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公开(公告)号：CN104822853A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062952.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用零件及端子，本发明所涉及的电子电气设备用铜合金具有如下组成：Zr含量为0.05质量％以上且0.15质量％以下、Ca含量为0.001质量％以上且小于0.08质量％、Pb含量小于0.05质量％、Bi含量小于0.01质量％，其余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且Zr的含量(质量％)与Ca的含量(质量％)之比Zr/Ca为1.2以上，且具有由以Cu和Zr作为主成分的相与以Cu和Ca作为主成分的相的两个相构成的两相粒子，与以Cu和Zr作为主成分的一个相构成的单相粒子，并且导电率超过88％IACS。
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公开(公告)号：CN115735013B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180045904.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg的含量超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为200MPa以上，耐热温度为150℃以上。
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公开(公告)号：CN115768910B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202180045199.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度比TLD/TTD超过0.95且小于1.08，半软化温度TLD为210℃以上。
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公开(公告)号：CN114761589B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202080082235.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，平均晶体粒径在10μm以上且100μm以下的范围内，导电率为90％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为50％以上。
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公开(公告)号：CN115768910A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180045199.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度比TLD/TTD超过0.95且小于1.08，半软化温度TLD为210℃以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115735013A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180045904.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg的含量超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5masppm以下，As的含量为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为200MPa以上，耐热温度为150℃以上。
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公开(公告)号：CN114761590A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082244.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，小倾角晶界及亚晶界的长度LLB与大倾角晶界的长度LHB具有LLB/(LLB+LHB)＞20％的关系。
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公开(公告)号：CN114761589A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082235.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，平均晶体粒径在10μm以上且100μm以下的范围内，导电率为90％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为50％以上。
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公开(公告)号：CN114302975A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080061069.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。
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公开(公告)号：CN111788320A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015759.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金以质量％计包含Mg：0.15％以上且小于0.35％及P：0.0005％以上且小于0.01％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，不可避免的杂质中，H量为10质量ppm以下，O量为100质量ppm以下，S量为50质量ppm以下，C量为10质量ppm以下，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随(N机FJ晶2/(界1‑的NFJJ23)与)0所.5≤有0晶.45界。三重点的比例NFJ2满足0.20＜
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