公开(公告)号：JP6144902B2

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：JP2012269227

申请日：2012-12-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 池田 太郎 ,  小松 智仁 ,  河西 繁 ,  宮下 大幸 ,  長田 勇輝 ,  谷原 聡 ,  藤野 豊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32201

公开(公告)号：JP5953057B2

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：JP2012023038

申请日：2012-02-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 塩澤 俊彦 ,  宮原 準弥 ,  藤野 豊

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP2016015496A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2015154967

申请日：2015-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石橋 清隆 ,  森田 治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

Abstract: 【課題】電磁波をチャンバ内に透過する誘電体窓に処理ガス導入用のガス流路を設ける場合に、そのガス流路におけるプラズマの逆流ないし異常放電を効果的に防止しつつ十分高いガスコンダクタンスが得られるようにする。 【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバ10内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構として、誘電体窓52の中心部にガスノズル212を設けている。このガスノズル212は、上部ガス導入部のコネクタ部164に気密に接続されており、誘電体窓52に形成される貫通孔(開口)214と、この貫通孔214に嵌め込まれる誘電体のノズルピース216とを有している。このノズルピース216の側面または外周面には、その上端から下端まで軸方向にまっすぐ延びる縦溝218が並列に複数本形成されている。 【選択図】図37

Abstract translation: 要解决的问题：为了实现足够高的气体导通性，同时有效地防止了在用于传送电磁介质的电介质窗口中提供气体管道的情况下，在气体导管的气体管道中反向流动或遭受异常放电的等离子体， 波浪进入腔室。微波等离子体处理装置包括作为将处理气体供应到室10中的处理气体供给机构，设置在电介质窗52的中心部分的气体喷嘴212.气体喷嘴212 与上部气体引入部分的连接器部分164气密地连接，并且具有形成在电介质窗52中的通孔（开口）214和配合在通孔214中的电介质喷嘴片216.喷嘴片216具有垂直 槽218在其侧面或外周面上彼此平行地形成，并且从喷嘴的顶端到底端在其轴向方向上直线延伸 乐谱

公开(公告)号：JP2015130252A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：JP2014000464

申请日：2014-01-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子 和史 ,  橋本 侑之介 ,  石田 洋平

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  G01R23/02 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H03L7/26

Abstract: 【課題】発振周波数の調整の成否を適切に判断すること。 【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器と、マイクロ波発振器を含み、マイクロ波発振器によって発振されるマイクロ波を用いて処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ生成機構と、マイクロ波発振器によって発振されるマイクロ波の周波数である発振周波数を所定の周波数に調整する調整部と、調整部によって所定の周波数に調整された発振周波数を検出する検出部と、検出部によって検出された発振周波数を用いて、又は、該発振周波数と所定の周波数との差分に応じて変動するパラメータを用いて、調整部による発振周波数の調整の成否を判定する判定部とを備えた。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：适当测量振荡频率调节的成败。解决方案：等离子体处理装置包括：处理容器; 等离子体产生机构，其包括微波振荡器，并使用由微波振荡器振荡的微波在处理容器中产生等离子体; 调整单元，其将由微波振荡器振荡的微波的频率的振荡频率调整到预定频率; 检测单元，其通过所述调整单元检测调整到所述预定频率的振荡频率; 以及确定单元，其使用由所述检测单元检测到的振荡频率或随着所述振荡频率和所述预定频率之间的差异而变化的参数来确定所述调整单元的振荡频率调整的成败。

公开(公告)号：JP2014515869A

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：JP2014506921

申请日：2012-04-25

Applicant: サイレム・ソシエテ・プール・ラプリカション・アンデュストリエール・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・アン・エレクトロニック・エ・ミクロ・オンデSairem Societe Pour L’Application Industrielle De La Recherche En Electronique Et Micro Ondes

