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公开(公告)号：CN1177162C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02106830.5
申请日：2002-03-05
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 南·V·恩古云
IPC: F16K27/00
CPC classification number: F16K27/003 , Y10T137/87249 , Y10T137/87885
Abstract: 一种用于将流体输送给一个或多个流体处理部件的流体输送装置。该流体输送装置包括一个或多个模块式子组件，各子组件包括一个上部模块、一个下部模块和一个基座块。该上部模块包括一个用于与流体处理部件连接的通道，这样，该上部通道与流体处理部件流体连通。该下部模块包括一个用于与上部模块连接的下部通道，这样，该下部通道与上部通道流体连通。该下部模块包括流动通路，该流动通路包括下部通道。该基座块包括一个容器和一个通路。该上部模块装于该容器内，该下部模块穿过该通路。该模块式子组件可以包括一个隔板，该隔板有多个对齐孔，以便使上部模块和下部模块的流体连接孔对齐。还公开了一种使用该流体输送装置的方法。
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公开(公告)号：CN1473129A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802985.2
申请日：2002-08-12
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 圣地亚哥·E·德尔普埃尔托 , 迈克尔·A·德马尔科 , 格伦·M·弗雷德曼 , 豪尔赫·S·艾瓦尔蒂 , 詹姆斯·A·麦克莱
CPC classification number: G03F7/70741 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/66 , G03F7/70808 , H01L21/67005 , H01L21/67751 , H01L21/67772 , H01L21/67778 , Y10S414/14
Abstract: 本发明涉及一种基片保护和转移系统，以及在光刻工具内转移一个基片由大气压至真空的方法。此系统包括一个或多个基片转移盒(111)。每个盒具有至少一个通气孔和至少一个过滤器。此系统还包括一个端部操作装置(113)，与一个机器人臂(115)匹配，以便能使基片(109)定位在一个盒(111)内，从而形成一个盒－基片装置。此系统还包括一个具有一个底板(711)和一个盖子(713)的箱子(701)。箱子(701)保持一个或多个盒－基片装置。用这种方式提供了一个箱子－盒－基片装置。为了转移基片，基片(109)首先装载进入一个可移动的基片转移盒(111)。随后，盒－基片装置装载进入箱子(701)。此箱子－盒－基片装置随后转移到真空外存储架的一个搁板上。
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公开(公告)号：CN1433940A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03101059.8
申请日：2003-01-09
Applicant: ASML美国公司
CPC classification number: G03F9/7011 , G03F7/70741
Abstract: 将分划板输送及加装到一个接收台(例如一个分划板曝光台)上所用的一种装置和方法。首先利用一个末端执行器将分划板从存储装置中取出，该末端执行器具有一个与安装盘相连接的分划板盘。安装盘用于使末端执行器与一个机器人臂相连。在脱机对准台中的一个平面外位置中将分划板对准。所述的对准与在接收台处所要求的对准相符合。在脱机对准台处将分划板对准之后，将分划板安装到分划板盘上。然后，将分划板从脱机对准台输送到接收台上，同时保持在脱机对准台上所预先完成的对准。该装置还为安装的分划板提供硬度以保证符合接收台处的对准要求。
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公开(公告)号：CN1397755A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02140679.0
申请日：2002-07-12
Applicant: ASML美国公司
IPC: F17D3/18
CPC classification number: C23C16/45576 , C23C16/45578 , C23C16/45595 , G05D7/0186 , H01J37/3244
Abstract: 提供了气体输送计量管，它包括两个轴向准直叠套的管，其中此内、外管接收通过相应组件一端的气体而内管则将气体输送至外管的相对端。此外管包括一或系列孔口。将气体输送到此外管的与连接气体入口端相对的一端时，与让气体只通过单一入口进入的情形相比，可在气体输送计量管的整个长度上提供更为均匀的反压力。
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公开(公告)号：CN1303476C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN02154739.4
申请日：2002-10-18
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 马克·奥斯卡特斯基 , 莱弗·莱泽科弗 , 斯考特·考斯顿 , 詹姆斯·特萨考耶尼斯 , 彼得·J·鲍姆加特纳 , 沃尔特·奥古斯汀
CPC classification number: G03F7/70158 , G03F7/70183
Abstract: 本发明涉及照明系统，其包括一照明光源、一设置在照明光源光路中的光束调节器、一第一衍射阵列、一聚光系统和一第二衍射阵列。照明光源发出的光经过光束调节器射到第一衍射阵列。然后，该光射到设置在第一衍射阵列和第二衍射阵列之间的光路中的聚光系统，该聚光系统包括多个固定光学元件和多个可移动光学元件。多个可移动光学元件设置在具有多个固定光学元件的光路中。可移动光学元件能在多个固定光学元件之间平移，以缩放从第一衍射阵列接收到的光。第二衍射阵列与聚光系统光学耦合，从聚光系统接收光，依次在光网上产生照明区域。
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公开(公告)号：CN1474734A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN01815147.7
申请日：2001-07-31
IPC: B24B49/00
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/16
Abstract: 在用于微电子制造的化学机械抛光(CMP)过程中，可以提出在晶片表面和抛光垫之间的三个接触方式：直接接触、混合或部分接触、以及液面滑动。但是，表征晶片/垫板接触的有效的现场用的方法和把接触状态与过程参数相联系的系统方法还很缺乏。在本工作中，利用由晶片支架上的载荷传感器测量的表面间摩擦力来表征接触状态。制定了把摩擦系数与作用压力、相对速度和浆液粘度相联系的模型，并且用实验作了验证。此外，建立了摩擦系数和材料去除率(MRR)之间的关系，研究了过程参数对Preston常数的影响。
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公开(公告)号：CN1375111A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN00811030.1
申请日：2000-06-15
Applicant: ASML美国公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/31612
Abstract: 本发明提供一种在具有至少一个室的化学气相沉积系统中,在半导体基片的表面上沉积氧化物薄膜的方法,该方法包括如下步骤:向所述的室提供烷基硅氧烷前体、臭氧;并将所述的烷基硅氧烷前体与臭氧进行热反应从而在基片的表面上沉积氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN1213834C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01815147.7
申请日：2001-07-31
IPC: B24B49/00
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/16
Abstract: 在用于微电子制造的化学机械抛光(CMP)过程中，可以提出在晶片表面和抛光垫之间的三个接触方式：直接接触、混合或部分接触、以及液面滑动。但是，表征晶片/垫板接触的有效的现场用的方法和把接触状态与过程参数相联系的系统方法还很缺乏。在本工作中，利用由晶片支架上的载荷传感器测量的表面间摩擦力来表征接触状态。制定了把摩擦系数与作用压力、相对速度和浆液粘度相联系的模型，并且用实验作了验证。此外，建立了摩擦系数和材料去除率(MRR)之间的关系，研究了过程参数对Preston常数的影响。
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公开(公告)号：CN1466676A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01815525.1
申请日：2001-07-31
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/12
Abstract: 证明了一种在化学机械抛光期间在半导体晶片或基片上在局部区域中用来提供材料去除的现场监视的方法和设备。具体地说，本发明的方法和设备保证探测在晶片表面上在某些局部区域或区内在不同材料之间的反射(134)的差别。反射的差别(150)用来指示在某些局部区域每个中材料去除的速率或进展(152)。
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