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    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP
    22.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法构建半导体表面及半导体晶片

    公开(公告)号：WO2010091936A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：PCT/EP2010/050742

    申请日：2010-01-22

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH ,  BAUR, Elmar ,  BÖHM, Bernd ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： BAUR, Elmar ,  BÖHM, Bernd ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0062

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.

    Abstract translation: 提供了一种用于图案化的半导体表面，其包括以下步骤提供了一种方法：提供（1）具有结构化表面（11）的第一晶片; 提供第二半导体晶片（3）; 施加光刻胶（2）到所述第二半导体晶片（3）的外表面; 光致抗蚀剂（2）的表面形成图案，以在第二半导体晶片（3）的面向远离通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11）; 光致抗蚀剂的结构化表面（21）上施加图案化工艺（6）（2），其中，所述光致抗蚀剂（2）（3）发送的第二半导体晶片的外表面（31）上至少局部地施加结构。

    LUMINESCENT DIODE CHIP
    23.
    发明申请
    LUMINESCENT DIODE CHIP 审中-公开
    LED芯片

    公开(公告)号：WO2010048921A2

    公开(公告)日：2010-05-06

    申请号：PCT/DE2009001436

    申请日：2009-10-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK PETER ,  LUCKNER HAGEN ,  SABATHIL MATTHIAS

    Inventor： BRICK PETER ,  LUCKNER HAGEN ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A luminescent diode chip is disclosed which comprises a series of semiconductor layers, including an active layer suitable for generating electromagnetic radiation, and a first electrical connection layer that touches and contacts the series of semiconductor layers in an electrically conducting manner. The first electrical connection layer touches and contacts the series of semiconductor layers especially by means of a plurality of contact surfaces. Said luminescent diode chip specifically has a non-homogeneous current density distribution or current distribution in the series of semiconductor layers as a result of a non-homogeneous distribution of a mass per unit area of the contact surfaces along a main direction in which the series of semiconductors extends.

    Abstract translation: 本发明提供一种LED芯片。 这包括半导体层序列，其包括适合于产生电磁辐射有源层的装置，并且第一电连接层，其接触半导体层序列和导电接触。 第一电连接层接触并且接触半导体层序列，尤其是具有多个接触表面。 在LED芯片中，半导体层序列中的不均匀的电流密度分布或电流分布选择性地被接触面的表面密度的沿着半导体层序列的主延伸平面的不均匀分布调整。

    HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE
    24.
    发明申请
    HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE 审中-公开
    半导体发光二极管和方法用于生产半导体发光二极管

    公开(公告)号：WO2009106038A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000192

    申请日：2009-02-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT, Magnus ,  BAUR, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  HAHN, Berthold

    Inventor： AHLSTEDT, Magnus ,  BAUR, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).

    Abstract translation: 它是一种半导体发光二极管（10），提出一种包括至少一个p型掺杂的发光层（4），n掺杂发光层（2）和光学活性区域（3）的p型的发光层（4）和n型之间的发光层 （2），具有氧化物层（8）由透明导电氧化物和至少一个反射镜层（9），其中，所述氧化物层（8）的发光层之间的（2,4）和所述至少一个反射镜层（9）和一个 第一边界表面（8a）的面向所述发光层（2，4），和第二边界表面（8b）的面向所述至少一个反射镜层（9），并且其中，所述第二接口（8b）的氧化物层（8） 较低的粗糙度（R2）小于第一边界表面（8a）的氧化物层（8）。

    LED MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT
    26.
    发明申请
    LED MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT 审中-公开
    LED具有电流扩展层

    公开(公告)号：WO2009067983A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：PCT/DE2008/001882

    申请日：2008-11-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias

    Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

    CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird eine LED, die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (7), einen n-Kontakt (10), einen p-Kontakt (9) und eine Stromaufweitungsschicht (4) aufweist, angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (4) ist zwischen der aktiven Schicht (7) und dem n-Kontakt (10) angeordnet. Ferner weist die Stromaufweitungsschicht (4) eine sich mehrfach wiederholende Schichtfolge auf, die mindestens eine n-dotierte Schicht (44), eine undotierte Schicht (42) und eine Schicht aus Al x Ga 1-x N (43), mit 0 x Ga 1-x N (43) weist einen Konzentrationsgradienten des Al-Gehalts auf.

