公开(公告)号：CN102959709A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030749.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。

公开(公告)号：CN102869816A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021354.9

申请日：2011-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  Y10T428/18 ,  Y10T428/187

Abstract: 一种碳化硅衬底（1）包括：基础衬底（10），该基础衬底（10）具有70mm或更大的直径；和多个SiC衬底（20），该SiC衬底（20）由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在基础衬底（10）上。换句话说，多个SiC衬底（20）并排布置在基础衬底（10）的主表面上并且沿着该主表面布置。此外，SiC衬底（20）中的每一个具有与基础衬底（10）相反并且相对与{0001}面具有20°或更小的偏离角的主表面（20A）。

公开(公告)号：CN102812537A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201080065662.7

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

公开(公告)号：CN102598211A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004204.7

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  冲田恭子 ,  并川靖生 ,  伊藤里美

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的连接衬底。第一碳化硅衬底(11)具有连接到支撑部(30)的第一背面、与第一背面相反的第一正面以及将第一背面和第一正面彼此连接的第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有连接到支撑部(30)的第二背面、与第二背面相反的第二正面以及将第二背面和第二正面彼此连接的第二侧面，并且在第一侧面和第二侧面之间形成有间隙。去除用于填充间隙的填充部40。然后，对第一和第二正面进行抛光。然后，去除填充部40。然后，形成用于封闭间隙的封闭部。这样，在使用具有碳化硅衬底的复合衬底制造半导体器件的工艺中，能够抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。

公开(公告)号：CN102473605A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002805.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  原田真 ,  佐佐木信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C30B23/025 ,  C30B23/063 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658

Abstract: 由单晶碳化硅制成的第一和第二材料衬底(11、12)中的各个衬底具有第一和第二背面、第一和第二侧面以及第一和第二正面。所述第一和第二背面连接到所述支持部(30)上。所述第一和第二侧面相互面对且两者之间具有间隙，所述间隙具有在所述第一与第二正面之间的开口。形成封闭部(70)以封闭所述开口上的所述间隙。通过从所述第一和第二侧面向所述封闭部(70)上沉积升华物以形成用于封闭所述开口的连接部(BDa)。除去所述封闭部(BDa)。在所述第一和第二正面上生长碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN102473594A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031760.9

申请日：2010-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  玉祖秀人 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)包含单晶碳化硅；形成碳化硅的基底层(10)的步骤，所述基底层(10)将所述多个SiC衬底(20)保持在如下状态中，其中当俯视观察时，所述多个SiC衬底(20)并排布置；以及形成填充部(60)的步骤，所述填充部(60)填充所述多个SiC衬底(20)之间的间隙。

公开(公告)号：CN102471929A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002884.9

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  宫崎富仁

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L29/24

Abstract: 第一圆形表面(11)包含具有第一形状的第一凹口部(N1a)。第二圆形表面(21)与所述第一圆形表面对向且包含具有第二形状的第二凹口部(N2a)。侧面(31)将所述第一圆形表面(11)与所述第二圆形表面(21)彼此连接。所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此对向。所述侧面(31)具有将所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此连接的第一凹陷部(Da)。

公开(公告)号：CN102422388A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020519.6

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种能减小其厚度方向上的电阻率的同时抑制由于热处理产生的层错的碳化硅衬底(1)，包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成的并且设置在基底层(10)的一个主表面(10A)上。基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度。另外，SiC层(20)具有大于5×1018cm-3且小于2×1019cm-3的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102379024A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014869.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  玉祖秀人 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一碳化硅衬底(11)，其具有第一表面(F1)和第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有第二正面(F2)和第二侧面。所述第二侧面被设置成使得在所述第一和第二侧面之间形成间隙，该间隙具有在所述第一和第二碳化硅衬底(11，12)的第一和第二正面(F1，F2)之间的开口。在所述开口上方提供用于封闭所述间隙的封闭部(70)。将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积在所述封闭部(70)之上，形成用于连接所述第一和第二侧面的连接部(BDa)以便封闭所述开口。在形成所述连接部(BDa)的步骤之后，去除所述封闭部(70)。

公开(公告)号：CN102257190A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201080003672.8

申请日：2010-04-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  增田健良

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  B24B7/17 ,  B24B7/228 ,  B24B37/08 ,  B24B37/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/02 ,  H01L29/045 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种衬底、具有薄膜的衬底、用上述衬底形成的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，其中所述衬底实现了抑制由于衬底的弯曲而造成半导体器件加工精度的劣化。在衬底(1)中，主表面(1a)的直径为2英寸或更大，主表面(1a)弯曲度值为-40μm至-5μm，并且主表面(1a)的翘曲度值为5μm至40μm。优选衬底(1)的主表面(1a)的表面粗糙程度(Ra)的值为1nm或更小，并且优选主表面(1b)的表面粗糙程度(Ra)的值为100nm或更小。