公开(公告)号：CN113423859A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013496.X

申请日：2020-03-12

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  井尾谦介 ,  河村栞里 ,  梅本启太

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W18O49的峰，并且所述溅射面的W18O49的(103)面的衍射强度IS(103)与(010)面的衍射强度IS(010)之比IS(103)/IS(010)为0.57以上，所述截面的W18O49的(103)面的衍射强度IC(103)与(010)面的衍射强度IC(010)之比IC(103)/IC(010)为0.38以下，与溅射面平行的面的所述W18O49相的面积率为37％以上。

公开(公告)号：CN111542643A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201980007041.4

申请日：2019-02-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  山口刚 ,  白井孝典

IPC: C23C14/08 ,  C01B33/26 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种氧化物膜、氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶，所述氧化物膜的特征在于，将作为金属成分包含Al、Si及Zn的氧化物作为主相，并在0.5原子％以上且20原子％以下的范围内含有氮，所述氮以氮化物形式存在。优选氧化物膜的压痕硬度在700kgf/mm2以上且1500kgf/mm2以下的范围内。并且，优选在膜厚50nm下实施弯曲试验，弯曲试验之后的水蒸气透过率的降低率为30％以下且可见光透过率的降低率为5％以下。

公开(公告)号：CN102666910A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052554.6

申请日：2010-12-14

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  陆田雄也 ,  山口刚 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C14/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜、利用该透明导电膜的太阳能电池及用于形成透明导电膜的溅射靶以及其制造方法。本发明提供一种用于液晶显示装置、电致发光显示装置等、尤其适合用于太阳能电池的透明导电膜，并且提供一种利用该透明导电膜的太阳能电池以及适于形成该透明导电膜的溅射靶。本发明的透明导电膜，其由金属成分元素的含有比例以原子比计Al：0.7～7%、Mg：9.2～25%、Ga：0.015～0.085%、其余为Zn的Al-Mg-Ga-Zn系氧化物构成，且耐湿性优异。

公开(公告)号：CN102422716A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020770.2

申请日：2010-05-14

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 小见山昌三 ,  山口刚

IPC: H05B33/26 ,  C22C21/06 ,  H01L51/50 ,  H05B33/24

CPC classification number: H05B33/26 ,  C22C21/06 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/24

Abstract: 本发明提供构成上部发光型有机EL元件的阳极层的具有高反射率、高导电性且平均面粗糙度和接触电阻低的Al合金反射电极膜。形成上部发光型有机EL元件的阳极层的反射电极膜，由按照质量%计，Mg为0.5～15%，La、Ce、Pr、Nd、Eu中的1种或2种以上的总量为0.5～10%，余量包含Al和不可避免的杂质的Al合金，或除了Mg为0.5～15%，Ce为0.5～10质量%以外，Ni、Co中的1种或2种的总量为2～9质量%或Pd为4～15质量%，余量包含Al和不可避免的杂质的Al合金来构成，由此形成具有高反射率、高导电性，平均面粗糙度低，与ITO、AZO等空穴注入电极膜的接触电阻低的反射电极膜。

公开(公告)号：CN113508188A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080018073.7

申请日：2020-03-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  井尾谦介 ,  河村栞里 ,  梅本启太

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/495 ,  C04B35/645 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种氧化钨溅射靶，其特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W18O49的峰，并且所述溅射面的W18O49的(103)面的衍射强度IS(103)与(010)面的衍射强度IS(010)之比IS(103)/IS(010)为0.38以下，所述截面的W18O49的(103)面的衍射强度IC(103)与(010)面的衍射强度IC(010)之比IC(103)/IC(010)为0.55以上，与溅射面平行的面的所述W18O49相的面积率为37％以上。

公开(公告)号：CN103270191B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201280004316.7

申请日：2012-02-03

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  张守斌 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  H01L31/0216

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO‑SiO2‑Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt%、Si：6.0～14.5wt%，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt%、SiO2：10～22wt%、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。

公开(公告)号：CN104540976A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380041837.4

申请日：2013-08-09

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋藤淳 ,  张守斌 ,  山口刚 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  G11B7/254 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25411 ,  G11B2007/25414 ,  G11B2007/25417 ,  C23C14/3407 ,  C04B35/16 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。

公开(公告)号：CN111902561A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980019072.1

申请日：2019-04-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 森理惠 ,  山口刚

IPC: C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  G02B1/16 ,  G06F3/041 ,  H05K9/00

Abstract: 一种屏蔽层(20)，其配设于液晶显示面板(10)，该屏蔽层(20)的特征在于，由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，并且，将金属成分的总计设为100原子％，还可以在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。

公开(公告)号：CN106187154A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610803625.0

申请日：2012-02-03

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  张守斌 ,  近藤佑一

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/18

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO-SiO2-Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt％、Si：6.0～14.5wt％，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt％、SiO2：10～22wt％、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。

公开(公告)号：CN103958729A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380003991.2

申请日：2013-03-01

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  近藤佑一 ,  森理惠 ,  山口刚

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453

CPC classification number: C04B35/453 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种即使DC溅射也能够制作高电阻的透明膜的溅射靶以及高电阻透明膜及其制造方法。本发明的溅射靶以氧化锌为主要成分，由具有相对于总金属成分含量含有0.005～0.1原子％的选自In、Ga、Al、B的元素群中的一种或两种以上的元素的成分组成的氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体的密度为5.3g/cm3以上。高电阻透明膜使用上述溅射靶通过DC溅射成膜，体积电阻率为1×104Ω·cm以上。