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    ALUMINUM FLUORIDE FILMS FOR MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM APPLICATIONS
    241.
    发明申请
    ALUMINUM FLUORIDE FILMS FOR MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM APPLICATIONS 审中-公开
    用于微电子系统应用的氟化铝薄膜

    公开(公告)号：WO2008079229A1

    公开(公告)日：2008-07-03

    申请号：PCT/US2007/025936

    申请日：2007-12-17

    Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. ,  CHIANG, Chih-Wei

    Inventor： CHIANG, Chih-Wei

    IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/112

    Abstract: A microelectromechanical systems (MEMS) device utilizing an aluminum fluoride layer as an etch stop is disclosed. In one embodiment, a MEMS device (80) includes a first electrode (81) having a first surface; and a second electrode (82) having a second surface facing the first surface and defining a gap (85) therebetween. The second electrode (82) is movable in the gap (85) between a first position and a second position. At least one of the electrodes includes an aluminum fluoride layer (83) facing the other of the electrodes. During fabrication of the MEMS device, a sacrificial layer is formed between the first and second electrodes and is released to define the gap. The aluminum fluoride layer (83) serves as an etch stop to protect the first or second electrode during the release of the sacrificial layer.

    Abstract translation: 公开了一种利用氟化铝层作为蚀刻阻挡层的微机电系统（MEMS）装置。 在一个实施例中，MEMS器件（80）包括具有第一表面的第一电极（81） 和第二电极（82），其具有面向所述第一表面的第二表面并在其间限定间隙（85）。 第二电极（82）可在间隙（85）中在第一位置和第二位置之间移动。 至少一个电极包括面对另一个电极的氟化铝层（83）。 在MEMS器件的制造期间，在第一和第二电极之间形成牺牲层并被释放以限定间隙。 氟化铝层（83）用作蚀刻停止件以在释放牺牲层期间保护第一或第二电极。

    ETCH STOP STRUCTURE
    242.
    发明申请
    ETCH STOP STRUCTURE 审中-公开
    ETCH停止结构

    公开(公告)号：WO2007085834A2

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：PCT/GB2007/000253

    申请日：2007-01-25

    Applicant: THE PARTICLE PHYSICS AND ASTRONOMY RESEARCH COUNCIL ,  WALTON, Anthony, J. ,  HOLLAND, Wayne ,  GUNDLACH, Alan, M. ,  PARKES, William

    Inventor： WALTON, Anthony, J. ,  HOLLAND, Wayne ,  GUNDLACH, Alan, M. ,  PARKES, William

    IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/3085 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/74 ,  H01L27/14683

    Abstract: A buried etch stop layer (208) for fabricating stepped etched structures has a patterned recess (211). The etch stop layer is buried between etchable first (201) and second (202) layers. The recessed patterned buried etch stop layer can be made by forming a portion of the etch stop layer (204) on one of the etchable layers, etching the recess into it, then wafer bonding the etch stop layer (208) between the first (201) and second (202) layers. Once the buried etch stop layer has been formed, the process for fabricating stepped structures starts with patterning the first layer (201) and etching it to reveal a portion of the recessed area of the etch stop (211). Selective removal by etching of the revealed area is done to remove its entire thickness in the recessed area (211) but only to remove a partial thickness of the remaining revealed area (212). This is followed by selective etching of the revealed area of the second layer, masked by the remaining revealed area (212), so as to transfer a portion of the recess pattern into the second layer, optionally down to a membrane layer (214). This provides improved etch uniformity for stepped etched structures, including those with membranes.

    Abstract translation: 用于制造阶梯蚀刻结构的掩埋蚀刻停止层（208）具有图案化凹槽（211）。 蚀刻停止层被埋在可蚀刻的第一（201）和第二（202）层之间。 凹陷图案化的掩埋蚀刻停止层可以通过在其中一个可蚀刻层上形成蚀刻停止层（204）的一部分，将其凹入其中，然后将蚀刻停止层（208）在第一（201 ）和第二（202）层。 一旦已经形成了掩埋蚀刻停止层，则制造阶梯式结构的工艺首先对第一层（201）进行图案化并蚀刻，以露出蚀刻停止件（211）的凹陷区域的一部分。 通过蚀刻显露区域进行选择性去除以去除其在凹陷区域（211）中的整个厚度，但是仅仅去除剩余的显露区域（212）的部分厚度。 然后选择性地蚀刻由剩余的显示区域（212）掩蔽的第二层的显露区域，以便将凹部图案的一部分转移到第二层中，可选地向下移动到膜层（214）。 这为阶梯式蚀刻结构提供了改进的蚀刻均匀性，包括具有膜的蚀刻结构。

