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公开(公告)号：CN119522475A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052520.4
申请日：2023-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 本发明的监视方法包括：确定向在腔室内设置于基片支承部内的多个分区的加热器提供了的第一电功率的步骤。第一电功率是在腔室内生成等离子体且各分区由设置于其中的加热器控制为一定温度时的电功率。监视方法还包括：确定向各分区去的来自等离子体的热通量的步骤。向各分区去的来自等离子体的热通量，通过将向设置于各分区的加热器提供的第二电功率与第一电功率之差除以各分区的面积而得到。向各分区提供的第二电功率是在腔室内没有生成等离子体且各分区由设置于其中的加热器控制为一定温度时向加热器提供的电功率。
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公开(公告)号：CN119522474A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052289.9
申请日：2023-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在公开的等离子体处理装置中，控制部带来循环的重复。循环包括以下工序：从高频电源供给源高频电力的脉冲以在腔室内从气体生成等离子体；以及从偏置电源向基板支承部供给电偏置的脉冲。电偏置的脉冲包括以1MHz以下的偏置频率周期性地产生的直流电压脉冲。循环的重复频率为5kHz以上。电偏置的脉冲的开始时机与源高频电力的脉冲的停止时机同时或比该停止时机早。电偏置的脉冲的停止时机比源高频电力的脉冲的停止时机晚。
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公开(公告)号：CN115938906A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310085511.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括执行以下步骤a～步骤e的控制部，将基片放置在基片支承件上的步骤a；在腔室中利用第一RF信号和第二RF信号从第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至下部电极；使基片暴露在第一等离子体中的步骤c；在腔室中利用第一RF信号、第二RF信号和磁场从第二气体形成第二等离子体的步骤d，在步骤d中，第二RF信号以大于第一电功率的第二电功率被供给至下部电极；和使基片暴露在第二等离子体中的步骤e。
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公开(公告)号：CN115513049A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210672045.8
申请日：2022-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高蚀刻选择比。蚀刻方法包括以下工序：准备基板，基板包括包含硅和氮的第一区域、以及包含硅和氧的第二区域；以及将第一区域和第二区域暴露于由包含碳、氟及钨的处理气体生成的等离子体中，由此在第一区域上形成含钨保护层，同时蚀刻第二区域。
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公开(公告)号：CN112585728A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103165A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN111564355A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010081427.4
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
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公开(公告)号：CN112103165B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN112585728B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN117577524A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311626120.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。
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