-
公开(公告)号：KR101894393B1
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：KR1020110145157
申请日：2011-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B06B1/0292 , Y10T29/49005
Abstract: 초음파변환기구조물, 초음파변환기및 초음파변환기의제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기구조물은구동회로를포함하는구동웨이퍼와, 상기구동웨이퍼상에구비되고, 비아홀이형성된제1웨이퍼와, 상기제1웨이퍼로부터이격되게배치된제2 웨이퍼를포함하는초음파변환기웨이퍼를포함한다.
-
公开(公告)号：KR101851568B1
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR1020120095002
申请日：2012-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81B3/0027 , A61B8/4483 , B06B1/0292 , B06B2201/76 , B81C1/00158
Abstract: 초음파변환기및 그제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는, 도전성기판및 멤브레인을관통하는비아홀의내벽및 상부를덮도록마련되는것으로, 그상면이상기멤브레인의상면과동일평면을이루는제1 전극층과, 상기도전성기판의하면에상기제1 전극층과이격되게마련되는제2 전극층과, 상기멤브레인의상면에상기제1 전극층의상면과접촉하도록마련되는상부전극을포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020170142409A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160075835
申请日：2016-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0416 , G06K9/0002 , G06K9/0008
Abstract: 터치센서가개시된다. 개시된터치센서는, 복수의제1 전극과, 복수의제2 전극및 제1 전극과제2 전극사이의상호전기용량을측정하는전기용량측정부를포함한다. 상기복수의제1 전극각각은복수의고리패턴을포함한다.
Abstract translation: 触摸传感器启动。 所公开的触摸传感器包括多个第一电极和用于测量多个第二电极与第一电极的两个电极之间的互电容的电容测量单元。 多个第一电极中的每一个包括多个环形图案。
-
公开(公告)号：KR1020150065067A
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020130150162
申请日：2013-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , H01L21/0237 , H01L21/3043 , H01L21/768 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H04R19/005 , H01L2924/00
Abstract: 정전용량미세가공초음파변환기및 그제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는복수의엘리먼트에대응되며서로절연된복수의제1 부분을한정하는제1 트렌치와, 상기복수의제1 부분과이격된제2 부분을한정하는제2 트렌치를포함하는디바이스기판; 과, 상기디바이스기판상에서상기각 엘리먼트에대응되는복수의캐버티를한정하는지지대와, 상기지지대상에서상기복수의캐버티를덮는멤브레인과, 상기멤브레인상에서상기멤브레인및 상기지지대를관통하는비아홀을통해서상기제2 트렌치내의상기제2 부분과전기적으로연결된상부전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电容微加工超声换能器及其制造方法。 所公开的超声波换能器包括：器件衬底，其包括第一沟槽，其限定彼此绝缘并对应于多个元件的多个第一部分;以及第二沟槽，其限制与第一部分分离的第二部分， 限制对应于器件基板上的每个元件的多个空腔的支撑台，覆盖支撑台上的空腔的膜，以及通过通孔电连接到第二沟槽中的第二部分的顶部电极， 通过膜和支撑架在膜上。
-
公开(公告)号：KR1020140068717A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136553
申请日：2012-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 홍석우
CPC classification number: B81C1/00158 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2207/096 , B81C1/00095 , G01N29/2406
Abstract: Disclosed are an ultrasonic transducer and a manufacturing method for the same. the disclosed ultrasonic transducer includes a plurality of protrusion units installed on a conductive substrate to be separated from each other; a via hole penetrating the conductive substrate or one among the protrusion units; a first electrode including metal and filling the via hole; a second electrode installed on the lower surface of the conductive substrate; a membrane forming a plurality of cavities between the conductive substrate by being installed on the protrusion units; and an upper electrode installed on the membrane to come into contact with the first electrode.
Abstract translation: 公开了一种超声波换能器及其制造方法。 所公开的超声波换能器包括安装在导电基板上以彼此分离的多个突起单元; 贯通导电性基板的通孔或突出单元中的一个; 包括金属并填充所述通孔的第一电极; 安装在所述导电基板的下表面上的第二电极; 膜，其通过安装在所述突出单元上而在所述导电基板之间形成多个空腔; 以及安装在膜上以与第一电极接触的上电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140028530A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120095002
申请日：2012-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81B3/0027 , A61B8/4483 , B06B1/0292 , B06B2201/76 , B81C1/00158
Abstract: Disclosed are an ultrasonic converter and a manufacturing method for the same. The disclosed ultrasonic converter includes a first electrode layer covering an inner wall and the upper part of a via hole penetrating a conductive substrate and a membrane and forming the same plane as the upper surface of the membrane; a second electrode layer formed on the lower surface of the conductive substrate to be separated from the first electrode layer; and an upper electrode arranged on the upper surface of the membrane to be in contact with the upper surface of the first electrode layer.
