续的，无针孔的表面层，氮化钛（TiN）和/或一氧化钛（二氧化钛）包含半导体器件（10） 在其上多个半导体柱（1）的布置。

公开(公告)号：WO2013068125A8

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/EP2012/004667

申请日：2012-11-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  KAGANER, Vladimir ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L33/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung (100) beschrieben, bei dem auf einem Substrat (30) mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) gebildet wird, das sich in einer Hauptrichtung (z) erstreckt, wobei in einem aktiven Bereich (40) mindestens zwei Abschnitte (11, 13, 21, 23) eines ersten Kristalltyps und zwischen diesen ein Abschnitt (12, 22) eines zweiten Kristalltyps jeweils mit vorbestimmten Höhen (h 1 , h 2 ) gebildet werden, wobei die ersten und zweiten Kristalltypen unterschiedliche Gitterkonstanten aufweisen und jeder der Abschnitte des ersten Kristalltyps eine Gitter-Verspannung aufweist, die von der Gitterkonstanten im Abschnitt des zweiten Kristalltyps abhängt. Erfindungsgemäss wird mindestens eines von der Höhe (h 2 ) des Abschnitts (12, 22) des zweiten Kristalltyps und einer Lateraldicke (D) des aktiven Bereichs (40) senkrecht zur Hauptrichtung gezielt derart gebildet, dass die Gitter-Verspannung in einem der Abschnitte (11) des ersten Kristalltyps zusätzlich von der Gitterkonstanten im anderen Abschnitt (13) des ersten Kristalltyps abhängt. Es wird auch eine Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) auf einem Substrat (30), beschrieben, die insbesondere mit dem genannten Verfahren hergestellt ist.

公开(公告)号：WO2017067627A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/EP2016/001614

申请日：2016-09-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  FERNÁNDEZ GARRIDO, Sergio ,  GEELHAAR, Lutz ,  MARQUARDT, Oliver ,  ZETTLER, Johannes

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/18

Abstract: Es wird eine lichtemittierende Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens einen Nanodraht (10) beschrieben, der mindestens einen (AI x Ga 1-x N)-basierten Nanodrahtabschnitt (12) mit 0 ≤ x ≤ 1, aufweist und sich entlang einer Axialrichtung (z) erstreckt, wobei der Nanodraht (10) mindestens einen InNbasierten Quantenpunkt (11) aufweist, der entlang der Axialrichtung (z) mindestens einseitig von dem mindestens einen Nanodrahtabschnitt (12) des Nanodrahts (10) begrenzt ist, und der Nanodraht (10) eine Dicke kleiner oder gleich einer kritischen Dicke aufweist, bei welcher der mindestens eine Quantenpunkt (11) und der benachbarte Nanodrahtabschnitt (12) versetzungsfrei aneinander angrenzen. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Halbleitereinrichtung (100) beschrieben.

Abstract translation:

是包含至少一个纳米线的半导体发光装置（100）上述（10），所述至少一个（AI <子> X GA <子> 1-x N）基金纳米线部分（12），0≤X≤1具有，并沿着轴向方向（Z）延伸，其中，所述纳米线（10）的至少一个InNbasierten量子点（11），沿着轴向方向上的至少一侧（Z） 纳米线的至少一个纳米线部分（12）的（10）是有限的，并且所述纳米线（10）的厚度小于或等于临界厚度的至少一个量子点（11）和相邻的纳米线部分（12）无位错在该相互 毗邻。 还将描述制造半导体发光器件（100）的方法。

公开(公告)号：WO2018108624A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/081498

申请日：2017-12-05

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  GIUNTONI, Ivano

IPC: H01S5/10

Abstract: Eine Lichtemittervorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), und einen photonischen Kristall (20), der auf dem Substrat (10) angeordnet ist und säulen- und/oder wandförmige Halbleiterelemente (21) umfasst, die periodisch, von dem Substrat (10) abstehend angeordnet sind, wobei der photonische Kristall (20) einen Resonator bildet, in dem die Halbleiterelemente (21) in einem ersten Resonatorabschnitt (22) mit einer ersten Periode (d 1 ), in einem zweiten Resonatorabschnitt (23) mit einer zweiten Periode (d 2 ) und in einem dritten Resonatorabschnitt (24) mit einer dritten Periode (d 3 ) angeordnet sind, wobei auf dem Substrat (10) der zweite Resonatorabschnitt (23) und der dritte Resonatorabschnitt (24) an zwei zueinander entgegengesetzten Seiten des ersten Resonatorabschnitts (22) angeordnet sind und die zweite Periode (d 2 ) und die dritte Periode (d 3 ) von der ersten Periode (di) abweichen, der erste Resonatorabschnitt (22) ein Licht emittierendes Medium bildet, und der dritte Resonatorabschnitt (24) einen Auskoppelbereich bildet, durch den ein Teil des Lichtfeldes im ersten Resonatorabschnitt (22) in einer Lichtauskopplungsrichtung parallel zu einer Substratoberfläche (11) des Substrats (10) aus dem Resonator auskoppelbar ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Lichtemittervorrichtung (100) beschrieben.

公开(公告)号：EP3365922A1

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：EP16774857.3

申请日：2016-09-28

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  FERNÁNDEZ GARRIDO, Sergio ,  GEELHAAR, Lutz ,  MARQUARDT, Oliver ,  ZETTLER, Johannes

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/18

Abstract: Described is a light-emitting semiconductor device (100) comprising at least one nanowire (10) having at least one (AI xGa1-xN)-based nanowire portion (12), where 0 ≤ x ≤ 1, and extending along an axial direction (z), wherein the nanowire (10) has at least one InN-based quantum dot (11), which is delimited at least on one side along the axial direction (z) by the at least one nanowire portion (12) of the nanowire (10), and the nanowire (10) has a thickness less than or equal to a critical thickness, at which the at least one quantum dot (11) and the adjacent nanowire portion (12) adjoin one another without dislocation. A method for producing the light-emitting semiconductor device (100) is also described.

公开(公告)号：EP2777078A1

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：EP12794633.3

申请日：2012-11-09

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  KAGANER, Vladimir ,  WÖLZ, Martin

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L29/122 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/035209 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Described is a method for producing a semiconductor device (100), in which at least one column-shaped or wall-shaped semiconductor device (10, 20) extending in a main direction (z) is formed on a substrate (30), wherein at least two sections (11, 13, 21, 23) of a first crystal type and one section (12, 22) of a second crystal type therebetween are formed in an active region (40), each section with a respective predetermined height (h
1 , h2), wherein the first and second crystal types have different lattice constants and each of the sections of the first crystal type has a lattice strain which depends on the lattice constants in the section of the second crystal type. According to the invention, at least a height (h2) of the section (12, 22) of the second crystal type and a lateral thickness (D) of the active region (40) is formed perpendicular to the main direction, in such a manner that the lattice strain in one of the sections (11) of the first crystal type also depends on the lattice constants in the other section (13) of the first crystal type. A semiconductor device (100) is also described, having at least one column-shaped or wall-shaped semiconductor element (10, 20) on a substrate (30), which can be produced in particular by means of the stated method.