公开(公告)号：CN101221872A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710196272.3

申请日：2007-12-07

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 金大俊 ,  宋润镐 ,  郑珍宇

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明公开了一种场发射装置的碳纳米管的制造方法，其中添加了纳米尺寸的金属颗粒，由此大大提高了发射体的可靠性。CNT发射体的制造方法包括(a)在溶剂中分散CNT粉末、有机粘合剂、光敏材料、单体、和纳米尺寸的金属颗粒，由此制造CNT浆料；(b)在基底上方形成的电极上涂覆CNT浆料；(c)曝光涂覆在电极上的CNT浆料，由此进行精细构图；(d)塑化精细构图的CNT浆料；并且(e)处理CNT浆料的表面，使得被塑化的CNT浆料被激活。CNT发射体可以被精细地构图至几个μm，并可以改善电子发射的均匀性。另外，添加纳米尺寸的金属颗粒作为CNT浆料的金属填充剂，使得金属可以在CNT不恶化的低温下熔化。此外，增强了CNT对阴极的粘接，从而可以改善CNT发射体的可靠性。

公开(公告)号：CN100366528C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN00805107.0

申请日：2000-10-27

Applicant: 威廉马歇莱思大学

Inventor： R·E·斯莫利 ,  D·T·科尔伯特 ,  K·A·史密斯 ,  D·A·沃尔特斯 ,  M·J·卡萨万特 ,  C·B·霍夫曼 ,  B·I·雅各布松 ,  R·H·海于格 ,  R·K·塞尼 ,  江琬婷 ,  秦小川

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及产生内含经排列的毫微管段的宏观材料和物体。本发明需要排列悬浮在流体介质中的单壁碳质毫微管(SWNT)段，然后从悬浮体中沉积出这些排列的管段，形成SWNT的宏观有序集合体。本发明还涉及通过改变毫微管的环境和该过程之前和期间的环境史，来控制毫微管段自集合成有序结构体的自然倾向。称这些材料和物体是“宏观的”，是因为它们足够大到不借助显微镜就能看到，即具有这些物体的尺寸。这些宏观有序的SWNT材料和物体具有显著的SWNT在微观水平上所显示的物理、电学和化学性能，因为这些宏观材料和物体由毫微管组成，而各根毫微管沿相同方向排列且与距其最近的那些根毫微管接触。SWNT的有序集合体还可用作模板，用于生长更多更大的有序集合体。有序集合体还可用作后加工处理的基础，所述后加工处理能从内部改变集合体，从而明显地增强材料的所选性能，如剪切强度、拉伸强度、压缩强度、韧性、导电性和导热性。

公开(公告)号：CN101093765A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610061306.3

申请日：2006-06-23

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  姜开利 ,  范守善 ,  陈清龙 ,  李锡福 ,  陈杰良

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  C01B31/00 ,  C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一碳纳米管场发射线材及一包覆在该碳纳米管场发射线材外表面的支撑体保护层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管场发射线材；在该碳纳米管线材外表面形成一支撑体保护层；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。

公开(公告)号：CN101086940A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610061097.2

申请日：2006-06-09

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 郑直 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/86 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极装置的制造方法。该场发射阴极装置的制造方法包括以下步骤：提供一个衬底；在衬底上依次形成一层栅极绝缘介质层，一层栅极金属层和一层光刻胶层；微影光刻胶层形成一预定之图案；分别蚀刻栅极金属层和栅极绝缘介质层以形成栅极，栅极绝缘介质间隔体和栅极孔；对光刻胶层加热并加压使其面积增大；利用面积增大的光刻胶层作为掩模，在衬底上蒸镀金属催化剂层；在金属催化剂层上生长出碳纳米管阵列以形成场发射源，该场发射源小于栅极孔。

公开(公告)号：CN101076410A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580022684.4

申请日：2005-07-06

Applicant: 毫微-专卖股份有限公司

Inventor： 茅东升 ,  R·芬克 ,  Z·雅尼弗

IPC: B05D5/12

CPC classification number: H01J29/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0431 ,  H01J2329/0455

Abstract: 介绍了在工业规模上对纳米微粒发射器图形化的方法，所述发射器可用作显示器中的阴极。该低温方法可在大产量应用中实施，所得显示器件具有良好的均匀性。所述方法的步骤包括将CNT发射器材料沉积在预制得的复合结构的整个表面上，然后用物理方法从表面上不需要CNT发射器的部分除去CNT发射器材料。

公开(公告)号：CN101071718A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710105383.9

申请日：2007-02-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南仲佑

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01B1/24 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供一种电子发射源复合物，包括碳基材料和载体，其中该复合物表现出约10000Pa/s至约50000Pa/s的触变值和约2至约5的粘弹值。

公开(公告)号：CN100345239C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN03114065.3

申请日：2003-03-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  范守善

IPC: H01J9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射显示装置的制备方法，包括下列步骤：在工作板表面形成一绝缘层，该绝缘层具有一平整表面；在绝缘层表面形成一催化剂层；在催化剂层表面形成阻隔壁，并形成显示点阵区域；生成碳纳米管阵列；在碳纳米管阵列顶部形成阴极电极；形成与阴极电极和阻隔壁外形相应的底板，以支撑所述阴极电极和阻隔壁；脱去工作板，在绝缘层表面形成栅极电极；去除绝缘层对应显示点阵的区域，露出碳纳米管阵列；封装阳极。本发明可使碳纳米管阵列发射端在同一平整面，从而实现电子均匀发射；而且，碳纳米管与栅极的间距可以控制。

公开(公告)号：CN100343937C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410090449.8

申请日：2004-11-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 鹤冈裕二 ,  岩田和夫 ,  神代和浩 ,  高山秀人 ,  瓮英一 ,  毛利孝志

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  C01B31/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/893

Abstract: 本发明提供一种通过将针状物置于形成在衬底中的凹槽内，在凹槽的纵向上容易地对准针状物的方法，以及一种包括对准的针状物的对准单元。

公开(公告)号：CN100341629C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03817502.9

申请日：2003-05-21

Applicant: 艾考斯公司

Inventor： D·J·阿瑟 ,  P·J·格拉特考斯基

IPC: B05D1/02 ,  D01F9/12 ,  D01F9/127 ,  B32B15/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0048 ,  H05K1/095 ,  H05K3/02 ,  H05K3/046 ,  H05K3/12 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/0514 ,  H05K2203/0522 ,  H05K2203/1147 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/89

Abstract: 一种用于制造纳米复合电极或电路图案的方法，包括形成浸渍有粘合剂的连续碳纳米管层以及使用各种印刷或光成像技术使粘合剂树脂形成图案。另一种方法包括使用各种印刷或光成像技术使碳纳米管层形成图案以及随后将连续的粘合剂树脂应用到有图案的碳纳米管层上。从这些有图案的纳米复合涂层制备的制品包括用于平板显示、光电、触摸屏、电致发光灯和EMI屏蔽的透明电极和电路。

公开(公告)号：CN101022073A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710092311.5

申请日：2007-02-17

Applicant: 法国原子能委员会

Inventor： J·迪乔恩 ,  P·尼科拉斯

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明涉及一种三极管型阴极结构，其包括叠置在支撑体(21)上的阴极导体(22)，电绝缘层(24)和栅极电极(25)，该电绝缘层和该栅极电极包括暴露至少一个电子发射元件的开口，其电连接到阴极导体(22)并包括由电子发射材料构成的纳米管(28)。该纳米管结构包括防止最长的纳米管与栅极电极(25)接触的保护装置。