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公开(公告)号：CN106187154A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610803625.0
申请日：2012-02-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L31/18
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO-SiO2-Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt％、Si：6.0～14.5wt％，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt％、SiO2：10～22wt％、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。
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公开(公告)号：CN103958729A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201380003991.2
申请日：2013-03-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/453
CPC classification number: C04B35/453 , B82Y30/00 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B37/026 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/784 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种即使DC溅射也能够制作高电阻的透明膜的溅射靶以及高电阻透明膜及其制造方法。本发明的溅射靶以氧化锌为主要成分，由具有相对于总金属成分含量含有0.005～0.1原子％的选自In、Ga、Al、B的元素群中的一种或两种以上的元素的成分组成的氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体的密度为5.3g/cm3以上。高电阻透明膜使用上述溅射靶通过DC溅射成膜，体积电阻率为1×104Ω·cm以上。
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公开(公告)号：CN103380229A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280007565.1
申请日：2012-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , H01L31/04
CPC classification number: C04B35/16 , C04B35/18 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L31/022483 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有折射率低且良好阻气性的氧化锌系透明氧化物膜及其制造方法。本发明的透明氧化物膜具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有0.9～20.0at%的Al及25.5～68.0at%的Si，且剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成，并且为非晶质。该制造方法如下：在含氧的惰性气体气氛中及加热基板的状态的至少一种环境下，利用溅射靶进行DC溅射，其中，该溅射靶由氧化物烧结体构成，并且该烧结体组织中存在复合氧化物Zn2SiO4和ZnO，该氧化物烧结体具有如下成分组成：相对于总金属成分量含有0.3～4.0wt%的Al及6.0～14.5wt%的Si，且剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN113677822A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080023096.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种溅射靶，其含有Ge、Sb及Te，该溅射靶中，C含量在0.2原子％以上且10原子％以下的范围内，并且氧含量以质量比计为1000ppm以下，在Ge‑Sb‑Te相(11)中分散有碳粒子(12)，碳粒子(12)的平均粒径在超过0.5μm且5.0μm以下的范围内。
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公开(公告)号：CN112739847A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061500.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶含有Ge、Sb及Te，并具有氧浓度高的高氧区域(11)和氧浓度低于该高氧区域(11)的低氧区域(12)，且具有低氧区域(12)在高氧区域(11)的基质内以岛状分散的组织。在溅射靶中，直径0.5μm以上且5.0μm以下的空隙也可以以平均密度计在0.12mm2的范围内存在两个以上且十个以下的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102666910A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052554.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜、利用该透明导电膜的太阳能电池及用于形成透明导电膜的溅射靶以及其制造方法。本发明提供一种用于液晶显示装置、电致发光显示装置等、尤其适合用于太阳能电池的透明导电膜，并且提供一种利用该透明导电膜的太阳能电池以及适于形成该透明导电膜的溅射靶。本发明的透明导电膜，其由金属成分元素的含有比例以原子比计Al：0.7～7%、Mg：9.2～25%、Ga：0.015～0.085%、其余为Zn的Al-Mg-Ga-Zn系氧化物构成，且耐湿性优异。
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公开(公告)号：CN113227444A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085376.8
申请日：2019-10-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，包含75mol％以上的由Ge、Sb及Te构成的金属互化物，所述金属互化物的微晶直径为以上且以下。本发明的溅射靶也可以包含选自B、C、In、Ag、Si、Sn及S中的一种以上的添加元素，所述添加元素的合计含量为25mol％以下。
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公开(公告)号：CN103270191B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280004316.7
申请日：2012-02-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , H01L31/0216
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO‑SiO2‑Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt%、Si：6.0～14.5wt%，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt%、SiO2：10～22wt%、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。
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公开(公告)号：CN104540976A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380041837.4
申请日：2013-08-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , G11B7/26
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , G11B7/254 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , C23C14/3407 , C04B35/16 , G11B7/26
Abstract: 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。
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公开(公告)号：CN104540976B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380041837.4
申请日：2013-08-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , G11B7/26
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , G11B7/254 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417
Abstract: 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。
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