    MIKROSTRUKTURIERTER SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    245.
    发明申请
    MIKROSTRUKTURIERTER SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    微结构化传感器和方法用于生产

    公开(公告)号：WO2006013119A1

    公开(公告)日：2006-02-09

    申请号：PCT/EP2005/052469

    申请日：2005-05-31

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  PANNEK, Thorsten

    Inventor： PANNEK, Thorsten

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/014

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen mikrostrukturierter Sensor, der mindestens auf­weist: ein Substrat (1), eine in das Substrat geätzte Kaverne (6), eine Membran (7), die oberhalb der Kaverne freitragend ausgebildet und in einer Membrankante (11) lateral angebunden ist und eine Sensorschicht (3) mit Sensorstrukturen aufweist, wobei die Membrankante (11) von Ätzflächen (10) der Kaverne getrennt ist. Erfindungsgemäß wird die Membrankante von den unregelmäßigen Ätzflanken der Ätzflächen entkoppelt, so dass die Membranstabilität verbessert wird. Hierzu kann die Membrankante (11) in einer lateralen Vertiefung (9) der Seitenwand (10) der Kaverne (6) ausgebildet und von einer Oberkante (10a) der Seitenwand getrennt sein. Alternativ hierzu kann die Seitenwand der Kaverne durch eine sich vertikal erstreckende Ringschicht gebildet sein, wobei die Ringschicht und eine untere Membranschicht der Membran Teile einer auf dem Substrat ausgebildeten Füllschicht sind, und die Membrankante in der Füllschicht im Übergang zwischen der Ringschicht und der unteren Membranschicht ausgebildet ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种微结构化的传感器，至少包括：一个衬底（1），一个蚀刻到衬底中腔体（6），隔膜（7），其是形成自支撑，并在膜边缘（11）的腔体上方横向连接和 具有传感器层（3）与传感器结构，其中所述腔的表面蚀刻（10）的膜边缘（11）被分离。 根据本发明，将膜边缘从不规则蚀刻表面的蚀刻侧壁解耦，使得膜稳定性提高。 为了这个目的，所述膜边缘（11）可以在腔的形成（6）和所述侧壁的上边缘（10a）的在所述侧壁（10）的横向凹口（9）分离。 可选地，腔体的侧壁可以由一个垂直延伸的环形层，其中所述环层和膜的下薄膜层是形成在所述基板的填料和形成在所述环形层之间的过渡的填充层的膜边缘的部分和下薄膜层来形成 是。

    VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON HOHLRÄUMEN MIT EINER OPTISCH TRANSPARENTEN WANDUNG
    246.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON HOHLRÄUMEN MIT EINER OPTISCH TRANSPARENTEN WANDUNG 审中-公开
    用光透明壁制造腔体的方法

    公开(公告)号：WO2003031318A2

    公开(公告)日：2003-04-17

    申请号：PCT/DE2002/003261

    申请日：2002-09-04

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/014

    Abstract: Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, mit dem sich unter Einsatz von Standard-verfahren der Mikrosystemtechnik einfach und kostengünstig Hohlräurne (7) mit einer optisch transparenten Wandung in einem Bauelement (10) erzeugen lassen. Dazu wird zunächst ein Siliziumbereich erzeugt, der allseitig von einer optisch transparenten Mantelschicht umgeben ist. Dann wird mindestens eine Öffnung (6) in der Mantelschicht erzeugt. Über these Öffnung (6) wird das von der Mantelschicht umgebene Silizium herausgelöst, so dass ein Hohlraum (7) innerhalb der Mantelschicht entsteht. Dabei wirkt die Mantelschicht als Ätzstoppschicht.

