中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

509 records (took 0.02 seconds)

    Intersection switch matrix, including Rfmems intersection switch, and the rfmems intersection switch
    261.
    发明专利
    Intersection switch matrix, including Rfmems intersection switch, and the rfmems intersection switch 有权

    公开(公告)号：JP2014512643A

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：JP2014501532

    申请日：2012-03-20

    Applicant: デルフメムズ

    Inventor： クリストフ パヴァジョー，

    IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: H01P1/15 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/018 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/20 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2059/0072 ,  H01P1/127 ,  H01P3/003

    Abstract: 第一伝送ライン（１０）と、第一伝送ラインと交差する第二伝送ライン（１１）とを含むＲＦ ＭＥＭＳ交点スイッチ（１）であって、第一伝送ライン（１０）が、二つの間隔を置いて離れた伝送ライン部（１００，１０１）、及び前記二つの間隔を置いて離れた伝送ライン部（１００，１０１）を永続的に電気的に接続するスイッチ素子（１２）を含み、第二伝送ライン（１１）が、二つの間隔を置いて離れた伝送ライン部（１００，１０１）間で第一伝送ライン（１０）と交差し、ＲＦ ＭＥＭＳ交点スイッチ（１）がさらに、スイッチ素子（１２）が第一伝送ライン（１０）の前記二つの間隔を置いて離れた伝送ライン部（１００，１０１）を電気的に接続しかつ第一（１０）及び第二（１１）伝送ラインが電気的に切られる第一位置と、スイッチ素子（１２）が第一伝送ライン（１０）の前記二つの間隔を置いて離れた伝送ライン部（１００，１０１）を電気的に接続しかつ二つの伝送ライン（１０，１１）を一緒に電気的に接続する第二位置との間で少なくともスイッチ素子（１２）を作動するための作動手段（１２１）を含む。
    【選択図】 図３

    Structure for signal line, method for manufacturing signal line, and switch using the signal line
    262.
    发明专利
    Structure for signal line, method for manufacturing signal line, and switch using the signal line 有权
    信号线结构，制造信号线的方法和使用信号线的开关

    公开(公告)号：JP2011193168A

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：JP2010056731

    申请日：2010-03-12

    Applicant: Omron Corp ,  オムロン株式会社

    Inventor： YAMAMOTO JUNYA ,  NARUSE KOJI

    IPC: H01P3/02 ,  H01P1/15 ,  H01P3/08

    CPC classification number: H01P3/081 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0136 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0078 ,  H01P1/127

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure for a signal line capable of reducing leak of a signal in the signal line provided with a strip conductor on an insulation layer formed on a surface of a semiconductor layer, and a switch using the signal line. SOLUTION: A lower insulating layer 23, a semiconductor layer 24 and an upper insulating layer 25 are laminated on a base 22, and a strip conductor 26 is wired on the upper surface of the upper insulating layer 25. The signal line 21 is formed into an island, and the semiconductor layer 24 and the upper insulating layer 25 have each a width nearly equal to that of the strip conductor 26. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种能够减少形成在半导体层的表面上的绝缘层上的带状导体的信号线中的信号泄漏的信号线的结构，以及使用 信号线。 解决方案：下绝缘层23，半导体层24和上绝缘层25层压在基座22上，带状导体26布线在上绝缘层25的上表面上。信号线21 形成岛状，并且半导体层24和上绝缘层25的宽度几乎等于带状导体26的宽度。（C）版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Micro actuators and locking switch
    264.
    发明专利
    Micro actuators and locking switch 审中-公开

    公开(公告)号：JP2010502465A

    公开(公告)日：2010-01-28

    申请号：JP2009527424

    申请日：2007-09-07

    Applicant: アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド

    Inventor： パルド，フラヴィオ

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H37/52

    CPC classification number: H01H61/04 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/018 ,  H01H2001/0047 ,  H01H2061/006 ,  H01H2061/008

    Abstract: 微小電気機械アクチュエータは、ホットアームに金属を使用し、コールドアームの少なくとも可撓部分にシリコンを使用する。 シリコンで製作されたコールドアームは、それと共に移動し、そのようなアクチュエータの少なくとも２つがスイッチに形成される場合、切り替えられるべき信号を伝送するために使用される金属ワイヤに結合される。 第１のチップ上のそのようなスイッチのアレイは、第１のチップに接合されるフリップチップである第２のチップと協同して構成することができ、第２のチップは、その上に、様々なホットアームを加熱するためのそれらへの電気制御電流、ならびに様々なスイッチによって切り替えられるべき信号を経路選択するワイヤを有する。

    Manufacturing method for electrical component
    265.
    发明专利
    Manufacturing method for electrical component 有权
    电气元件制造方法

    公开(公告)号：JP2006073754A

    公开(公告)日：2006-03-16

    申请号：JP2004254653

    申请日：2004-09-01

    Applicant: Sumitomo Electric Ind Ltd ,  住友電気工業株式会社

    Inventor： NITTA KOJI ,  INASAWA SHINJI ,  HIRATA YOSHIHIRO ,  OKADA KAZUNORI

    IPC: H05K3/18 ,  H05K1/09 ,  H05K3/26

    CPC classification number: C25D5/34 ,  B81B2201/018 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00698 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  H05K3/205 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1157

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for an electrical component which reduces the contact resistance of the surface of the electrical component.
    SOLUTION: The manufacturing method includes the processes of forming a resist on a part of the surface of a board, forming a metal layer on the board surface after the formation of the resist, removing a part of the metal layer, removing a metal oxide film that is formed on the surface of the metal layer as a result of the removal of the part of the metal layer, and removing the resist.
    COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 解决的问题：提供降低电气部件的表面的接触电阻的电气部件的制造方法。 解决方案：制造方法包括在基板表面的一部分上形成抗蚀剂的步骤，在形成抗蚀剂之后在基板表面形成金属层，除去金属层的一部分，除去 金属氧化物膜，其由于去除金属层的一部分而形成在金属层的表面上，并且去除抗蚀剂。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    RADIO FREQUENCY MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SWITCH AND RADIO FREQUENCY DEVICE
    266.
    发明公开
    RADIO FREQUENCY MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SWITCH AND RADIO FREQUENCY DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：US20240186095A1

    公开(公告)日：2024-06-06

    申请号：US17796501

    申请日：2021-08-25

    Applicant: Beijing BOE Technology Development Co., Ltd. ,  BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.

    Inventor： Yingli SHI

    IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/019 ,  H01H2059/0027

    Abstract: The present disclosure provides a radio frequency micro-electro-mechanical switch and a radio frequency device, belong to the field of micro-electro-mechanical systems technology, and can at least partially solve a problem that functional performance of an existing radio frequency micro-electro-mechanical switch is easily to be affected in scenarios such as bending deformation of devices. The radio frequency micro-electro-mechanical switch provided by the present disclosure includes: a substrate; and a signal electrode, a first ground electrode, a second ground electrode and a connecting membrane bridge disposed on the substrate, the connecting membrane bridge crosses over the signal electrode, two ends of the connecting membrane bridge are connected to the first ground electrode and the second ground electrode respectively, and the connecting membrane bridge includes a stretchable structure being stretchable in a stretchable direction the same as an extending direction in which the connecting membrane bridge extends.

Patent Agency Ranking