公开(公告)号：KR101660615B1

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：KR1020147022711

申请日：2013-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  요네쿠라사토시 ,  이와오도시히코

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45548 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 일실시형태의성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전가능하게설치되어있다. 배치대를수용하는처리실은제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에따라상기배치대의기판배치영역이축선에대하여둘레방향으로이동하여제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 배기부는, 분사부의주위를둘러싸는폐로를따라연장되도록형성된배기구로부터배기를행한다. 제2 가스공급부는, 배기구의주위를둘러싸는폐로를따라연장되도록형성된분사구로부터퍼지가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역에서반응가스의플라즈마를생성한다. 이성막장치에서는, 제1 영역이상기축선에대하여둘레방향으로연장되는각도범위보다, 제2 영역이상기축선에대하여둘레방향으로연장되는각도범위가크다.

公开(公告)号：KR1020150048754A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：KR1020157005309

申请日：2013-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이와사키마사히데 ,  네모토다케나오 ,  고바야시야스오 ,  사이토다케히사

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01J37/32779 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32834 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 회전배치대를회전시키면서복수의기판을동시에처리할때에, 회전배치대의반경방향의기판표면의처리균일성을향상시킨다. 처리실(102) 내에회전가능하게배치된회전축(114)에지지되고, 웨이퍼(W)를배치하는웨이퍼배치부(113)를원주방향으로복수개 나란하게설치한회전배치대(110)와, 처리실내에처리가스를공급하는처리가스공급부(170)와, 회전배치대에대향하여처리실의천장에설치되며, 처리가스의플라즈마를생성하기위한복수의마이크로파도입기구(224)를원주방향을따라서환상으로나란하게일렬로하고, 이것을회전배치대가회전했을때의웨이퍼궤적의내측으로부터외측에걸쳐복수열 이격하여배열한플라즈마생성부(200)와, 처리실내부를배기하는배기부(164)를설치했다.

公开(公告)号：KR1020110089208A

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：KR1020117016076

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과, 플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리실로 전파하는 도파관과, 상기 도파관의 일단에 연결된 도파관-동축관 변환기와, 마이크로파가 상기 도파관-동축관 변환기로부터 상기 처리실로 전파되는 라인을 형성하는 동축관을 포함하는 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 상기 동축관의 내부 도전체는, 중공부와, 상기 동축관의 내부 도전체의 중공부를 통해 상기 처리실로 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급부를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100003293A

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：KR1020097022751

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: A disclosed a plasma process apparatus includes a process chamber that houses a substrate subjected to a predetermined plasma process and may be evacuated to a reduced pressure; a microwave generator that generates microwaves for generating plasma; a waveguide pipe that transmits the microwaves from the microwave generator to the process chamber; a waveguide pipe/coaxial pipe converter connected to one end of the waveguide pipe; and a coaxial pipe that forms a line through which the microwaves are transmitted from the waveguide pipe-coaxial pipe converter to the process chamber. An inner conductive body of the coaxial pipe has a hollow portion; and a first process gas supplying portion that supplies a process gas into the process chamber through the hollow portion of the inner conductive body of the coaxial pipe.

Abstract translation: 所公开的等离子体处理装置包括处理室，该处理室容纳经过预定等离子体处理的基板，并可将其抽真空至减压; 产生产生等离子体的微波的微波发生器; 将微波从微波发生器传送到处理室的波导管; 连接到波导管的一端的波导管/同轴管转换器; 以及同轴管，其形成微波从波导管同轴管转换器传送到处理室的线。 同轴管的内导电体具有中空部分; 以及第一处理气体供给部，其通过同轴管的内部导电体的中空部分将处理气体供给到处理室。

公开(公告)号：KR101943691B1

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：KR1020150148531

申请日：2015-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  노자와도시히사 ,  야마시타고헤이

IPC: C23C16/455

公开(公告)号：KR101597054B1

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020140170322

申请日：2014-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  이와사키마사히데 ,  야마기시고지

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522

Abstract: 플라즈마처리장치와반송챔버사이의단열성을손상시키는일없이, 플라즈마처리장치내부로부터의마이크로파의누설을효율적으로방지한다. 인접하는챔버와의사이에서상기피처리체를반입출시키기위한개구부를갖는처리용기와, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는마이크로파도입기구와, 상기처리용기를진공상태로하는배기장치와, 상기개구부근방에마련되는게이트밸브에있어서, 상기게이트밸브의외면과상기처리용기에인접하는챔버사이에설치되는단열부재를구비하고, 상기단열부재에는, 적어도상기단열부재와상기게이트밸브의외면의대향면, 상기단열부재와상기처리용기에인접하는챔버의대향면, 및상기단열부재의외기에노출되는면에서도전성피막이피복되어있는, 플라즈마처리장치.

