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公开(公告)号：CN115917023B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180045210.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
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公开(公告)号：CN114787400B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202080082309.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，KAM值的平均值为3.0以下。
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公开(公告)号：CN114269957B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080059341.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该纯铜板的Cu的含量为99.96质量％以上，在将轧制面中的晶粒的平均结晶粒径设为Xμm，将Ag的含量设为Y质量ppm时，1×10‑8≤X‑3Y‑1≤1×10‑5成立，在将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.30＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.48成立。
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公开(公告)号：CN107709585B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201680032061.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的特征在于，包含0.1质量％以上且小于0.5质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在拉伸试验中，将由真应力σt与真应变εt定义的dσt/dεt设为纵轴，将真应变εt设为横轴时，具有所述dσt/dεt的斜率为正的应变区域。
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公开(公告)号：CN107208189B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201680008019.8
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的特征在于，其含有0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg和0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕以质量比计满足如下关系：〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，并且导电率超过75％IACS。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107709585A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680032061.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的特征在于，包含0.1质量％以上且小于0.5质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在拉伸试验中，将由真应力σt与真应变εt定义的dσt/dεt设为纵轴，将真应变εt设为横轴时，具有所述dσt/dεt的斜率为正的应变区域。
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公开(公告)号：CN118119720A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280070258.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 提供一种具有较高的导电率和优异的耐热性的铜合金，其中，Mg的含量为超过10质量ppm且100质量ppm以下，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5masppm以下，As的含量为5masppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6以上且50以下，导电率为97％IACS以上，在φ2＝0°、φ1＝0°～20°、Φ＝35°～55°范围内的取向密度的平均值为1.3以上且小于20.0，相对于S取向{123}＜634＞具有10°以内的晶体取向的晶体的面积比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN115735014B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180046181.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
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公开(公告)号：CN115210394B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180018747.8
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，通过EBSD2法，以测定间隔5μm步长测定1mm以上的测定面积，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，在将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation：平均取向差)值为1.50以下。
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公开(公告)号：CN115735018A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180045132.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/00
Abstract: 该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
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