公开(公告)号：CN114592175A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210239964.6

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。

公开(公告)号：CN112639143B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201980054670.2

申请日：2019-05-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 柿谷明宏

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种热处理后的强度稳定性以及耐变色性优良的钛铜板。该钛铜板含有2.0～4.5质量％的Ti，且余量由铜以及不可避免的杂质组成，在平行于轧制面且相对于轧制方向垂直的方向上的抗拉强度得到最大值(TSmax)的峰值时效温度为420℃以下，TSmax为800～1200MPa，另外，在比峰值时效温度高20℃的温度下进行2小时热处理后垂直方向上的抗拉强度TS1与TSmax之比(TS1/TSmax)为0.98以上，并且在比峰值时效温度低20℃的温度下进行2小时热处理后垂直方向上的抗拉强度TS2与TSmax之比(TS2/TSmax)为0.98以上。

公开(公告)号：CN112601828B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201980054988.0

申请日：2019-05-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 柿谷明宏

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种钛铜板，其是在压制加工后进行热处理的钛铜板的非磨碾硬化材料，且热处理后的弹簧特性以及尺寸稳定性良好。该钛铜板，含有2.0～4.5质量％的Ti，余量由铜以及不可避免的杂质组成，轧制平行方向上的抗拉强度为750MPa以上，电导率为4.0～8.0％IACS，以400℃进行2小时热处理后轧制平行方向上的弹簧极限值为800MPa以上，并且以400℃进行2小时热处理后轧制平行方向上的热伸缩率为100ppm以下。

公开(公告)号：CN110317053B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201811569762.8

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。

公开(公告)号：CN111492093B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201880081712.7

申请日：2018-10-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 渡边拓人 ,  土田克之

IPC: C23C18/42 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体晶片，在钝化膜与无电解镀镍被膜的界面产生的空隙得到抑制，且电极焊盘的全部表面被无电解镀镍被膜覆盖。本发明的一个方案的半导体晶片在基板上依次具有：电极焊盘(12)；覆盖基板上表面且具有使电极焊盘露出的开口部的钝化膜(11)；以及在电极焊盘(12)上的无电解镀镍被膜(13)、无电解镀钯被膜(14)和无电解镀金被膜(15)，对于在钝化膜(11)与无电解镀镍被膜(13)的界面存在的空隙，从空隙的前端至电极焊盘的表面为止的长度(x)为0.3μm以上，空隙的宽度(y)为0.2μm以下，且电极焊盘(12)的全部表面被无电解镀镍被膜(13)覆盖。

公开(公告)号：CN113056569B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080006245.9

申请日：2020-01-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 高畑雅博 ,  福世秀秋 ,  伊森彻 ,  竹本幸一

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02 ,  H01S3/038

Abstract: 包含Cu和不可避免的杂质的铜电极材料，其中不可避免的杂质的含量为1质量ppm或更小，并且平均晶粒直径为100μm或更小。通过铜电极材料提供了具有改进的耐蚀性的含铜电极材料。

公开(公告)号：CN109475982B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201780043236.5

申请日：2017-07-18

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 矢作政隆 ,  古泽秀树

IPC: B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  C22C30/06

Abstract: 提供一种新颖的焊料合金，含有Sn、Bi及Zn，通过使Bi为42～62质量％，Zn为0.2～3.6质量％，剩余部分为Sn及不可避免的杂质，而可于低温区域使用。

公开(公告)号：CN110506131B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201880022658.9

申请日：2018-03-12

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 辻江健太

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明的钛铜含有1.5～5.0质量％的Ti，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，具有低浓度Ti层和高浓度Ti层在厚度方向交替存在的Cu和Ti的层状组织，在用STEM－EDX沿着厚度方向对与轧制方向平行的截面进行分析而得到的Ti浓度曲线中，低浓度Ti层的Ti浓度小于Ti浓度曲线中的Ti浓度的平均值，高浓度Ti层的Ti浓度为Ti浓度曲线中的Ti浓度的平均值以上，在所述与轧制方向平行的截面内，高浓度Ti层的层数在厚度方向上每500nm为5层以上。

公开(公告)号：CN110462075B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201880019328.4

申请日：2018-03-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 柿谷明宏

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

Abstract: 本申请提供一种具有优异的弯曲加工性的同时，冲压加工后的尺寸精度高的科森合金。一种铜合金条，其特征在于，所述铜合金条是轧制材料，所述轧制材料含有0～5.0质量％的Ni或0～2.5质量％的Co、0.2～1.5质量％的Si，Ni+Co的合计量为0.2～5质量％，剩余部分由铜和不可避免的杂质构成，进行利用正四棱锥的压头将1kg载荷的试验力施加于母材表面并保持10秒钟的维氏硬度试验，在将解除所述试验力后残留于所述母材表面的凹坑的投影面积设为A0，将连结压头的顶点而得到的面积设为A的情况下，A0/A≤1.000，在分别将来自表面中的(200)面的X射线衍射强度设为I(200)，将来自纯铜粉末标准试样的(200)面的X射线衍射强度设为I0(200)时，0.1≤I(200)/I0(200)＜1.0。

公开(公告)号：CN113261132A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980087668.5

申请日：2019-09-24

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 川桥保大

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明提供一种用于全固态锂离子电池时会得到优异的电池特性的全固态锂离子电池用氧化物系正极活性物质。一种全固态锂离子电池用氧化物系正极活性物质，其组成式由LiaNixCoyMn1‑x‑yO2(式中，0.98≤a≤1.05，0.8≤x≤1.0，0≤y≤0.20)表示，平均粒径D50为1.0～5.0μm，残留碱量为0.3～2.0质量％，硫酸根的量为100～6000wtppm。