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公开(公告)号：KR1020160114953A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150041484
申请日：2015-03-25
Applicant: 주식회사 코프 , (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H01P5/12
Abstract: 본발명은 RF 전력합성분배장치의전송선로결합부분주변에그라운드와연결된홀(Hole)을형성하여전송선로결합부분에서발생되는기생커패시턴스(Parasitic capacitance) 및그로인한영향을줄일수 있는 RF 전력합성분배장치에관한것으로, T형을이루며결합되는 3 개의전송선로들을포함하는 RF 전력합성분배장치에있어서, 유전체층을사이에두고양쪽면에금속층이결합된판형의기판과, 상기전송선로들중 좌측부위에연결되는제1 전송선로와, 상기제1 전송선로우측에연결되는제2 전송선로와, 상기제1, 2 전송선로의결합부위에연결되어하부측으로연장된제3 전송선로및 상기제1,2 전송선로의결합부위로부터상부측으로일정거리이격되는위치에상기기판을관통하여형성된관통홀을포함하되, 상기제1 내지제3 전송선로는상기기판의일 측면에결합된금속층을이용하여형성되는것을특징으로하는 RF 전력합성분배장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR100956665B1
公开(公告)日：2010-05-10
申请号：KR1020070140580
申请日：2007-12-28
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
Abstract: 본 발명은 내부 접지층을 갖는 결합기에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 결합기는 세라믹 유전체를 재료로 하여 형성되고, 상부면 및 하부면에 접지전극 및 외부와의 전원 연결을 위한 포트전극 패턴이 형성되어 있는 결합기 본체, 상기 결합기 본체의 내부에 형성하며, 브로드사이드 결합되어 결합선로 및 포트선로를 형성하는 두 개의 마이크로스트립 전송선로 및 상기 두 개의 마이크로스트립 전송선로 사이에 위치하며, 상기 상부면 및 하부면의 접지전극에 연결되는 접지층을 포함한다.
따라서, 결합선로 사이에 형성된 접지층의 크기 및 형태를 조절하여 결합기의 삽입손실과 반사손실을 줄이고 격리도를 증가시킬 수 있다.
결합기, 세라믹 유전체, 내부 접지층, GND, 접지 영역, 결합선로, 포트선로-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090079565A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005643
申请日：2008-01-18
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
Abstract: A low temperature cofired ceramic composition is provided to enable to be sintered at the temperature of 900°C or less and to be cofired with a deionized Ag electrode. A low temperature cofired ceramic composition is composed of: 100 parts of glass of aCaO-bSiO2-cB2O3-dAl2O3, herein a, b, c and d satisfy the inequality of 0.02
Abstract translation: 提供低温共烧陶瓷组合物以使其能够在900℃或更低的温度下烧结并与去离子Ag电极共烧。 低温共烧陶瓷组合物由以下组成：100份aCaO-bSiO2-cB2O3-dAl2O3玻璃，a，b，c和d满足0.02 <= a <=0.1,0.4≤b≤0.7的不等式 ，0.3 <= c <= 0.6和0.01 <= d <= 0.1; 5-110份氧化铝; 和选自1-20份CaTiO 3，1-20份SrTiO 3，1-20份TiO 2和1-5份CuO的一种或多种化合物。 制作的低温共烧陶瓷的介电常数为4.8-9.5，四点弯曲强度阀为170-290MPa。
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公开(公告)号：KR100902418B1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070099209
申请日：2007-10-02
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H01P5/107
Abstract: 본 발명은 스텁을 가진 결합기에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 결합기는 세라믹 유전체를 재료로 하여 형성되고 끝단에 외부와 전원 공급을 위해 연결되는 포트전극 패턴이 인쇄되는 결합기 본체, 결합기 본체 내부에 형성되어 두 개의 전송선로가 브로드사이드 결합(broadside-coupled)된 스트립 결합선로, 결합기 본체 내부에 형성되어 스트립 결합선로를 포트전극 패턴과 전기적으로 연결하는 포트선로 및 포트선로에 형성되어 포트선로에 커패시턴스를 발생시키는 스텁을 포함한다.
