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公开(公告)号：CN113996944A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110854942.6
申请日：2021-07-28
Applicant: NPS株式会社
Inventor： 裵城晧
Abstract: 本发明涉及裁剪系统，上述裁剪系统包括：供给单元，依次供给预先装上的多个托盘；装载单元，向从上述供给单元供给的托盘装载加工对象；储存单元，在分层堆放并暂时储存装有上述加工对象的多个托盘之后，根据产品的形成进度依次重新供给；加工单元，通过激光切割从上述储存单元传递的加工对象来形成产品；以及回收单元，在测定在上述加工单元中形成的产品的重量之后排出。根据这种本发明，可在一个工序线上连续实施裁剪工序和重量测定工序，上述裁剪工序通过切割加工对象来形成产品，上述重量测定工序测定以此形成的产品的重量，由此可以提高产品的生产性。
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公开(公告)号：CN112705838A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011071481.7
申请日：2020-10-09
Applicant: NPS株式会社
Inventor： 裵城晧
IPC: B23K26/042 , B23K26/70 , G02B7/182 , G02B7/198
Abstract: 本发明涉及激光装置，本发明包括激光振荡器、镜架组件、校正器、诊断模块、计算模块以及控制器，上述诊断模块通过再计算上述驱动马达根据上述目标驱动速度及上述目标驱动时间改变的上述加工光路与上述基准加工光路之间的光路差来再诊断是否发生上述光路弯曲，在经过上述再计算的上述光路差大于上述基准光路差的情况下，上述计算模块以经过上述再计算的上述光路差为基准来再计算上述目标驱动速度及上述目标驱动时间，上述控制器根据经过上述再计算的上述目标驱动速度及上述目标驱动时间再驱动上述驱动马达。
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公开(公告)号：CN1316546A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01111233.6
申请日：2001-03-08
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , NPS株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/455 , C23C16/45568 , C23C16/46 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。还公开了一种使用上述化学汽相淀积设备的化学汽相淀积方法。
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公开(公告)号：CN119176441A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202311314260.1
申请日：2023-10-11
Applicant: NPS 株式会社
Inventor： 裵城晧
Abstract: 本发明涉及薄膜用分切装置，本发明包括：退绕机，沿着长度方向卷绕薄膜材料并供给；切割单元，沿着上述长度方向激光切割上述薄膜材料的侧部来对上述薄膜材料进行分切，从而从上述薄膜材料分割形成单位薄膜材料；标记单元，在上述单位薄膜材料激光标记支撑图案，上述支撑图案具有与台肩对应的高度，上述台肩在激光切割上述薄膜材料的过程中发生热变形而沿着上述单位薄膜材料的厚度方向突出形成在上述单位薄膜材料的侧端部；以及材料用复卷机，卷绕形成有上述支撑图案的上述单位薄膜材料并回收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117021236A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310516857.8
申请日：2023-05-09
Applicant: NPS 株式会社
Inventor： 裵城晧
Abstract: 本发明涉及膜裁剪装置，其包括：供给单元，用于供给原膜；分析单元，包括不良分析部及裁剪计划部，上述不良分析部以在上述原膜预先标记的多个不良标记为基础来收集上述原膜的不良信息，在上述原膜中指定正常区域和不良区域，上述裁剪计划部在家族区间设定多个裁剪预定线，上述多个裁剪预定线用于从上述原膜的预设的上述家族区域分割形成多个膜片，上述膜片具有包括上述正常区域的正常片和包括上述不良区域的不良片中的至少一个；以及激光单元，沿着上述多个裁剪预定线照射激光束，以从上述家族区间选择性地分割形成上述正常片和上述不良片中的至少一个。
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公开(公告)号：CN114803632A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110892685.5
申请日：2021-08-04
Applicant: NPS株式会社
Inventor： 裵城晧
IPC: B65H20/10 , B65H23/188 , B65H20/00 , B29C65/56
Abstract: 本发明涉及一种膜排出机，上述膜排出机包括：供给单元，用于供给膜产品；分支单元，包括分支输送机及输送旋转部件，上述分支输送机用于移送从上述供给单元供给的膜产品，上述输送旋转部件以改变上述分支输送机的配置角度的方式使上述分支输送机向预先确定的正方向或与上述正方向相反的逆方向旋转，以向预先确定的第一分支路径和第二分支路径中的一个选择性地引导通过上述分支输送机的上述膜产品；第一排出单元，用于排出引向上述第一分支路径的上述膜产品；以及第二排出单元，用于排出引向上述第二分支路径的上述膜产品。
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公开(公告)号：CN1344817A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141203.8
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , NPS株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积
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