Abstract:
The invention relates to a MEMS component comprising a chip supporting the component structure, a metal structure being provided on the back of the chip opposite the component structures, for dispersing acoustic volume waves in order to avoid disturbing reflections and acoustic volume waves. The metal structures comprise a metal acoustically adapted to the material of the chip.
Abstract:
Zur Verkapselung eines MEMS-Chips wird vorgeschlagen, diesen auf einen planarisierten Metallrahmen aufzusetzen, der auf einem keramischen Trägersubstrat angeordnet ist. In einem thermischen Schritt wird dazu sowohl die elektrische Verbindung zwischen dem MEMS-Chip und Kontakten auf dem Trägersubstrat über Bumps vorgenommen, als auch eine ausreichend dichte und mechanisch stabile Verbindung zwischen Metallrahmen und MEMS-Chip hergestellt.
Abstract:
Insbesondere für ein miniaturisiertes elektrisches Bauelement wird eine Schichtkombination mit einer Markierung vorgeschlagen, die eine erste Schicht und eine davon verschiedene darüber aufgebrachte Abhebeschicht umfasst, in der durch einen musterförmig abgehobenen Bereich ein Muster ausgebildet ist. Die Abhebeschicht ist aus einem anorganischen, halbleitenden, isolierenden Material ausgebildet, wobei das darin erzeugte Muster maschinell lesbar ist.
Abstract:
Zur hermetischen Verkapselung eines in Flipchipbauweise auf einem Substrat (25) aufgebrachten Bauelements, das aus einem Chip (1) mit Bauelementstrukturen (5) besteht, wird vorgeschlagen ein Material (35) auf die Unterkante des Chips und an den Chip angrenzende Bereiche des Substrats aufzubringen, und darauf eine erste durchgehende Metallschicht (40) auf der Rückseite des Chips und auf das Material (35), sowie an das Material angrenzende Randbereiche des Substrats aufzubringen. Anschliessend wird zur hermetischen Verkapselung eine zweite abschliessende Metallschicht (45) zumindest auf denjenigen Bereichen der ersten Metallschicht (40) mittels eines lösungsmittelfreien Prozesses aufgebracht, die das Material (35) bedecken.
Abstract:
Ein Bauelement umfasst ein Substrat (S), einen Chip (CH) und einen Rahmen (MF). Der Rahmen (MF) ist mit dem Substrat (S) verbunden und der Chip (CH) liegt auf dem Rahmen (MF) auf. Eine Verschlussschicht (SL) auf Teilen des Rahmens (MF) und des Chips (CH), ist dazu eingerichtet, ein von dem Substrat (S), dem Chip (CH) und dem metallischen Rahmen (MF) umschlossenes Volumen hermetisch abzudichten.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons bei dem - ein Wandlerelement (WE) auf einem Träger (TR) montiert wird; - eine Abdeckung so über dem Wandlerelement (WE) und den Träger (TR) angeordnet wird, dass das Wandlerelement (WE) zwischen der Abdeckung und dem Träger (TR) eingeschlossen wird; - eine erste SchalleintrittsöiEffnung (S01) in dem Träger (TR) erzeugt wird; - ein Funktionstest des Mikrofons durchgeführt wird; - die erste Schalleintrittsöffnung (S01) verschlossen wird; und - bei dem eine zweite Schalleintrittsöffnung (S02) in der Abdeckung erzeugt wird. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein aus dem Verfahren resultierendes Mikrofon, bei dem die erste Schalleintrittsöffnung (S01) vorbereitet, aber verschlossen ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Bauelement-Anordnung (13) mit einem Trägersubstrat (4) und mindestens einem darauf angeordnetem Bauelement (1) aufweisend mindestens eine Schicht Glasfolie (5), die eine Zwischenschicht (6) enthält, die mindestens auf einer Seite auf die Glasfolie (5) aufgebracht ist und bei dem das Bauelement (1) durch eine auf dem Trägersubstrat (4) angebrachte Abdeckschicht (11) abgedeckt und abgedichtet ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein verkapseltes Bauelement, das ein Trägersubstrat und zumindest einen auf der Oberseite des Trägersubstrats angeordneten und mit diesem mittels elektrisch leitender Verbindungen elektrisch verbundenen Chip enthält. Die Verkapselung des Chips wird mit einer Abdichtung oder dielektrischen Schicht erzielt. Infolge unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten der Abdichtung oder dielektrischen Schicht und der elektrisch leitenden Verbindungen treten bei Temperaturwechsel Verspannungen in den elektrisch leitenden Verbindungen auf, die zu Rissen, Brüchen und sogar zur Unterbrechung der elektrisch leitenden Verbindungen führen können. Zur mechanischen Entlastung der elektrisch leitenden Verbindungen von Verspannungen bei Temperaturwechsel (insbesondere bei extremen thermischen Belastungen) wird vorgeschlagen, das Trägersubstrat mit einem den Chip umlaufenden Stützelement zu versehen, welches zur Abstützung der Abdichtung oder dielektrischen Schicht dient, und/oder das Material und die Anordnung der Verkapselung entsprechend zu wählen.
Abstract:
The invention relates to a method for hermetically encapsulating a component (1) that is mounted in flip-chip design on a support (4). The inventive method is characterized by first covering the component with a film (8) that closely rests on the component and the support, then structuring the film, and providing thereon a hermetically sealing layer (14), especially a metal layer, which seals up with the support.
Abstract:
Für in Flip-Chip-Technik montierte Bauelemente, insbesondere Oberflächenwellenbauelemente wird vorgeschlagen, ein schwundarmes Keramiksubstrat zu verwenden, über diesem ggf. mehrschichtige Metallisierungen durch Metallabscheidung zu erzeugen. Auch die Bumps können durch selbstjustierende Me-tallabscheidung erzeugt werden.