    Abstract translation:

    另外，提出在简单地使用的微系统技术和成本导航使用标准方法的方法，可以制造瓮（7）在一个部件（10）的光学透明的壁;廉价瑞士Hohlr＆AUML。 为此，最初产生硅区域，其在所有侧面上被光学透明覆层包围。 然后在覆层中产生至少一个开口（6）。 通过该开口（6），被包层包围的硅被溶出，从而在包层内形成空腔（7）。 包层作为蚀刻停止层。

    MICROELECTRONIC MECHANICAL SYSTEM AND METHODS
    247.
    发明申请
    MICROELECTRONIC MECHANICAL SYSTEM AND METHODS 审中-公开
    微电子机械系统与方法

    公开(公告)号：WO2003023849A1

    公开(公告)日：2003-03-20

    申请号：PCT/US2002/027822

    申请日：2002-08-29

    Applicant: SILICON LIGHT MACHINES

    Inventor： BRUNER, Mike

    IPC: H01L23/02

    CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0735

    Abstract: The current invention provides for encapsulated release structures, intermediates thereof and methods for their fabrication. The multi-layer structure has a capping layer (211) that preferably comprises silicon oxide and/or silicon nitride and which is formed over an etch resistant substrate (203). A patterned device layer (206), preferably comprising silicon nitride, is embedded in a sacrificial material (205, 209), preferably comprising polysilicon, and is disposed between the etch resistant substrate (203) and the capping layer (211). Access trenches or holes (219) are formed into the capping layer (211) and the sacrificial material (205, 209) is selectively etched through the access trenches (219) such that portions of the device layer (206) are released from the sacrificial material (205, 209). The etchant preferably comprises a noble gas fluoride N g F 2x (wherein Ng = Xe, Kr or Ar: and where x = 1, 2 or 3). After etching that sacrificial material (205, 209), the access trenches (219) are sealed to encapsulate (241) released portions the device layer (206) between the etch resistant substrate (203) and the capping layer (211). The current invention is particularly useful for fabricating MEMs devices, multiple cavity devices and devices with multiple release features.

    Abstract translation: 本发明提供了包封的释放结构，其中间体及其制备方法。 多层结构具有优选包括氧化硅和/或氮化硅并且形成在耐蚀刻衬底（203）上的覆盖层（211）。 优选地包括氮化硅的图案化器件层（206）嵌入在牺牲材料（205,209）中，优选地包括多晶硅，并且设置在耐蚀刻衬底（203）和覆盖层（211）之间。 进入沟槽或孔（219）形成为覆盖层（211），并且牺牲材料（205,209）通过通路沟槽（219）被选择性蚀刻，使得器件层（206）的部分从牺牲层 材料（205,209）。 蚀刻剂优选包含惰性气体氟化物NgF2x（其中Ng = Xe，Kr或Ar：其中x = 1,2或3）。 在蚀刻该牺牲材料（205,209）之后，密封接入沟槽（219）以将该器件层（206）的封装（241）释放部分封装在耐蚀刻衬底（203）和覆盖层（211）之间。 本发明对于制造具有多个释放特征的MEM器件，多腔器件和器件特别有用。

    A MEM gyroscope and a method of making same
    248.
    发明申请
    A MEM gyroscope and a method of making same 审中-公开
    一种MEM陀螺仪及其制作方法

    公开(公告)号：WO0210064A3

    公开(公告)日：2002-04-25

    申请号：PCT/US0124529

    申请日：2001-07-31

    Applicant: HRL LAB LLC ,  KUBENA RANDALL L ,  CHANG DAVID T

    Inventor： KUBENA RANDALL L ,  CHANG DAVID T

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/08 ,  G01C19/56

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/036 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/0894

    Abstract: A method of making a micro electro-mechanical gyroscope. A cantilevered beam structure, firstportions of side drive electrodes and a mating structure are defined on a first substrate or wafer;and at least one contact structure, second portions of the side drive electrodes and a matingstructure are defined on a second substrate or wafer, the mating structure on the second substrateor wafer being of a complementary shape to the mating structure on the first substrate or waferand the first and second portions of the side drive electrodes being of a complementary shape to each other. A bonding layer, preferably a eutectic bonding layer, is provided on at least one of the mating structures and one or the first and second portions of the side drive electrodes. The matingstructure of the first substrate is moved into a confronting relationship with the mating structureof the second substrate or wafer. Pressure is applied between the two substrates so as to cause a bond to occur between the two mating structures at the bonding or eutectic layer and alsobetween the first and second portions of the side drive electrodes to cause a bond to occurtherebetween. Then the first substrate or wafer is removed to free the cantilevered beam structurefor movement relative to the second substrate or wafer. The bonds are preferably eutectic bonds.