따라서, 포트선로에 형성된 스텁의 크기 및 형태를 조절하여 결합기의 삽입손실과 반사손실을 줄이고 격리도를 증가시킬 수 있다.
결합기, 세라믹 유전체, 스텁, 결합선로, 포트선로, 마이크로스트립 결합선로-
公开(公告)号：KR1020050103758A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：KR1020040029055
申请日：2004-04-27
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H03H7/30
CPC classification number: H03H9/6433 , H01P3/08 , H03H3/04 , H03H9/703
Abstract: 본 발명은 멀티 밴드 필터에 관한 것으로, 제1 내지 제3 주파수 대역을 통과시키는 이 멀티 밴드 필터는, 제1 공진 회로를 포함하며 제1 및 제2 주파수 대역을 통과시키는 제1 필터, 제2 공진 회로와 제1 커패시터를 포함하며 제1 주파수 대역을 통과시키는 제2 필터, 제2 커패시터와 제3 공진 회로와 제1 인덕터를 포함하며 제2 주파수 대역을 통과시키는 제3 필터, 그리고 제3 커패시터와 제4 공진 회로와 제2 인덕터를 포함하며 제3 주파수 대역을 통과시키는 제4 필터를 포함한다. 이 멀티 밴드 필터에 의하면 원하는 주파수 대역에서 저손실과 고감쇄 특성을 갖게 할 수 있으며, 노치의 위치를 자유롭게 조절할 수 있어서 통과 주파수 대역에서 특성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 멀티 밴드 필터를 하나의 칩 형태로 구현함으로써 실장 비용과 시간을 절감할 수 있고, 크기를 작게 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100496135B1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020020057019
申请日：2002-09-18
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: C04B35/495 , C04B37/04 , H01B3/12
Abstract: 본 발명은 x(Ba,Sr)Oㆍy(Ti,Zr)O
2 ㆍz(Nb,Ta)
2 O
5 의 주성분, 소결조제, 및 접합 조절제를 포함하는 세라믹 조성물, 이를 이용한 이종 세라믹 접합체, 및 수동 집적 소자에 관한 것이다.
본 발명의 조성물은 이종의 저온 소성 세라믹간의 동시 소성 접합성과 높은 유전 상수(Dielectric Constant), 낮은 유전 손실(Dielectric Loss), 뛰어난 유전 상수의 온도 안정성을 이용하여, 저온 동시 소성 세라믹으로 구현되는 다층 세라믹 모듈형(Multilayer Ceramic Module) 전자부품의 부피를 감소시킴과 동시에 그 특성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100373694B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1020000031135
申请日：2000-06-07
Applicant: (주) 알엔투테크놀로지
IPC: H01B3/12
Abstract: 본 발명은 BaO, TiO
2 와 Nb
2 O
5 를 주성분으로 하는 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로서, 본 발명은 xBaO·yTiO
2 ·zNb
2 O
5 (0.15 ≤ x ≤ 0.3, 0.15 ≤ y ≤ 0.3, 0.4 ≤ z ≤ 0.7)를 주 조성으로 하고 여기에 B
2 O
3, CuO, ZnO, Bi
2 O
3 , Sb
2 O
5 , Ag
2 O 또는 V
2 O
5 중에서 선택된 산화물 중 어느 하나 이상의 소결조제를 포함하여 합성된 유전체 세라믹 조성물을 제공한다. 본 발명은 또한 주 조성의 각 양이온 자리에 Sr, Zr, Ta 등 소량의 원소를 치환하여 유전특성을 향상시킨 유전체 세라믹과 이를 이용한 고주파용 유전체 세라믹 적층 부품을 제공한다.
본 발명에 의한 유전체 조성물은 소결조제를 첨가하여 1000℃ 이하의 낮은 온도에서 소결이 가능하므로 은 또는 은/팔라듐 전극과 동시에 소성할 수 있으며, 치환원소를 선택적으로 첨가하여 유전율과 유전손실 그리고 공진주파수 온도계수등과 같은 유전특성을 조절할 수 있게 한다.
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