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公开(公告)号：CN111261704A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911003483.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/538 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，所述有源图案在第一方向上延伸；栅电极，位于所述有源图案上，所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且包括沿着所述第二方向布置的第一部分和第二部分；第一接触插塞，位于所述栅电极上，所述第一接触插塞连接到所述栅电极的所述第二部分的顶表面；源极/漏极区，位于在所述栅电极的侧壁上的所述有源图案中；以及源极/漏极接触，位于所述源极/漏极区上，所述源极/漏极接触的顶表面的高度高于所述栅电极的所述第一部分的顶表面的高度，并且低于所述栅电极的所述第二部分的所述顶表面的高度。
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公开(公告)号：CN110690177A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910601851.4
申请日：2019-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数。
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公开(公告)号：CN109979937A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811567096.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/49
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上并具有彼此不同的阈值电压的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的每个包括栅极绝缘层、第一功函数金属层和第二功函数金属层。第一晶体管的第一功函数金属层可以包括第一子功函数层，第二晶体管的第一功函数金属层可以包括第二子功函数层，第三晶体管的第一功函数金属层可以包括第三子功函数层，第一子功函数层、第二子功函数层和第三子功函数层可以具有彼此不同的功函数。
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公开(公告)号：CN112420836B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010409305.3
申请日：2020-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D30/60 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一金属的下部接触图案；包括第二金属的上部接触图案，所述第一金属的第一电阻率大于所述第二金属的第二电阻率；以及位于所述下部接触图案与所述上部接触图案的下部之间的金属阻挡层，所述金属阻挡层包括第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属不同。所述上部接触图案的下部宽度可以小于所述下部接触图案的上部宽度。
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公开(公告)号：CN117810227A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310625143.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案和源极/漏极图案，沟道图案和源极/漏极图案位于有源图案上，其中，沟道图案连接至源极/漏极图案；栅电极，其位于沟道图案上；以及栅极接触件，其连接至栅电极的顶表面，其中，栅极接触件包括与栅电极的顶表面直接接触的封盖层和位于封盖层上的金属层，其中封盖层和金属层包括相同的金属，金属层中的氧的浓度在约2at％至约10at％之间的范围内，并且封盖层中的氧的最大浓度在约15at％至约30at％之间的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109830479B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201811405041.3
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/49
Abstract: 一种半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一晶体管可以在第一区域中并包括第一栅极线，第一栅极线包括第一下部含金属层和在第一下部含金属层上的第一上部含金属层。第二晶体管可以在第二区域中并包括第二栅极线，第二栅极线具有与第一栅极线的宽度相等的宽度，并且包括第二下部含金属层和在第二下部含金属层上的第二上部含金属层。第一上部含金属层的最上端和第二下部含金属层的最上端的每个可以在比第一下部含金属层的最上端高的水平处。
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公开(公告)号：CN112310222A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010707043.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/40
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上或者位于所述衬底中的沟道；源极/漏极对，分别位于所述沟道的相对端；以及栅极结构，所述栅极结构在所述沟道上位于所述源极/漏极对之间，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠在所述沟道上的界面层、铁电层、稳定化层、氧扩散阻挡层和阈值电压控制层。
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公开(公告)号：CN112289862A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010710454.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括：第一有源图案，其位于衬底的第一区上；一对第一源极/漏极图案，其位于第一有源图案上；第一沟道图案，其位于所述一对第一源/漏图案之间；以及栅电极，其横跨第一沟道图案延伸。栅电极位于第一沟道图案的最上面的表面和至少一个侧壁上。栅电极包括：第一金属图案，其包括p型功函数金属；第二金属图案，其位于第一金属图案上，并且包括n型功函数金属；第一阻挡图案，其位于第二金属图案上，并且包括包含钨(W)、碳(C)和氮(N)的非晶态金属层；以及第二阻挡图案，其位于第一阻挡图案上。第二阻挡图案包括p型功函数金属。
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公开(公告)号：CN111668308A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911353670.0
申请日：2019-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：具有第一有源区和第二有源区的衬底；分别在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别延伸跨过第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极；以及在第一有源图案和第一栅电极之间以及在第二有源图案和第二栅电极之间的高k电介质层。第一栅电极包括功函数金属图案和电极图案。第二栅电极包括第一功函数金属图案、第二功函数金属图案和电极图案。第一功函数金属图案包含与高k电介质层的杂质相同的杂质。第二栅电极的第一功函数金属图案的杂质浓度大于第一栅电极的功函数金属图案的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN109935585A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201810833546.3
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。
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