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公开(公告)号：FR3085483A1
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：FR1857857
申请日：2018-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： TRAMONI ALEXANDRE
IPC: G01R23/02
Abstract: La présente description concerne un dispositif (5) d'évaluation d'une consommation moyenne d'un circuit électronique (4) comportant : un oscillateur commandé en tension (52) recevant une information représentative d'une tension d'alimentation du circuit ; un premier compteur (54) d'impulsions fournies par l'oscillateur commandé en tension ; et un deuxième compteur (58) d'impulsions d'un signal d'horloge.
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公开(公告)号：FR3084771A1
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：FR1857122
申请日：2018-07-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： MARZAKI ABDERREZAK , FORNARA PASCAL
Abstract: Le circuit intégré comporte au moins un élément anti-fusible (10), comprenant un empilement d'une première région conductrice (11), d'une couche diélectrique (13), et d'une deuxième région conductrice (15). La première région conductrice (11) est logée dans une tranchée s'étendant depuis une première face (4) d'un substrat semiconducteur (1) en profondeur dans le substrat (1), tandis que la couche diélectrique (13) repose sur la première face (4) du substrat (1) et la deuxième région conductrice (15) repose sur la couche diélectrique (13).
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公开(公告)号：FR3069954B1
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：FR1757372
申请日：2017-08-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： MARZAKI ABDERREZAK , RIVERO CHRISTIAN , HUBERT QUENTIN
Abstract: Circuit électronique intégré comportant un substrat semi-conducteur (1) comprenant un caisson semi-conducteur (2) isolé du reste du substrat (1) par au moins une région semi-conductrice (3) réalisée au moins en partie sous le caisson semi-conducteur (2), et comprenant un dispositif (DIS) de détection d'un amincissement du substrat (1) par sa face arrière comportant un transistor vertical (TR2), des moyens de polarisation du transistor vertical, et des moyens de comparaison (5) couplés au transistor vertical (TR2) et configurés pour générer un signal (RST) ayant une première valeur si la valeur du courant traversant le transistor vertical (TR2) est supérieure ou égale à une valeur seuil, et une deuxième valeur si la valeur du courant traversant le transistor vertical (TR2) est inférieure à la valeur seuil.
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公开(公告)号：FR3084521A1
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：FR1856887
申请日：2018-07-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL , MARINET FABRICE
IPC: H01L23/00
Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant un module (ID), un corps électriquement conducteur à potentiel flottant (PC) situé dans le circuit intégré et ayant une quantité initiale de charges électriques, et des moyens de protection configurés pour mettre à la masse une sortie du module (ID) en présence d'une quantité de charges électriques (AC) sur ledit corps (PC) différente de la quantité initiale et supérieure à un seuil.
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公开(公告)号：FR3084520A1
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：FR1856886
申请日：2018-07-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL , MARINET FABRICE
IPC: H01L23/00
Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant des moyens de protection dudit circuit intégré (CI) comportant un corps électriquement conducteur à potentiel flottant (PC) situé dans le circuit intégré (CI) et ayant une quantité initiale de charges électriques, des moyens de détection (MD) configurés pour détecter une quantité de charges électriques (AC) sur ledit corps (PC) différente de la quantité initiale de charges, et des moyens de commande (MCMD) configurés pour déclencher une action de protection si la quantité de charges détectée (AC) est différente de la quantité initiale.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3080948A1
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：FR1853778
申请日：2018-05-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： MARZAKI ABDERREZAK
Abstract: Le circuit intégré comprend au moins un élément capacitif (C) comprenant une première électrode munie d'une première plaque (Pl) électriquement conductrice située sur un caisson semiconducteur d'un premier type de conductivité (PW), une deuxième électrode munie d'une deuxième plaque (P2) électriquement conductrice sur la première plaque, du caisson (PW), et d'une région superficielle (NS) fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité située sous la première plaque et en surface du caisson, et une région diélectrique (OxT, OxG) interélectrodes séparant électriquement la première électrode et la deuxième électrode.
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公开(公告)号：FR3080476A1
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：FR1853557
申请日：2018-04-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： TORNAMBE ANTHONY , CORDIER NICOLAS
Abstract: Objet capable de communiquer sans contact avec un lecteur par modulation active de charge, ledit objet (APP) comprenant un contrôleur (CMP) connecté à une antenne (ANT2) par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation d'impédance et formant ensemble un circuit résonant ayant une fréquence de résonance, le contrôleur étant configuré pour faire émettre (902) par l'objet, en l'absence de signal reçu d'un lecteur, un signal à la fréquence du circuit résonant de l'objet, à déterminer (903) au moins une caractéristique (NV) obtenue à partir dudit signal uniquement émis par l'objet, et effectuer un réglage (904) d'un décalage de phase (DPH) interne à l'objet à partir de ladite au moins une caractéristique et d'une indication (IND) stockée dans une mémoire de l'objet et reliant des valeurs de décalages de phase à des valeurs de ladite au moins une caractéristique.
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公开(公告)号：FR3080198A1
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：FR1853304
申请日：2018-04-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： EL KHOURASSANI YASSINE , VALDENAIRE PATRICK , ARDICHVILI EMMANUEL
IPC: G06F15/173 , G06F12/02 , G06K19/073
Abstract: On affecte à chaque équipement source (ESi) un module de commande (MCMi) configuré pour affecter à chaque transaction, un port d'accès (PAi) d'un équipement cible en fonction d'un attribut affecté à différents secteurs de l'espace mémoire de l'équipement cible. Un circuit d'interconnexion route alors ladite transaction vers le port d'accès désigné.
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公开(公告)号：FR3078424A1
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：FR1851737
申请日：2018-02-27
Inventor： MAILLET GWENAEL , LABYRE JEAN-LOUIS , BAS GILLES
Abstract: L'invention concerne un procédé de génération d'au moins un signal électrique en modulation de largeur d'impulsions (PWM), dans lequel la génération du signal PWM est modifiée lors d'une communication radiofréquence en champ proche.
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公开(公告)号：FR3071355B1
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：FR1758697
申请日：2017-09-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： TAILLIET FRANCOIS
IPC: H01L27/115 , G11C16/02 , H01L29/788
Abstract: Le circuit intégré de mémoire EEPROM comporte des cellules-mémoires (CEL) arrangées dans un plan-mémoire (PM) et comportant un transistor d'accès (TA) en série avec un transistor d'état (TE), chaque transistor d'accès (TA) étant couplé sur sa région de source à la ligne de source (SL) correspondante, et chaque transistor d'état (TE) étant couplé sur sa région de drain (TEd) à la ligne de bit (BL) correspondante. La grille flottante de chaque transistor d'état (TE) reposant sur une couche diélectrique (OX) ayant une première partie d'une première épaisseur (el), et une deuxième partie (TN) d'une deuxième épaisseur (e2) inférieure à la première épaisseur (el), dans lequel la deuxième partie (TN) est située du côté de la source (TEs) du transistor d'état.
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