Abstract:
상보적금속산화물반도체(CMOS) 웨이퍼들내에형성되는마이크로머시닝된초음파트랜스듀서들이, 이러한디바이스들을제조하는방법들과같이기술된다. CMOS 웨이퍼의금속화층은희생릴리즈에의해제거될수 있어서초음파트랜스듀서의공동을생성할수 있다. 나머지층들은초음파트랜스듀서의멤브레인을형성할수 있다.
Abstract:
본 발명은 성막시에서의 영향을 기능부에 미치지 않게 하여, 이로써 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기능 소자를 제공한다. 기판(10)의 표면에 가동부(11), 밀봉층(12) 및 벽부(13)를 구비한다. 밀봉층(12)은, 가동부(11)의 주위에 내부 공간(14)을 형성하는 돔 형의 형상을 가지고 있고, 밀봉층(12) 중 가동부(11)와 대향하는 영역 이외의 영역에 개구부(15)가 형성되어 있다. 벽부(13)는 가동부(11)와 개구부(15) 사이에, 내부 공간(14)을 분리하지 않도록 형성되어 있고, 개구부(15)를 관통하는 동시에 밀봉층(12) 및 벽부(13)를 관통하지 않는 직선이 가로지르지 않는 공간(그림자 공간(19))을, 내부 공간(14) 내에 형성하고 있다. 가동부(11)는 그림자 공간(19) 내에 배치되어 있다. 기능부, 밀봉층, 벽부, 가동부, 개구부, 내부 공간, 기능 소자
Abstract:
PURPOSE: A MEMS element for a Tera Hz oscillator and a manufacturing method thereof are provided to solving problems with depth deviation of the etching floor and curvature radius of edge, which occur as etching depth becomes deeper when a MEMS element is manufactured. CONSTITUTION: A MEMS element for a Tera Hz oscillator comprises a pattern of a penetrating etching hole(150), a first substrate(110), a second substrate(120) and a first structure(100). The first substrate comprises a first face and a second face and the penetrating etching hole pattern passes through the first and second faces. A first pattern of a non-penetrating etching hole is formed on the first face of the first substrate. The second substrate comprises a third face and a fourth face and a second pattern of a non-penetrating etching hole is formed on the third face to face the penetrating etching hole pattern of the first substrate.
Abstract:
본 발명은 보다 소형화를 도모할 수 있는 압전 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 구성에 따르면, 압전 필터(10)는 그 주면(主面)에, 적어도 1개의 제1의 압전 공진자(25)가 형성된 제1의 기판(22)과, 그 주면에, 적어도 1개의 제2의 압전 공진자(15)가 형성된 제2의 기판(12)과, 제1의 기판(22)의 주면과 제2의 기판(12)의 주면이 대향한 상태에서, 제1의 기판(22)과 제2의 기판(12) 사이에 있어서, 제1의 압전 공진자(25) 및 제2의 압전 공진자(15) 주위로 연장되며, 제1의 압전 공진자(25)와 제2의 압전 공진자(15)를 간격을 형성해서 봉지(封止)하는 접합 패턴(20)과, 제1의 기판(22)의 주면에 형성되며 제1의 압전 공진자(25)에 전기적으로 접속된 패드(28x)와, 제2의 기판(12)의 주면에 형성되며 제2의 압전 공진자(15)에 전기적으로 접속된 패드(18x)를 접합하는 접합층(24x)을 구비한다. 압전 필터, 기판, 병렬 공진자, 직렬 공진자, 패드, 접합 패턴
Abstract:
본 발명은 절연화 처리에 대하여 충분한 밀착 강도를 갖는 보호막을 구비한 절연화 처리전(前) 기판 및 기체 표면 중 소망의 범위만이 절연화 처리된 기판의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자의 제조 방법, 더 나아가서 상기 제조 방법에 의해 제조된 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파 장치, 전자 기기를 제공하는 것이다. 본 발명에 따르면 기판의 제조 방법이, 기체(11)의 표면의 도전성(導電性)을 갖는 부위의 일부에 제 1 기능액을 부여해서 건조시켜, 둘레 형상의 격벽부(33)를 갖는 제 1 보호층(31)을 형성하는 공정과, 상기 격벽부에 의해 둘러싸인 영역에 제 2 기능액을 부여해서 건조시켜, 제 2 보호층(32)을 형성하고, 기체(基體)(11)의 표면에 제 1 보호층(31)과 제 2 보호층(32)을 갖는 보호막(30)을 형성하는 공정과, 기체(11) 및 보호막(30)을 갖는 절연화 처리전 기판(12)(도 10의 (a))의 표면에 절연화 처리를 행하는 공정(도 10의 (b))과, 보호막(30)을 박리(剝離)시키는 공정을 포함하고 있다. 절연화 처리, 보호막, 격벽부, 탄성 표면파, 기판
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a micro machine is provided to improve output precision of the micro machine by fabricating a capacitor with a high precision and superior electrical characteristics. CONSTITUTION: A method for manufacturing a micro machine includes the steps of forming a first electrode on a surface of a stopper layer(14) of a substrate(10) and forming an insulation layer on the substrate(10). The thickness of the insulation layer is larger than the thickness of the first electrode including the stopper layer(14) so that the first electrode is covered with the insulation layer. Then, the insulation layer is polished such that the stopper layer is exposed. After forming an opening in the stopper layer(14), the opening is filled with a sacrificial layer. A second electrode is formed on the insulation layer by passing through the sacrificial layer.
Abstract:
This invention provides electromechanical resonators based on metal chalcogenide nanotubes. The invention further provides methods of fabrication of electromechanical resonators and methods of use of such electromechanical resonators.
Abstract:
Systems and techniques are provided for membrane bonding. A photoresist may be applied to an ultrasonic device. A portion of the photoresist may be removed. A bonding agent may be applied a portion of the photoresist that is not removed. A membrane may be placed on the ultrasonic device such that the membrane is in contact with the ultrasonic device through the bonding agent and the photoresist. The membrane and the ultrasonic device may be placed in between a first flat plate and a second flat plate, such that the second flat plate rests on top of the membrane. Light pressure may be applied to the membrane. The light pressure may be applied by one or more of the weight of the second flat plate and a pressure providing device applying pressure to either or both of the first flat plate and the second flat plate.