Inventor： グランメンジュ、エイドリアン ,  ジャコミノ、ジャン―マリエ ,  ラドイウ、マリレナ ,  ラトラッセ、ルイ

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H02J17/00

CPC classification number: H05B6/6447 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32678 ,  H05B6/664 ,  H05B6/74

Abstract: 発明は、少なくとも１台の印加装置（３０）と、マイクロ波の場の中にあり、電磁波を案内する手段（５）によって少なくとも１台の印加装置に接続されている少なくとも１台のソリッドステート式発生器（４）と、対応する発生器（４）によって生成された波の周波数を調整するため設計されている少なくとも１台の周波数調整システム（４０）と、印加装置（３０）によって反射された電力Ｐ
Ｒ（ｉ） を測定するため設計されている、上記または各印加装置（３０）のための測定システム（３１）と、各周波数調整システム（４０）および各測定システム（３１）に接続され、反射された電力に応じて電磁波の周波数ｆ
（ｉ） の調整を制御し、反射された電力Ｐ
Ｒ（ｉ） を調整し、および／または、送られた電力Ｐ
Ｔ（ｉ） を調整する自動制御手段（６）と、を含む負荷のマイクロ波処理のための設備（１）に関係する。
【選択図】図１０

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微波处理负载的设备（1），包括：至少一个施加装置（30）; 在微波领域中的至少一个固态发生器（4），通过用于引导（5）电磁波的装置连接到至少一个施加装置; 至少一个频率调节系统（40），被设计用于调整由相应的发电机（4）产生的波的频率; 用于所述或每个应用设备（30）的测量系统（31），被设计用于测量由所述应用设备（30）反映的功率（i）的功率; 连接到每个频率调节系统（40）和每个测量系统（31）的自动控制装置（6），以便根据反射功率来控制电磁波的频率f（i）的调整，以便 调整反射功率PR（i）和/或调整发射功率PT（i）。

公开(公告)号：JP5368514B2

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：JP2011145476

申请日：2011-06-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 征英 岩▲崎▼

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222

Abstract: This microwave plasma treatment device has: a power supply rod that is used for applying an RF bias high-frequency wave, and which is connected, at the top of the power supply rod, to a susceptor while connected, at the bottom, to a high-frequency output terminal of a matching box provided inside a matching unit; and a coaxial path that is formed by providing a cylindrical external conductor around the power supply rod serving as an internal conductor. A choking mechanism, which blocks spatial propagation of an unwanted microwave that has entered into the path from a plasma-generating space formed inside a chamber, is provided in the coaxial path so as to block the leakage of the microwave into an RF power supply line in the middle of the line in order to prevent a failure attributable to the leakage of the microwave.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置包括供电棒，该供电棒对RF偏压施加高频波，其上端连接到基座，下端连接到匹配器的高频输出端，匹配 单元; 围绕用作内部导体的供电杆的圆柱形外部导体; 和同轴线。 同轴线安装有扼流器机构，其构造成阻挡从腔室中的等离子体产生空间进入管线的不期望的微波，并且在线路中部防止微波到RF馈线的泄漏，从而抑制微波 泄漏。

公开(公告)号：JP5313786B2

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：JP2009154820

申请日：2009-06-30

Applicant: 浦項工科大學校 産學協力團Postech Academy−Industry Foundation

Inventor： 峻 崔 ,  在九 李 ,  載潤 沈

IPC: H05H1/46 ,  A61B18/18 ,  A61N5/02 ,  H05H1/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32825 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46

Abstract: Provided is a portable power supply apparatus for generating microwave plasma, capable of minimizing a power reflected from a plasma generation apparatus and improving power consumption of the plasma generation apparatus by generating the plasma by using a microwave having a specific frequency, monitoring the power reflected from the plasma generation apparatus after the generation of the plasma, detecting a changed impedance matching condition, and correcting the frequency.