    Abstract translation: 它包括一个发射辐射的有源层（7），n接触（10），p接触（9）和一个电流扩散层（4）表示的LED。 活性层之间的电流扩散层（4）（7）和设置成n接触（10）。 此外，电流扩散层（4）具有层的多次重复的序列，包括至少一个n型掺杂层（44），未掺杂层（42）和的AlxGa1-Xn中的一个层（43）中，用0 X嘎1-X N（43） 具有Al含量的浓度梯度。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
    29.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
    光电子半导体本体和方法生产同样

    公开(公告)号：WO2008131735A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：PCT/DE2008/000702

    申请日：2008-04-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： ENGL, Karl ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird eine optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (23) aufweist, und einer ersten und einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (4, 6) angegeben, wobei der Halbleiterkörper zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite vorgesehen ist, die erste und die zweite elektrische Anschlussschicht an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite angeordnet und mittels einer Trennschicht (5) elektrisch gegeneinander isoliert sind, die erste elektrische Anschlussschicht (4), die zweite elektrische Anschlussschicht (6) und die Trennschicht (5) lateral überlappen, und sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen Anschlussschicht (6) von der Rückseite durch einen Durchbruch (3) der aktiven Schicht (23) hindurch in Richtung zu der Vorderseite hin erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.

    Abstract translation: 它具有的半导体层序列（2）适合于产生电磁辐射活性层（23），以及第一和第二电连接层的器件的光电子半导体本体（4,6），其中，所述半导体主体，用于从发射电磁辐射 前侧设置，所述第一和第二电连接层上背面设置在前相反的一侧，并通过分离层的装置（5）彼此电绝缘，所述第一电连接层（4），所述第二电连接层（6）和所述分离层（5 ）横向重叠，并通过成朝向前的方向上的有源层（23）的开口（3）延伸的从后第二电连接层（6）的至少一部分。 此外，被指示用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

    BELEUCHTUNGSMODUL
    30.
    发明申请
    BELEUCHTUNGSMODUL 审中-公开
    照明模块

    公开(公告)号：WO2012038235A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：PCT/EP2011/065127

    申请日：2011-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H05B33/08

    CPC classification number: H05B33/0866 ,  F21Y2113/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul angegeben, das ein erstes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht (901) abstrahlt, ein zweites Licht emittierendes Halbleiterbauelement (2), das im Betrieb grünes Licht (902) abstrahlt, und ein drittes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (3), das im Betrieb blaues oder kaltweißes Licht (903) abstrahlt, aufweist, wobei das zweite Halbleiterbauelement (2) einen blau emittierenden zweiten Halbleiterchip und ein zweites Wellenlängenkonversionselement aufweist, das einen Anteil von größer oder gleich 90% des vom zweiten Halbleiterchip emittierten blauen Lichts in das grüne Licht (902) umwandelt, und wobei eine Überlagerung des vom ersten, zweiten und dritten Halbleiterbauelement (1, 2, 3) jeweils abgestrahlten Lichts (901, 902, 903) warmweißes Licht (904) ergibt.

    Abstract translation: 它是指定的照明模块，第一发光半导体组件（1），操作（901）期间，红光发射第二发光半导体元件（2），在操作期间的绿色光（902）发射，并且一个第三发光 的半导体器件（3），蓝色或在操作冷白光（903）发射，所述第二半导体器件（2）具有一个发射蓝光的第二半导体芯片和包括所述第二半导体芯片的大于或等于90％的比例的第二波长转换元件 转换中的绿色光（902）所发出的蓝色光，并且其中（1，2，3）中得到的第一，第二和第三半导体器件的叠加每个发射光（901，902，903）的暖白光（904）。

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