Abstract translation: 公开了一种超声波转换器及其制造方法。 所公开的超声波转换器包括覆盖内壁的第一电极层和贯穿导电基板和膜的通孔的上部，并形成与膜的上表面相同的平面; 形成在所述导电基板的下表面上以与所述第一电极层分离的第二电极层; 以及布置在膜的上表面上以与第一电极层的上表面接触的上电极。
-
公开(公告)号：KR101206030B1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020060007905
申请日：2006-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H9/0547 , H01L2924/0002 , H03H9/587 , H01L2924/00
Abstract: 알에프 모듈, 멀티 알에프 모듈 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
이 개시된 알에프 모듈은 베이스 기판; 베이스 기판의 상부에 마련되며, 알에프 신호를 처리하는 제1 소자; 제1 소자의 상부에서 이격되게 배치되며, 알에프 신호를 처리하는 제2 소자; 베이스 기판과 결합되어 제1 및 제2 소자를 밀봉하며, 제1 및 제2 소자가 외부와 전기적으로 연결되도록 하는 복수개의 관통전극이 형성된 캡 기판; 베이스 기판과 상기 캡 기판을 밀봉접합하는 것으로, 제1 및 제2 소자가 관통전극과 전기적으로 연결되도록 하는 실링패드;를 포함한다.
이러한 구조에 의해, 웨이퍼 단위에서 제조가능하므로 그 생산 수율을 향상시킬 수 있으며, 칩 스케일로 패키징되어 소형화가 용이하다.-
8.发明授权
公开(公告)号：KR100822469B1
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020050119113
申请日：2005-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0805 , H03H9/0571 , H03H9/588 , H03H9/706
Abstract: 송수신단 필터 간의 영향을 차단하는 듀플렉서가 개시된다. 본 듀플렉서는, 기판, 기판의 일 표면 상의 소정의 제1 영역에 제작된 송신단 필터, 기판의 일 표면 상의 소정의 제2 영역에 제작된 수신단 필터 및 제1 영역과 제2 영역 사이 영역에서 기판을 식각한 형태로 제작되어, 송신단 필터 및 수신단 필터를 격리시키는 에어 캐비티를 포함한다. 이 경우, 에어 캐비티는, 기판 상에서, 송신단 필터 및 수신단 필터의 배치 방향에 수직한 형태로 제작되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 소자 간의 물리적 영향을 차단할 수 있게 된다.
듀플렉서, 에어 캐비티, 시스템 온 칩-
公开(公告)号：KR1020070070903A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133922
申请日：2005-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/0004 , G06T2207/30148
Abstract: A semiconductor wafer analyzing system is provided to shorten a production time of a semiconductor wafer by easily finding out defect equipment which induces a defect in a specific region. A tester(100) inspects at least one semiconductor wafer manufactured by manufacturing equipment. A wafer map generating module(110) generates a wafer map based on the test results of the tester. A wafer analyzing module(120) has a data generating module(122) dividing the wafer map into plural defect analyzing regions and generating a feature vector representative of the semiconductor wafer and an operation module(124) statistically analyzing the feature vector.
Abstract translation: 提供半导体晶片分析系统，通过容易地找出在特定区域中引起缺陷的缺陷设备来缩短半导体晶片的生产时间。 测试器（100）检查由制造设备制造的至少一个半导体晶片。 晶片图生成模块（110）基于测试仪的测试结果生成晶片图。 晶片分析模块（120）具有数据生成模块（122），将晶片图划分为多个缺陷分析区域，并生成表示半导体晶片的特征向量和统计分析特征向量的操作模块（124）。
-
公开(公告)号：KR100725086B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020000050027
申请日：2000-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 홍석우
IPC: H01L21/3213
Abstract: 다층 배선 형성 공정에서의 패드층 형성 방법에 관해 개시되어 있다. 본 발명은 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 제1 단계와 상기 제1 절연막 상에 상기 기판에 연결되는 하부 패드층을 형성하는 제2 단계와 상기 제1 절연막 상에 상기 하부 패드층이 노출되도록 제2 절연막을 형성하는 제3 단계 및 상기 제2 절연막 상에 상기 하부 패드층의 노출된 부분과 접촉되는 상부 패드층을 형성하되, 상기 상부 패드층과 상기 제2 절연막 사이에 상기 하부 패드층과 접촉됨과 동시에 상기 제2 절연막 사이의 상부 패드층을 둘러싸는 도전성 스페이서를 형성하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 형성공정에서의 패드층 형성 방법을 제공한다. 따라서 상부 패드층 형성 후의 칩 테스트 공정에서 테스트 부재의 하나인 프로브 팁이 상기 상부 패드층과 접촉되더라도 상부 패드층이 밀리거나 리프팅되는 것을 방지할 수 있고, 본딩불량에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
125
records
(took 0.025 seconds)