公开(公告)号：JP2012216745A

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：JP2011172458

申请日：2011-08-06

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： FUJINO YUTAKA ,  UEDA ATSUSHI ,  KITAGAWA JUNICHI ,  OZAKI AKINORI

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformize plasma distribution in a simple configuration.SOLUTION: A plasma processing device 1 includes a microwave introduction device 5 which introduces a microwave into a processing container 2. The microwave introduction device 5 includes a plurality of microwave transmission plates 73 fitted into a plurality of openings of a ceiling part 11. The plurality of the microwave transmission plates 73 are disposed one virtual plane parallel to a mounting surface 21a of a mounting table 21 with being fitted into the plurality of the openings of the ceiling part 11. The plurality of the microwave transmission plates 73 also include microwave transmission plates 73A to 73G. The distance between a center point Pof the microwave transmission plate 73G and a center point Pof the microwave transmission plate 73A and the distance between the center point Pof the microwave transmission plate 73G and a center point Pof the microwave transmission plate 73B are set so that they are equal each other or they become almost equal.

Abstract translation: 要解决的问题：以简单的配置使等离子体分布均匀化。 解决方案：等离子体处理装置1包括微波引入装置5，微波引入装置5将微波引入处理容器2.微波引入装置5包括多个微波传输板73，其配装在天花板部分11的多个开口中 多个微波透射板73配置在与安装台21的安装面21a平行的虚拟平面上，嵌合在天花板部11的多个开口中。多个微波透射板73还包括 微波透射板73A〜73G。 微波传输板73G的中心点P G 与微波传输板73A的中心点P A 之间的距离 以及微波传输板73G的中心点P G 与微波传输板的中心点P B 之间的距离 73B被设定为使得它们彼此相等或它们几乎相等。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR101872053B1

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：KR1020137033375

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222

Abstract: RF 바이어스용고주파를인가하기위한급전봉과, 상기급전봉의상단에서셉터를접속하고, 하단에매칭유닛내의정합기의고주파출력단자를접속하며, 급전봉을내부도체로하여그 주위를둘러싸는원통형의외부도체를설치하고, 동축선로를형성한마이크로파플라즈마처리장치에있어서, 상기동축선로에는, 챔버내의플라즈마생성공간으로부터선로내에들어간원하지않는마이크로파의공간전파를차단하기위한쵸크기구를설치하고, 마이크로파의 RF 급전라인에대한누설을라인도중에서차단하여마이크로파누설장애를방지한다.

公开(公告)号：KR101837884B1

公开(公告)日：2018-03-12

申请号：KR1020167029541

申请日：2015-03-19

Applicant: 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드

Inventor： 첸,싱 ,  지,쳉시앙 ,  매든,에린 ,  포키도브,일리아 ,  웬젤,케빈,더블유.

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

Abstract: 플라즈마발생장치는, 플라즈마방전관, 및플라즈마방전관의외면둘레에나선형으로권취된전도성코일을포함한다. 도파관은, 플라즈마가플라즈마방전관에서발생하게끔마이크로파에너지를플라즈마방전관내로유도하도록플라즈마방전관을둘러싸는마이크로파캐비티에결합된다. 도파관은, 마이크로파에너지의전계가플라즈마방전관의길이방향축선에대하여소정의각도로배향되도록위치한다. 그결과, 전도성코일에유도되는전류는플라즈마방전관에서의전력흡수에영향을끼치고, 소정의각도는, 플라즈마방전관에서의전력흡수가플라즈마방전관의길이방향축선에대한소정의프로파일에따르도록선택가능하다.

Abstract translation: 等离子体产生装置包括等离子体放电管和螺旋缠绕在等离子体放电管的外表面上的导电线圈。 波导耦合到围绕等离子体放电管的微波腔，以将微波能量引导到等离子体放电管中，使得等离子体在等离子体放电管中产生。 波导被定位成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵向轴线以预定角度定向。 其结果是，在所述导电线圈中感应的电流是影响功率吸收eseoui等离子体放电管，以预定的角度是，功率吸收eseoui等离子体放电管可以选择遵循预定轮廓的等离子体放电管的纵向轴线。