    Abstract translation: 制造微机电陀螺仪的方法。 悬臂梁结构，侧驱动电极的第一部分和配合结构限定在第一基板或晶片上; 并且至少一个接触结构，侧驱动电极的第二部分和配合结构限定在第二衬底或晶片上，第二衬底或晶片上的配合结构与第一衬底上的配合结构互补形状，或 并且所述侧驱动电极的第一和第二部分彼此互补形状。 在至少一个配合结构和侧驱动电极的一个或第一和第二部分中提供粘结层，优选共晶粘结层。 第一基板的配合结构被移动成与第二基板或晶片的配合结构面对面的关系。 在两个基板之间施加压力，使得在接合或共晶层处的两个配合结构之间以及侧驱动电极的第一和第二部分之间发生接合，从而在它们之间发生接合。 然后移除第一衬底或晶片以释放悬臂梁结构以相对于第二衬底或晶片移动。 键优选为共晶键。

    CMOS-COMPATIBLE MEM SWITCHES AND METHOD OF MAKING
    249.
    发明申请
    CMOS-COMPATIBLE MEM SWITCHES AND METHOD OF MAKING 审中-公开
    CMOS兼容元件开关及其制造方法

    公开(公告)号：WO01035433A2

    公开(公告)日：2001-05-17

    申请号：PCT/US2000/023197

    申请日：2000-08-23

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H1/021 ,  H01H1/58 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00 ,  H01H50/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/014 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  H01H1/58 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0057

    Abstract: A microelectromechanical (MEM) switch is fabricated inexpensively by using processing steps which are standard for fabricating multiple metal layer integrated circuits, such as CMOS. The exact steps may be adjusted to be compatible with the process of a particular foundry, resulting in a device which is both low cost and readily integrable with other circuits. The processing steps include making contacts for the MEM switch from metal plugs which are ordinarily used as viasto connect metal layers which are separated by a dielectric layer. Such contact vias are formed on either side of a sacrificial metallization area, and then the interconnect metallization is removed from between the contact vias, leaving them separated. Dielectric surrounding the contacts is etched back so that they protrude towards each other. Thus, when the contacts are moved towards each other by actuating the MEM switch, they connect firmly without obstruction. Tungsten is typically used to form vias in CMOS processes, and it makes an excellent contact material, but other via metals may also be employed as contacts. Interconnect metallization may be employed for other structural and interconnect needs of the MEM switch, and is preferably standard for the foundry and process used. Various metals and dielectric materials may be used to create the switches, but in a preferred embodiment the interconnect metal layers are aluminum and the dielectric material is Si>O2

    Abstract translation: 通过使用标准制造多个金属层集成电路（如CMOS）的处理步骤，廉价地制造了微机电（MEM）开关。 可以将精确的步骤调整为与特定代工厂的过程兼容，从而导致低成本且易于与其他电路集成的装置。 处理步骤包括从通常用作通过电介质层分离的永久连接的金属层的金属插头形成用于MEM开关的触点。 这种接触通孔形成在牺牲金属化区域的任一侧，然后从接触通孔之间移除互连金属化，使它们分开。 围绕触点的介质被回蚀，使得它们彼此突出。 因此，当通过致动MEM开关使触点彼此移动时，它们牢固地连接而不阻塞。 钨通常用于在CMOS工艺中形成通孔，并且它制成优良的接触材料，但也可以使用其它通孔金属作为接触。 互连金属化可以用于MEM开关的其他结构和互连需求，并且优选地是用于所使用的铸造和工艺的标准。 可以使用各种金属和介电材料来制造开关，但是在优选实施例中，互连金属层是铝，并且电介质材料是与标准四层CMOS制造工艺完全兼容的Si> O 2。

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