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公开(公告)号：CN107104101A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710397056.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11807 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/42384 , H01L29/6681 , H01L29/785 , H01L2027/11875
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN106057774A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610207159.X
申请日：2016-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基板；栅电极，位于基板上；绝缘层，位于栅电极上；第一下通孔和第二下通孔，位于绝缘层中；第一下金属线和第二下金属线，设置在绝缘层上并且分别连接到第一下通孔和第二下通孔；第一上金属线和第二上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上并且分别连接到第一下金属线和第二下金属线。当在平面图中观察时，第一下通孔与第二上金属线叠置，并且第二下通孔与第一上金属线叠置。
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公开(公告)号：CN111490044B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201911239542.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括第一组有源鳍和第一扩散防止图案。第一组有源鳍在第二方向上彼此间隔开，并且第一组有源鳍中的每一个在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上沿与第二方向不同的第一方向延伸。第一扩散防止图案沿第二方向在衬底的第一区域上延伸穿过第一组有源鳍。第一组有源鳍包括第一有源鳍和第二有源鳍。第一扩散防止图案延伸穿过第一有源鳍在第一方向上的中央部分以划分第一有源鳍，并且延伸穿过并接触第二有源鳍在第一方向上的端部。
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公开(公告)号：CN119698067A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411693670.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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公开(公告)号：CN110211955B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910135780.3
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117558726A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311302918.7
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/538 , H01L23/528 , G06F30/392
Abstract: 本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
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公开(公告)号：CN107958904B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201710962330.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 在一个实施例中，标准单元包括：第一有源区及第二有源区，在所述第一有源区与所述第二有源区之间界定中间区；以及第一栅极线、第二栅极线及第三栅极线，与所述第一有源区及所述第二有源区交叉且与所述中间区交叉。所述第一栅极线在所述中间区中被第一间隙绝缘层划分成上部第一栅极线及下部第一栅极线，所述第二栅极线未被划分，且所述第三栅极线在所述中间区中被第二间隙绝缘层划分成上部第三栅极线及下部第三栅极线。
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公开(公告)号：CN107919354B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201710641748.3
申请日：2017-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/39 , G06F30/398
Abstract: 一种包括经修改单元的集成电路及设计集成电路的方法，所述方法包括：接收用于定义所述集成电路的输入数据；从包括多个标准单元的标准单元库接收信息；从包括至少一个经修改单元的经修改单元库接收信息，所述至少一个经修改单元具有与所述多个标准单元中的对应标准单元相同的功能且具有比所述对应标准单元高的可布线性；以及通过响应于所述输入数据、来自所述标准单元库的所述信息以及来自所述经修改单元库的所述信息执行放置及布线，来产生输出数据。通过使用具有与标准单元相同的功能且具有比标准单元提高的可布线性的经修改单元，可减小集成电路的占用面积。
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公开(公告)号：CN116895634A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310369604.2
申请日：2023-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/48
Abstract: 提供一种半导体芯片架构及其制造方法，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层，该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构；提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层，该MOL层包括接触和连接到该接触的通路；绝缘层，在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻；以及电源轨，从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片，其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。
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公开(公告)号：CN112908988A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011405734.X
申请日：2020-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/538
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。在第一方向上延伸的第一方向多个配线包括：栅极配线，在第二方向上以栅极节距彼此间隔开；第一配线，在栅极配线之上，在第二方向上以第一节距彼此间隔开；第二配线，在第一配线之上，在第二方向上以第二节距彼此间隔开；以及第三配线，在第二配线之上，在第二方向上以第三节距彼此间隔开。栅极节距和第二节距之间的比率为6:5。
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