公开(公告)号：CN107709584A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038273.2

申请日：2016-07-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 岁森悠人 ,  盐野一郎 ,  张守斌

IPC: C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C23C14/34 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明的Ag合金膜在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下。

公开(公告)号：CN105593398B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201480054518.1

申请日：2014-12-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 陆田雄也 ,  梅本启太 ,  张守斌

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414

Abstract: 本发明的In或In合金溅射靶为在由Cu或Cu合金制的垫板或衬管构成的靶支承基体上，通过由In与Cu的合金构成的结合层接合有成为靶主体的In或In合金层的In或In合金溅射靶，所述结合层具有5～100μm的厚度。

公开(公告)号：CN103261472B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280003513.7

申请日：2012-07-06

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  太阳能先锋株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘 ,  梅本啓太

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C9/00 ,  B22F9/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/043 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00

Abstract: 本发明提供机械加工性优异、且可以形成主要含有Cu、Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有以下的成分组成：相对于溅射靶中的全部金属元素，含有Ga：15原子%～40原子%，而且含有Bi：0.1原子%～5原子%，余量的Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法包括：将至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金在1050℃以上熔融，并制作铸块的步骤。或者包括：制作原料粉末的步骤，该原料粉末是至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金的粉末；和将原料粉末在真空、惰性气体气氛或还原性气体气氛中热加工的步骤。

公开(公告)号：CN105008580A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010218.3

申请日：2014-02-25

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  梅本启太

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22C28/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/16

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22D7/005 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/10 ,  B22F2304/10 ,  C22C1/0433 ,  C22C1/0483 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/16 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，该溅射靶的机械加工性优异，且可形成含有Cu、Ga作为主成分的化合物膜。本发明的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶中的全部金属元素，含有15.0～50.0原子％的Ga、合计0.1～10.0原子％的选自Al、Zn、Sn、Ag及Mg中的一种以上金属元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：CN104024470A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380004675.7

申请日：2013-02-15

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  梅本启太 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/00 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C32/0089 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/087 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  B22F3/1007

Abstract: 本发明提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。

公开(公告)号：CN103261473A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280003518.X

申请日：2012-04-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  昭和砚壳石油株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3407 ,  B22F3/14 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0483 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 提供一种具有卓越的机械加工性能，并且能形成一种主要含有Cu和Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有包括如下物质的成分组成：Ga:20～40at%，Sb:0.1～3at%，剩余部分为Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法的特征在于，包括以下步骤：通过粉碎至少Cu、Ga以及Sb各元素的单质或含有其中两种以上元素的合金，来生产原料粉末的步骤；和将所述原料粉末在真空、惰性气氛中或还原性气氛中进行热加工的步骤，所述原料粉末中所含的Ga以CuGa合金或GaSb合金的形式存在。

公开(公告)号：CN101796214A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105516.5

申请日：2008-09-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  三岛昭史

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/48 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/12 ,  C04B35/44 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C23C14/086 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

Abstract: 该ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有当A为Si、Cr、Al、Ce、Ti、Sn中的1种或2种以上时，由ZraInbAcO100-a-b-c(其中，5原子％＜a＜23原子％、12原子％＜b＜35原子％、0＜c＜30原子％)构成的成分组成，所述光记录介质保护膜形成用溅射靶中所含Zr的90％以上成为Zr与In的复合氧化物相，分散在靶基底中。

公开(公告)号：CN106574360A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580039989.X

申请日：2015-08-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  太阳能先锋株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌 ,  井尾谦介

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22F1/00

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/04 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/041 ,  B22F2009/043 ,  B22F3/1039 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/247

Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ga溅射靶，其具有作为除去氟的金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的K、且余量由Cu及不可避免的杂质构成的组成，在由波长分离型X射线检测器获得的原子映射图像中存在含有Cu、Ga、K及F的Cu‑Ga‑K‑F区域。

公开(公告)号：CN106471150A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580033520.5

申请日：2015-09-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌 ,  浦山恒太郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明的溅射靶由如下烧结体构成：所述烧结体具有含有30.0～67.0原子％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的成分组成，并且具备在Cu-Ga合金的γ相基体中分散有Cu-Ga合金的θ相的组织。

公开(公告)号：CN104540976B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380041837.4

申请日：2013-08-09

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋藤淳 ,  张守斌 ,  山口刚 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  G11B7/254 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25411 ,  G11B2007/25414 ,  G11B2007/25417

Abstract: 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。