公开(公告)号：KR1020150064075A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：KR1020157009185

申请日：2013-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  이와오도시히코 ,  야마기시고지 ,  요네쿠라사토시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H05H1/46 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32238 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전함으로써, 기판배치영역에배치된기판이처리용기내의제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 영역에는, 전구체가스가공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마생성부에의해, 반응가스의플라즈마가생성된다. 플라즈마생성부는, 플라즈마원으로서마이크로파를공급하는안테나를갖는다. 안테나는, 유전체제의창 부재및 도파관을포함하고있다. 창부재는, 제2 영역위에설치되어있다. 도파관은, 창부재상에설치되어있다. 도파관은, 축선에대하여방사방향으로연장되는도파로를획정하고있다. 도파관에는, 도파로로부터창 부재를향해마이크로파를통과시키기위한복수의슬롯구멍이형성되어있다. 창부재의하면은, 축선에대하여방사방향으로연장되는홈을획정하고있다.

Abstract translation: 在根据一个方面的成膜装置中，批料围绕轴线旋转，使得设置在基材设置区域中的基材顺序地通过处理容器中的第一区域和第二区域。 在第一区域中，提供前体气体。 在第二区域中，反应气体的等离子体由等离子体产生部分产生。 等离子体发生器具有用于供应微波作为等离子体源的天线。 天线包括由电介质材料和波导构成的窗部件。 窗部件设置在第二区域上。 波导安装在窗口部件上。 波导限定了相对于轴线在径向方向上延伸的波导。 在波导中，形成多个用于从波导向窗口部件传送微波的槽孔。 窗部件的下表面限定了相对于轴线在径向方向上延伸的凹槽。

公开(公告)号：KR1020120034117A

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020127003140

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과, 플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리실로 전파하는 도파관과, 상기 도파관의 일단에 연결된 도파관-동축관 변환기와, 마이크로파가 상기 도파관-동축관 변환기로부터 상기 처리실로 전파되는 라인을 형성하는 동축관을 포함하는 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 상기 동축관의 내부 도전체는, 중공부와, 상기 동축관의 내부 도전체의 중공부를 통해 상기 처리실로 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급부를 구비한다.

Abstract translation: 微波发生器，用于产生微波以产生等离子体;波导，用于将微波从微波发生器传播到处理室; 耦合的波导同轴管换能器和同轴管形成线路，微波通过该线路从波导同轴管换能器传播到处理室。 同轴管的内导体上设置有通过中空部，同轴管供给处理气体进入处理室的内导体的中空部供给的第一处理气体。

公开(公告)号：KR100884416B1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：KR1020050029159

申请日：2005-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  우케이도모아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/3266

Abstract: 본 발명의 목적은 플라즈마 처리에 있어서, 간단하고 저비용으로 고주파 방전의 개시를 용이하게 하여 방전을 안정되게 유지하는 것이다. 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
M )는, 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(M
E )의 하면(S극)에 도달한다. 또한, 세그먼트 자석(m
E )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
m )는 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다. 더욱이, 외측 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
c )가 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 반경방향 옆의 내측의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다.

公开(公告)号：KR101680493B1

公开(公告)日：2016-11-28

申请号：KR1020157001975

申请日：2013-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이와사키마사히데 ,  이와오도시히코

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834

Abstract: 일실시형태의성막장치는, 배치대, 처리용기, 가스공급부및 플라즈마생성부를구비한다. 배치대는, 그복수의기판배치영역이둘레방향으로이동하도록축선을중심으로회전가능하게설치되어있다. 처리실은, 배치대를수용하고있고, 제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에의해축선에대하여둘레방향으로이동하는기판배치영역은, 제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역의위쪽에있어서도파로를구획하는 1 이상의도파관과, 그 1 이상의도파관에접속된마이크로파발생기와, 1 이상의도파관의하측도체부에형성된복수의개구를통과하여제2 영역까지연장된유전체제의복수의돌출부를포함한다. 복수의돌출부는, 상기축선에대하여방사방향으로배열되어있다.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，其包括放置台; 一个处理容器，其限定容纳所述放置台的处理室，并且包括第一区域和第二区域; 气体供给部，其将前体气体供给到所述第一区域; 以及在第二区域中产生反应性气体的等离子体的等离子体产生部。 等离子体产生部分包括：至少一个波导，其限定放置台上方和第二区域上方的波导路径，连接到至少一个波导的微波发生器和由电介质材料制成的多个突起。 突起穿过形成在至少一个波导的下导电部分中的多个开口以延伸到第二区域。 突起相对于放置台的轴线在径向方向上排列。